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1. 发明专利

JP6810599B2 電子部品およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6810599B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2016247177
申请日：2016-12-20
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 小田康之
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/17 , H01L23/02 , H01L21/301 , B23K26/364 , H03H3/08

2. 发明专利

JP2020198549A 圧電デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020198549A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2019103796
申请日：2019-06-03
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：吉竹晴彦 , 菊地努 , 佐藤雅弘
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H3/08
摘要：【課題】支持基板の劣化を抑制すること。【解決手段】圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第1基板上に複数の第2基板を、前記圧電基板との間に空隙を挟み搭載する工程と、前記複数の第2基板を囲み前記第1基板と接合し、前記圧電基板および前記第2基板の少なくとも一方に設けられた圧電素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、前記封止部および前記第1基板を分割するための分割領域において、前記封止部と前記支持基板とに挟まれる分割層の底面に前記分割層の一部が残存するようにダイシングブレードを用い前記封止部および前記分割層に第1溝を形成する工程と、前記第1溝の底面にレーザ光を照射することで、前記支持基板に第2溝または改質領域を形成する工程と、前記第2溝または前記改質領域において前記第1基板を割断する工程と、を含む圧電デバイスの製造方法。【選択図】図6

3. 发明专利

JP6251031B2 電子デバイス及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6251031B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2013267497
申请日：2013-12-25
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 高尾光輝 , 栗原友
IPC分类号： H01L21/60 , H03H9/25 , H03H3/08 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15174

4. 发明专利

JP2016058964A 弾性波デバイス有权
标题翻译：声波设备
公开(公告)号：JP2016058964A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185443
申请日：2014-09-11
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 黒▲柳▼ 琢真 , 小田康之 , 先灘薫
IPC分类号： H03H9/02 , H01L23/06 , H01L23/08 , H03H9/25
摘要：【課題】インダクタと弾性波素子との短絡を抑制すること。【解決手段】絶縁基板20と、前記絶縁基板の上面に形成されたインダクタ22と、下面に弾性波素子12が形成され、前記弾性波素子が前記インダクタに対向し、前記弾性波素子と前記インダクタとの間に空隙18が形成されるように、前記絶縁基板上に搭載された素子基板10と、前記弾性波素子の下面および前記インダクタの上面の少なくとも一方に形成された絶縁膜32と、を具備する弾性波デバイス。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制电感和声波元件之间的短路。解决方案：声波装置包括：绝缘基板20; 形成在所述绝缘基板的上表面上的电感器22; 在其下表面上形成有声波元件12并且安装在绝缘基板上以使声波元件面向电感器的元件基板10，并且在声波元件和电感器之间形成间隙18; 以及形成在声波元件的下表面和电感器的上表面中的至少一个上的绝缘膜32.选择的图示：图1

5. 发明专利

JP2020191597A 弾性波デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020191597A
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：JP2019097137
申请日：2019-05-23
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 菊地努
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/25 , H03H3/02 , H03H3/08
摘要：【課題】小型化すること。【解決手段】圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第1基板の平面方向に延伸する切断領域の幅方向の中心線の両側において前記支持基板にレーザ光を照射することで、前記支持基板に溝および/または改質領域を形成する工程と、前記圧電基板の前記支持基板と反対の面の前記切断領域の間に複数の第2基板を、前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載する工程と、前記複数の第2基板を囲み前記切断領域を含む領域に前記切断領域において前記第1基板と接合し、前記圧電基板および前記第2基板の少なくとも一方に設けられた弾性波素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、前記切断領域の幅方向の両辺を側面とする溝を形成することにより前記封止部を切断する工程と、前記溝および/または前記改質領域を形成する工程および前記封止部を切断する工程の後、前記切断領域の中心線の両側において前記第1基板を割断する工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法。【選択図】図5

6. 发明专利

JP2018101913A 電子部品およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018101913A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016247177
申请日：2016-12-20
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 小田康之
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/17 , H01L23/02 , H01L21/301 , B23K26/364 , H03H3/08
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/97
摘要：【課題】チッピングおよび/またはクラックの発生を抑制すること。【解決手段】支持基板10aと前記支持基板の上面に接合され上面に機能部12を有する圧電基板10bとを備える第1基板10の切断すべき切断領域80にレーザ光を照射し、前記支持基板に溝60を形成する工程と、前記機能部に空隙を挟んで第2基板の下面が対向するように、前記第1基板上に前記第2基板20を含む構造体82を搭載する工程と、前記構造体を搭載する工程の後、ダイシング法を用い前記切断すべき領域において前記構造体を切断する工程と、前記構造体を切断する工程の後、前記切断すべき領域において前記溝を起点に前記支持基板を割断する工程と、を含む電子部品の製造方法。【選択図】図6

7. 发明专利

JP2018006626A 電子デバイスおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018006626A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016133650
申请日：2016-07-05
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 畑山和重 , 黒▲柳▼ 琢真 , 栗原倫之 , 清水洋平 , 柿田直輝
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25 , H03H3/02 , H03H9/02 , H01L23/02
CPC分类号： H01L2924/16235
摘要：【課題】小型化すること。【解決手段】第1基板10と、下面が前記第1基板の上面と空隙25を介し対向し、平面形状が前記第1基板と略合同であり、平面視において側面が前記第1基板の対応する側面と重なるように前記第1基板上に搭載された第2基板20と、前記第1基板の側面から前記第2基板の側面にかけて設けられ、前記第1基板の上面および前記第2基板の下面の少なくとも一方に設けられた機能素子を前記空隙に封止する封止部材30と、前記封止部材から離間し前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを接続する接続部材26と、を具備する電子デバイス。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6744771B2 電子デバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6744771B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016133650
申请日：2016-07-05
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 畑山和重 , 黒▲柳▼ 琢真 , 栗原倫之 , 清水洋平 , 柿田直輝
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25 , H03H3/02 , H03H9/02 , H01L23/02

9. 发明专利

JP2015126014A 電子デバイス及びその製造方法有权
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：JP2015126014A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267497
申请日：2013-12-25
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 高尾光輝 , 栗原友
IPC分类号： H01L21/60 , H03H9/25 , H03H3/08 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15174
摘要：【課題】デバイスチップのクラックの発生を抑制しつつ、低背化を実現すること。【解決手段】本発明は、複数のSAWチップ12を、実装基板10上に、実装基板10との間に空隙20を有するようにバンプ14によってフリップチップ実装する工程と、実装基板10上に実装された複数のSAWチップ12上にリッド32を配置し、リッド32を含む封止部34によって、バンプ14が露出する空隙20を保ちつつ、複数のSAWチップ12を封止する工程と、リッド32を含む封止部34と実装基板10とをダイシングによって切断し、複数のSAWチップ12を個片化して複数のデバイス50とする工程と、ダイシングによってリッド32の上面に発生したバリ36のうち、リッド32の上面の辺部分におけるバリ36bを残存させつつ、リッド32の上面の頂点部分におけるバリ36aの高さを低くする工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：减少器件芯片的高度，同时抑制器件芯片的破裂。解决方案：一种电子器件的制造方法，包括以下步骤：在安装件上执行多个SAW芯片12的倒装芯片安装衬底10通过凸起14，使得在安装衬底10和它们之间存在间隙20; 在安装在安装基板10上的多个SAW 12上安装盖32并密封多个SAW芯片12，同时通过包括盖32的密封部34保持凸起14暴露的间隙20; 通过切割，分割多个SAW芯片12并提供多个装置50来切割包括盖32和安装基板10的密封部34; 并且在盖32的上表面上出现的毛刺36之间的盖32的上表面的侧部留下毛边36b的同时，在盖32的上表面的顶点处降低毛刺36a的高度。通过切片

10. 发明专利

JP2021057667A 電子デバイス、モジュールおよびウエハ审中-公开
公开(公告)号：JP2021057667A
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：JP2019176741
申请日：2019-09-27
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：佐藤雅弘 , 黒坂広幸 , 山内基
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/72 , H03H9/70 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/053 , H01L23/06 , H03H9/25
摘要：【課題】応力の集中を抑制すること。【解決手段】本発明は、基板10と、前記基板上に設けられた素子と、前記基板上に設けられ前記素子を前記基板との間の空隙に封止する封止部と、前記基板の前記素子とは反対側に設けられた第1金属層18cと、前記第1金属層と前記基板との間に設けられ、前記第1金属層のヤング率より小さいヤング率を有する第2金属層18bと、を少なくとも有し、前記第2金属層の厚さは端子の厚さの1/2以上である端子18と、を備える電子デバイスである。【選択図】図3

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