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1. 发明专利

JP6965728B2 X線分析装置、及び、X線検出器の交換時期判定方法有权
公开(公告)号：JP6965728B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2017245328
申请日：2017-12-21
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木桂次郎
IPC分类号： G01N23/207 , G01T7/00 , G01N23/223

2. 发明专利

JPWO2020105722A1 単結晶X線構造解析装置とそのための方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020105722A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2019045691
申请日：2019-11-21
申请人：株式会社リガク
发明人：佐藤孝
IPC分类号： G01N23/205 , G01N23/207 , G01N1/10 , G01N1/28 , G01N23/20025
摘要：細孔性錯体結晶(結晶スポンジ)による単結晶X線構造解析を迅速に行い、関連情報の管理を含めて容易なものとするユーザフレンドリな単結晶X線構造解析装置と方法を提供する。X線を発生するX線源と、内部に形成された複数の微細孔に試料を吸蔵可能な細孔性錯体結晶を含む試料ホルダと、試料ホルダを取り付けて回動するゴニオメータと、ゴニオメータに取り付けられた試料ホルダに保持された試料に対してX線源からのX線を照射するX線照射部と、試料により回折又は散乱されたX線を検出して測定するX線検出測定部と、X線検出測定部により測定された回折又は散乱X線に基づいて試料の構造解析を行なう構造解析部と、細孔性錯体結晶に関する不変情報または試料の吸蔵以降の可変情報を取得する情報取得部(600)と、情報取得部(600)に取得された不変情報または可変情報を格納する情報格納部(111)と、を備える。

3. 发明专利

JP2021143916A 評価装置および評価方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021143916A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020042191
申请日：2020-03-11
申请人：株式会社NTTファシリティーズ
发明人：高橋哲郎
IPC分类号： G01N23/207 , G01N33/38
摘要：【課題】精度良くALCパネルの寿命を評価する。【解決手段】評価装置は、ALCパネルである対象物の第1試料の炭酸カルシウムから熱分解によって発生した二酸化炭素量に基づく第1カルシウム量を入力する第1入力部と、飽和炭酸化状態とした前記第1試料の炭酸カルシウムから熱分解によって発生した二酸化炭素量に基づく第2カルシウム量を入力する第2入力部と、前記第1カルシウム量を前記第2カルシウム量で除した値である炭酸化進行度を算出する炭酸化進行度算出部と、飽和炭酸化状態とした場合に炭酸カルシウムから熱分解によって発生する二酸化炭素量に基づく第3カルシウム量が、前記第2カルシウム量に対応する値となる第2試料の炭酸化進行度と、前記第1試料の前記炭酸化進行度とに基づいて、前記炭酸化進行度が略100%となる将来の時期を予測する予測部とを備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JPWO2020202730A1 X線分析装置有权
公开(公告)号：JPWO2020202730A1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2020002468
申请日：2020-01-24
申请人：株式会社応用科学研究所
发明人：副島啓義
IPC分类号： G01N23/207 , G01N23/2273 , G21K1/06 , G01N23/223
摘要：本発明の一実施形態のX線分析装置は、X線源(10)、直管型マルチキャピラリ(11、12)と、平板分光結晶(15)と、平行/点焦点型マルチキャピラリX線レンズ(13)と、フレネルゾーンプレート(14)と、を含む。試料(S1)上の或る程度広い範囲における定性分析を実施する場合には、平板分光結晶(15)及びフレネルゾーンプレート(14)をX線光路上から外し、連続X線をマルチキャピラリX線レンズ(13)で集光して試料(S1)に照射する。試料(S1)上の微小部位における元素の化学形態を解析したい場合、マルチキャピラリX線レンズ(13)をX線光路上から退避させる一方、X線源(10)等を回動させ、平板分光結晶(15)及びフレネルゾーンプレート(14)をX線光路上に挿入する。平板分光結晶(15)で取り出した特定のエネルギを有するX線をフレネルゾーンプレート(14)で試料(S1)上のごく狭い範囲に照射する。これにより、試料上の或る程度の範囲における正確な定性分析を実施するとともに、より微小な部位の詳細な解析も可能となる。

6. 发明专利

JP2021048367A シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021048367A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019171639
申请日：2019-09-20
申请人：信越半導体株式会社
发明人：冨井和弥
IPC分类号： G01N21/956 , G01N23/207 , H01L21/66
摘要：【課題】シリコン単結晶ウェーハの主表面(デバイスを作製するための面)に発生しているスリップをより確実性高く検出する方法を提供する。【解決手段】主表面と主裏面を有するシリコン単結晶ウェーハの前記主表面のスリップを検出する方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハの前記主裏面側に存在するスリップ、又は、前記シリコン単結晶ウェーハの前記主表面と前記主裏面の一方から厚み方向に存在するスリップを検出し、該検出したスリップの位置座標を特定する工程と、前記特定されたスリップの位置座標に対応する前記主表面側の高さ変動を微分干渉観察装置により観察する工程と、前記主表面側の高さ変動が所定の値より大きい場合に前記主表面にスリップが発生していると判定する工程とを有するシリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6818224B2 X線回折測定装置有权
公开(公告)号：JP6818224B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2019022204
申请日：2019-02-12
申请人：パルステック工業株式会社
发明人：丸山洋一
IPC分类号： G01N23/2055 , G01L1/25 , G01L1/00 , G01N23/207

8. 发明专利

JP2020173157A 集合組織による金属組織の評価方法及びその評価方法を用いる鉄鋼材料の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020173157A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2019074759
申请日：2019-04-10
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 国立大学法人東京大学
发明人：木村一弘 , 南部将一 , 郭光植 , 小関敏彦
IPC分类号： G01N23/207
摘要：【課題】鉄鋼材料の凝固偏析の残存を迅速かつ簡便な手法を用いて評価し、かつ、凝固偏析の残存の程度が小さい鉄鋼材料を製造する。【解決手段】集合組織による金属組織の評価方法であって、鉄鋼材料の集合組織を、X線回折を用いて解析し、凝固偏析の残存を評価する金属組織の評価方法であり、上記の方法で凝固偏析の残存を評価し、凝固偏析が残存の程度が小さい鉄鋼材料を製品とするか、又は、凝固偏析が残存している鉄鋼材料に均質化熱処理を施して製品とする鉄鋼材料の製造方法である。【選択図】図8

9. 发明专利

JP6756366B2 表面処理加工方法及び表面処理加工装置有权
公开(公告)号：JP6756366B2
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2018518310
申请日：2017-05-16
申请人：新東工業株式会社
发明人：岩田恭一 , 神山拓哉 , 小林祐次 , 松井彰則
IPC分类号： G01N23/207 , C21D7/06 , B24C1/10

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