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3. 发明专利

JP6430153B2 半導体装置、インターポーザ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6430153B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2014119886
申请日：2014-06-10
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：メラメドサムソン , 橋野健 , 加藤史樹 , 根本俊介 , ブイタントゥン , 菊地克弥 , 仲川博 , 青柳昌宏
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/473 , H01L23/12

4. 发明专利

JP2015233099A 半導体装置、インターポーザ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件，间插器和制造商的插入方法
公开(公告)号：JP2015233099A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2014119886
申请日：2014-06-10
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：メラメドサムソン , 橋野健 , 加藤史樹 , 根本俊介 , ブイタントゥン , 菊地克弥 , 仲川博 , 青柳昌宏
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/473 , H01L23/12
摘要：【課題】3次元集積回路において、流路を設けるために半導体チップを厚くすることなく、放熱性に優れた半導体装置、インターポーザ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、第1面の一部に形成された溝と、溝以外の領域において第1面と第1面の裏面の第2面との間を貫通するビアとを備えるインターポーザと、インターポーザの第1面側に搭載された第1半導体チップと、インターポーザの溝以外の領域と第1半導体チップとの間に設けられ、インターポーザと第1半導体チップとを接着する接着層と、を備え、溝及び接着層により、第1半導体チップに接触する冷媒が導入される流路が形成されている、半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在不增加用于在三维集成电路中提供通道的半导体芯片的厚度的情况下实现优异的散热性能的半导体器件，以及提供插入件的插入件和制造方法。：本发明的一个实施例涉及一种半导体器件，其包括：插入件，其包括形成在第一表面的一部分上的沟槽和穿过第一表面和第二表面之间的通孔，该第二表面是第一表面的除了凹槽安装在所述插入件的第一表面侧上的第一半导体芯片; 以及设置在除了凹槽之外的插入件的区域和第一半导体芯片之间并且将插入件和第一半导体芯片彼此粘合的粘合剂层。沟槽和粘合剂层形成与第一半导体芯片接触的制冷剂被引入的通道。

5. 发明专利

JP6478371B2 電子デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6478371B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2014105218
申请日：2014-05-21
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：青柳昌宏 , 根本俊介 , 加藤史樹 , 渡辺直也 , 菊地克弥 , 仲川博 , 居村史人 , 馮ウェイ
IPC分类号： H01L21/603 , H05K3/32 , H01L21/60

6. 发明专利

JP2016204751A 金属ナノ粒子生成装置、及び金属ナノ粒子ガスデポジション装置审中-公开
标题翻译：金属纳米粒子生成装置，和所述金属纳米粒子的气体沉积设备
公开(公告)号：JP2016204751A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016080231
申请日：2016-04-13
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , ミクナスファインエンジニアリング株式会社
发明人：青柳昌宏 , 仲川博 , 渡辺直也 , 菊地克弥 , 根本俊介 , 五味善宏 , 斉藤伊織
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/22 , B82Y40/00 , C23C14/00
摘要：【課題】装置の大型化や消費電力の増大を抑制することのできる金属ナノ粒子生成装置、及び金属ナノ粒子ガスデポジション装置を提供する。【解決手段】成膜材料を収容する坩堝と、黒鉛抵抗体への電力供給により前記坩堝を加熱する黒鉛ヒータと、不活性ガスが外部から供給され、前記坩堝の加熱により蒸発した前記成膜材料の前記不活性ガス中での冷却により、前記成膜材料の金属ナノ粒子が生成されるナノ粒子生成室と、前記金属ナノ粒子を外部へ搬送する搬送管とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：的金属纳米粒子生成能够抑制该装置的尺寸和功率消耗的增加，并提供一种金属纳米粒子的气体沉积设备的。和坩埚容纳膜形成材料，以及石墨加热器用于由电源向石墨电阻加热坩埚，将惰性气体从外部，通过坩埚的加热而蒸发的沉积材料供应其中在惰性气体中冷却，其特征在于所述成膜材料的纳米粒子生成室的金属纳米颗粒中产生，并且用于输送金属纳米颗粒到外部的输送管。 .The

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