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2. 发明专利

JP5314616B2 Method of manufacturing a substrate for a semiconductor element 有权
公开(公告)号：JP5314616B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2010025360
申请日：2010-02-08
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：圭吾佐藤 , 重徳祐谷
IPC分类号： H01L21/312
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a semiconductor element, capable of preventing separation between a resin substrate and a porous formed on the resin substrate, by improving the adhesiveness of the porous layer. SOLUTION: The substrate has a structure, in which an adhesion layer 3 made of a compound obtained by hydrolysis or condensation reaction of alkoxysilane is formed on the resin substrate 2 and the porous layer 4, made of a compound obtained through hydrolysis or condensation reaction of alkoxysilane and having a density of ≤0.7 g/cm 3 formed on the adhesion layer 3. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP4943043B2 The method of manufacturing the piezoelectric ceramics 有权
公开(公告)号：JP4943043B2
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：JP2006100464
申请日：2006-03-31
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：重徳祐谷
IPC分类号： C04B35/00 , H01L41/187 , H01L41/39 , H01L41/43
CPC分类号： C04B35/495 , B32B18/00 , C01G35/006 , C01P2002/34 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62605 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3298 , C04B2235/5292 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/761 , C04B2235/765 , C04B2235/787 , H01L41/1873 , H01L41/43
摘要： Piezoelectric performance is improved in a piezoelectric ceramic having a perovskite-type crystal structure expressed by a general formula ABO3 and the B-site element including niobium. The piezoelectric ceramic has a perovskite-type crystal structure in which plural octahedrons formed of oxygen are arranged to share vertices thereof and elements are located at a center of eight octahedrons and at a center of each octahedron; wherein an element located at the center of eight octahedrons is A-site element, an element located at the center of each octahedron is B-site element, and a general formula of the perovskite-type crystal structure is ABO3; the B-site element includes niobium (Nb); and bismuth (Bi) content in composition of the piezoelectric ceramic is 100 ppm by weight or less.

8. 发明专利

JP4723041B1 Anodic oxidation apparatus 有权
公开(公告)号：JP4723041B1
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：JP2010162693
申请日：2010-07-20
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：重徳祐谷
IPC分类号： C25D17/00 , C25D11/04
CPC分类号： C25D11/005 , C25D11/045
摘要：【課題】金属基板の絶縁層として陽極酸化被膜を金属基板の片面に高速に製膜する。
【解決手段】陽極酸化装置を、陽極酸化可能な金属からなる帯状物または少なくとも片面が陽極酸化可能な金属である複合導電金属箔からなる帯状物１を密着支持し、少なくとも帯状物１が密着する部分２ａは導電性材料で構成された給電ドラム２と、給電ドラム２に対向して設けられた対向電極３と、帯状物１を密着支持した給電ドラム２の一部と対向電極３とを浸漬する電解液４で満たされた電解槽５と、給電ドラム２に密着支持された帯状物１の短手方向端部と、給電ドラム２のうち帯状物１が密着しない部分とをオーバーラップして電解液４から保護する非導電性材料からなる保護部材６と、給電ドラム２の周速に同期させて給電ドラム２に密着させた帯状物１と保護部材６を電解液４中で共走行させる駆動部とからなるものとする。
【選択図】図１

9. 发明专利

JP4700130B1 Insulating metal substrate and a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4700130B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：JP2010020313
申请日：2010-02-01
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：重徳祐谷
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03928 , H01B3/02 , H01G9/2068 , H01G9/2081 , Y02E10/541 , Y02E10/542 , Y10T428/12479 , Y10T428/12611
摘要：【課題】太陽電池等に用いられる、金属基材と、Ａｌ層と、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層とを有する基板であって、各層のクラックの発生や剥離を抑制することができ、良好な絶縁特性を維持および可撓性を維持できる基板、および、この基板を用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】基材とＡｌ層との間に厚さが０．０１〜１０μｍの合金層が存在し、さらに、前記アルミニウム層の厚さが、１μｍ以上で、かつ、前記金属基材の厚さ以下であることにより、前記課題を解決する。
【選択図】図１

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