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1. 发明专利

JP6308554B2 誘電体薄膜有权
公开(公告)号：JP6308554B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2014171406
申请日：2014-08-26
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , ソムクマラグルバラン , 知京豊裕 , 高橋健一郎 , 李成奇 , 鈴木摂 , 恒川吉文
IPC分类号： H01B3/12 , H01G4/33 , H01G4/12 , C23C14/08

2. 发明专利

JP2016164901A ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ审中-公开
标题翻译：用于基于双相电介质的电极和电容器
公开(公告)号：JP2016164901A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2015044135
申请日：2015-03-06
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , ソムクマラグルバラン , 知京豊裕 , 高橋健一郎 , 李成奇 , 鈴木摂 , 恒川吉文
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/12 , H01G4/008
摘要：【課題】製造プロセスや使用中の高温下でBi系誘電体材料中のBiが電極中に拡散することによる電極と誘電体との界面の熱的不安定性を防止する。【解決手段】Bi系誘電体材料に接触する電極にBiを拡散しにくい元素を含ませることで、上記問題を解消する。このような元素としては、具体的にはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、硫黄、ゲルマニウム、スズ、砒素及びアンチモンを使用できる。この構成のキャパシタは、例えば自動車用に好適に使用できる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了防止电极和电介质的界面由于在Bi系介电材料中的Bi在制造过程或使用中的高温条件下扩散到电极中而导致热不稳定。解决方案：上述问题可以通过与Bi基电介质材料接触的电极来解决，该电极被布置为包括难以扩散的元件。具体地，可以使用以下元素：铍，镁，钙，锶，钡，钪，钇，镧，钛，锆，铪，钒，铌，钽，铬，钼，钨，锌，铝，镓，铟，铊，硫，锗，锡，砷和锑。根据这样的布置的电容器可以优选地用于例如电池。一辆汽车。选择图：无

3. 发明专利

JP6887655B2 ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ有权
公开(公告)号：JP6887655B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2015044135
申请日：2015-03-06
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , ソムクマラグルバラン , 知京豊裕 , 高橋健一郎 , 李成奇 , 鈴木摂 , 恒川吉文
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/008

4. 发明专利

JP2016044350A 誘電体薄膜有权
标题翻译：电介质薄膜
公开(公告)号：JP2016044350A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014171406
申请日：2014-08-26
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , ソムクマラグルバラン , 知京豊裕 , 高橋健一郎 , 李成奇 , 鈴木摂 , 恒川吉文
IPC分类号： H01B3/12 , H01G4/33 , H01G4/12 , C23C14/08
摘要：【課題】Biを含有する誘電体でBiの拡散・表面析出を効果的に抑止することで、この誘電体薄膜を用いたキャパシタの特性劣化等を防止する。【解決手段】誘電体層とTaを含有するバリア層との積層構造の薄膜とすることで、誘電体中のBiの拡散をバリア層で阻止する。このTa積層(不均一)添加構造をトルことで、薄膜全体の平均Ta濃度を比較的低い値に維持して誘電体としての特性の悪化を抑えながら、TaによるBiの拡散抑止効果を充分に発揮させることができる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了防止使用电介质薄膜的电容器的特性劣化等，通过抑制Bi在包含Bi的电介质中有效地扩散/表面析出Bi。解决方案：电介质中Bi的扩散被阻挡层阻挡通过形成具有介电层和阻挡层的叠层结构的含有Ta的薄膜。通过采用Ta层叠（不均匀）添加结构，可以充分地显示Bi的Bi的扩散抑制效果，同时通过将整个薄膜的平均Ta浓度保持在较低的值来抑制作为电介质的特性劣化。选择图6：

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