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1. 发明专利

JP6124373B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6124373B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/812

3. 发明专利

JP2016103651A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：金刚石半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103651A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/337
摘要：【課題】デバイス設計の自由度を大幅に高めるとともに、効率的に製造可能なダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板1と、ダイヤモンド基板1の{001}の結晶面を有する基板面上に略垂直に隆起して配されるダイヤモンド段差部と、n型のリンドープダイヤモンド領域5a、5bと、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bと、を有す。ダイヤモンド段差部は、側面が{110}の結晶面を有する第1段差部3と、側面が{100}の結晶面を有する第2段差部4a、4bとが一体に形成され、リンドープダイヤモンド領域5a,5bは、第1段差部3の段差形状の底角を起点に第1段差部3の側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成され、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bは、第2段差部4a、4bの側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够显着提高器件设计自由度和有效制造的金刚石半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：一种金刚石半导体器件，包括：金刚石衬底1 ; 在金刚石基板1的具有{001}晶面的基板表面上基本上垂直地突出并布置的金刚石阶梯部分; n型磷掺杂金刚石区域5a和5b; 和金刚石绝缘区域6a和6b。在金刚石阶梯部分中，其一侧具有{110}晶面的第一台阶部分3和其侧面具有{100}晶面的第二台阶部分4a和4b一体形成。掺杂荧光体的金刚石区域5a和5b通过使用第一台阶部分3的阶梯状底角作为起始点并使用第一台阶部分3的侧面和钻石的基板表面进行晶体生长而形成底物1作为生长基底表面。金刚石绝缘区域6a和6b通过使用第二台阶部分4a和4b的侧面和金刚石基板1的基板表面作为生长基底表面进行晶体生长而形成。图3

4. 发明专利

JP6795803B2 センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子有权
公开(公告)号：JP6795803B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2018037624
申请日：2018-03-02
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 加藤宙光 , 牧野俊晴 , 山崎聡
IPC分类号： C30B29/04 , G01N24/00 , H01L29/82 , G01R33/02

5. 发明专利

JP2019152524A センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019152524A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018037624
申请日：2018-03-02
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 加藤宙光 , 牧野俊晴 , 山崎聡
IPC分类号： C30B29/04 , G01N24/00 , H01L29/82 , G01R33/02
摘要：【課題】ダイヤモンド結晶構造中の炭素−空孔中心が負電荷の状態に安定するダイヤモンドを有するセンサ素子を提供する。【解決手段】センサ素子が有するダイヤモンドを、n型にリンドープされており、かつ窒素−空孔中心を結晶構造中に含んでいるダイヤモンドとすることにより、ダイヤモンド格子中の炭素−空孔中心が中性状態になる確率が減少し、窒素−空孔中心が負電荷の状態に安定する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017154909A ダイヤモンド基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017154909A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016037183
申请日：2016-02-29
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602
摘要：【課題】転位欠陥が少なく、異常成長粒子の発生を抑制したダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板の製造方法であって、下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、該第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドの壁面に付着した異種付着物を除去する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第三の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017034220A ダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产金刚石的电子设备和金刚石的电子设备的方法
公开(公告)号：JP2017034220A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016021008
申请日：2016-02-05
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：野口仁 , 白井省三 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 小倉政彦 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 松本翼 , 川島宏幸
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/02 , C23C16/27 , C23C16/503 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/205
摘要：【課題】大面積、低コスト、高品質なダイヤモンド電子素子及びダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド電子素子であって、シリコン基材と、該シリコン基材上に形成され、単結晶MgO層、単結晶SrTiO 3 層、α−Al 2 O 3 層、YSZ(イットリア安定化ジルコニア)層のいずれかからなる中間層と、該中間層上に形成され、イリジウム層、ロジウム層、白金層のいずれかからなる下地層と、該下地層上に形成された単結晶ダイヤモンド層とを有し、前記単結晶ダイヤモンド層の厚みが、300μm以下のものであることを特徴とするダイヤモンド電子素子。【選択図】図1
摘要翻译：一种用于制造高品质的金刚石电子设备和金刚石的电子装置提供了大面积，低成本的方法。本发明涉及一种钻石的电子装置，和硅衬底，形成在硅衬底，单晶MgO层，单晶的SrTiO 3层，α-AL2 O3层，任何YSZ的（氧化钇稳定氧化锆）层上采取制成的中间层，形成在中间层上包括铱层，铑层，由任意的铂层的基础层，和形成在所述底层的单晶金刚石层，其中金刚石的电子设备，其中所述单晶金刚石层的厚度为300微米或更小的。点域1

8. 发明专利

JP2021193067A ダイヤモンド基板审中-公开
公开(公告)号：JP2021193067A
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2021162838
申请日：2021-10-01
申请人：信越化学工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人金沢大学
发明人：野口仁 , 白井省三 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 川島宏幸 , 桑原大輔 , 山崎聡 , 竹内大輔 , 徳田規夫 , 猪熊孝夫 , 松本翼
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04
摘要：【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018137096A 電子放出材料および電子放出素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018137096A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017030085
申请日：2017-02-21
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人静岡大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：木村裕治 , 片岡光浩 , 森岡直也 , 荻野明久 , 加藤宙光 , 山崎聡 , 牧野俊晴
IPC分类号： H01J1/34 , H01L37/00 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01J9/04 , H01J9/12 , H01J1/14
摘要：【課題】仕事関数を低減することができる電子放出材料および電子放出素子を提供する。【解決手段】表面が水素で終端されたダイヤモンド膜11を備え、ダイヤモンド膜11は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウムのうち少なくとも1つが存在する雰囲気とされた空間に配置されている。これによれば、ダイヤモンド膜11の表面が水素で終端されており、さらに、ダイヤモンド膜11の表面に常にセシウム等が存在するようになる。したがって、ダイヤモンド膜11の表面を水素で終端することによる仕事関数の低減と、ダイヤモンド膜11の表面にセシウム等が存在することによる仕事関数の低減の効果が得られる。これにより、従来よりも仕事関数を低減することができる。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6165000B2 熱電子発電素子有权
公开(公告)号：JP6165000B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013190103
申请日：2013-09-13
申请人：株式会社デンソー , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：片岡光浩 , 木村裕治 , 祖父江進 , 竹内大輔 , 加藤宙光 , 山崎聡
IPC分类号： H02N3/00 , H01J45/00 , H01L37/00
CPC分类号： H01J45/00

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