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1. 发明专利

JP6788202B2 電子装置、電子装置の製造方法及び電子機器有权
公开(公告)号：JP6788202B2
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：JP2018548474
申请日：2016-11-01
申请人：富士通株式会社
发明人：上村泰紀 , 酒井泰治 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L25/065

2. 发明专利

JP6561467B2 Sn−58Bi共晶合金、電子部品および電子装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6561467B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2015000464
申请日：2015-01-05
申请人：富士通株式会社
发明人：上村泰紀 , 作山誠樹
IPC分类号： C22C12/00 , H05K3/34 , B23K35/26

3. 发明专利

JP6179287B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6179287B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2013186286
申请日：2013-09-09
申请人：富士通株式会社
发明人：岡本圭史郎 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225

5. 发明专利

JP2015141906A 電子部品の製造方法及び電子装置の製造方法有权
标题翻译：制造电子元件的方法和制造电子器件的方法
公开(公告)号：JP2015141906A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014012000
申请日：2014-01-27
申请人：富士通株式会社
发明人：清水浩三 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L2224/11334 , H01L2224/13083 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193
摘要：【課題】接続強度の高い柱状の端子を備える電子部品を実現する。【解決手段】支持体上に、第1融点の半田を含む第1半田部を介して柱状電極部を形成し(ステップS1)、また、電子部品本体の電極上に、第1融点よりも高い第2融点の半田を含む第2半田部を形成する(ステップS2)。これらの支持体と電子部品本体とを対向させ、第2融点以上の温度で柱状電極部と第2半田部とを接続し(ステップS3)、接続後、第1融点以上第2融点未満の温度で支持体を除去する(ステップS4)。これにより、電子部品本体の電極上に、第2半田部で根元が補強された柱状の端子を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：实现配备有具有高连接强度的柱状端子的电子部件。解决方案：在支撑体上，通过包括具有第一熔点的焊料的第一焊料部分（步骤S1）形成柱状电极部分，在电子部件主体的电极上，具有比第一熔点高的第二熔点的焊料的第二焊料部（步骤S2）。这些支撑体和电子部件体彼此相对地形成，并且柱状电极部和第二焊料部在等于或大于第二熔点的温度下彼此连接（步骤S3）。在连接之后，以等于或大于第一熔点的温度并且小于第二熔点的温度移除支撑体（步骤S4）。结果，在电子部件主体的电极上形成有通过第二焊接部加强其根部的柱状端子。

6. 发明专利

JP2015115363A 電子装置及び電子装置の製造方法有权
标题翻译：电子设备及制造电子设备的方法
公开(公告)号：JP2015115363A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013254372
申请日：2013-12-09
申请人：富士通株式会社
发明人：清水浩三 , 作山誠樹
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , B23K1/0016 , B23K3/085 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/264 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/488 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H05K3/3463 , B23K2001/12 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05082 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/13016 , H01L2224/13076 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16157 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/75253 , H01L2224/75501 , H01L2224/75502 , H01L2224/759 , H01L2224/81005 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/8121 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/81948 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49838 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/1579 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/16747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H05K1/0203 , H05K1/09 , H05K1/113 , H05K2201/0248 , H05K2201/09972 , H05K2201/1056 , H05K2203/1121 , H05K2203/304 , H05K3/3436
摘要：【課題】電子部品間の接合信頼性に優れる電子装置を実現する。【解決手段】電子装置1は、端子11を備える電子部品10と、その端子11に対向する端子21を備える電子部品20と、それらの端子11と端子21を接合する接合部30とを含む。接合部30は、端子11と端子21の対向方向に延在された柱状の化合物31を含有する。柱状の化合物31が含有されることで、接合部30の強度の向上が図られる。柱状の化合物31は、端子11と端子21を接合する際に、電子部品10と電子部品20のうちの一方を他方よりも高温にした状態で、接合材を冷却し凝固させることで形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：实现电子部件之间的接合可靠性优异的电子设备。解决方案：电子设备1包括电子部件10，电子部件10包括端子11，电子部件20，电子部件20包括面向端子11的端子21和接头30用于接合端子11和端子21.接头30包括沿着端子11,21的相对方向延伸的柱状化合物31.由于包含柱状化合物31，因此接头30的强度增强。当端子11,21接合时，柱状化合物31通过使粘合材料冷却固化，同时使电子部件10,20中的任一个进入比另一个高的温度的状态。

7. 发明专利

JP6439472B2 電子装置及び電子装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6439472B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015021951
申请日：2015-02-06
申请人：富士通株式会社
发明人：上村泰紀 , 作山誠樹 , 清水浩三
IPC分类号： H05K3/34 , H01L21/60

8. 发明专利

JP2018182043A 接合体、接合体の製造方法、冷却装置、及び情報処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018182043A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017078850
申请日：2017-04-12
申请人：富士通株式会社
发明人：吉野真 , 作山誠樹
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/20 , B29C65/02 , H01L23/473 , H05K7/20
摘要：【課題】軽量でありかつ耐久性に優れる接合体などの提供。【解決手段】銅製の銅部材と、樹脂製の樹脂部材と、前記銅部材及び前記樹脂部材の間に接合部とを有する接合体であって、前記銅部材が、前記樹脂部材側の表面に粗面を有し、前記接合部が、トリアジンチオールに由来する化学構造を有し、前記接合部において、硫黄原子の密度が、前記銅部材側から前記樹脂部材側に向かうにしたがって減少していることを特徴とする接合体。【選択図】図4D

10. 发明专利

JP2017175044A 配線基板、配線基板の製造方法及び電子装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017175044A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016061542
申请日：2016-03-25
申请人：富士通株式会社
发明人：上村泰紀 , 作山誠樹
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/40 , H05K3/46
摘要：【課題】配線基板における電極とビアとの接続部の電気抵抗の上昇を抑える。【解決手段】配線基板1は、絶縁層10と、絶縁層10上に設けられた電極20と、絶縁層10内に設けられ、電極20と接続され、導体42aと樹脂41とを含むビア40と、電極20と導体42aとに接し、Biを含有するBi部50とを含む。配線基板1は、電極20及び導体42aの少なくとも一方に、Bi部50のBiと接する、CuSn金属間化合物を含む。電極20とビア40との接続部の電気抵抗の上昇を招くCuSn金属間化合物の亀裂又はボイドを、CuSn金属間化合物とそれに接するBiとの所定の熱処理による反応を利用して修復する。【選択図】図2

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