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1. 发明专利

JP6083096B2 結晶成長方法および結晶成長装置有权
标题翻译：晶体生长方法和晶体生长装置
公开(公告)号：JP6083096B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2014509168
申请日：2013-04-02
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 中村優 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B23/00 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C14/24 , C23C14/00 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/403

2. 发明专利

JP2016155714A α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子审中-公开
标题翻译： α-Ga2O3单晶，α-Ga2O3的制造方法和使用其的半导体器件
公开(公告)号：JP2016155714A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035140
申请日：2015-02-25
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B25/16 , C23C16/40 , C23C16/14 , H01L21/205 , H01L33/26 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体素子に適用可能なα−Ga 2 O 3 単結晶、α−Ga 2 O 3 の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。【解決手段】少なくともGaのハロゲン化物を含むガリウム原料の分圧を0.05〜10kPa、O 2 、H 2 OおよびN 2 Oから少なくとも1つ選択される酸素原料の分圧を0.25〜50kPaとし、250〜650℃未満の成長温度、5μm〜1mm/時間の成長速度で、サファイア基板上にα−Ga 2 O 3 単結晶を成長させるハライド気相成長法によるα−Ga 2 O 3 単結晶の製造方法。前記方法によって得られる、カーボン濃度が5×10 18 cm −3 以下、水素濃度が、5×10 18 cm −3 以下、アルミニウム濃度が4× 16 cm −3 以下、塩素濃度が1× 18 cm −3 以下であり、波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm −1 以下であるα−Ga 2 O 3 単結晶及び前記単結晶を備えた半導体素子。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供可应用于半导体器件的α-GaO单晶，α-GaO的制造方法和使用其的半导体器件。解决方案：通过卤化物蒸气的α-GaO单晶的制备方法提供了一种生长方法，其中在蓝宝石衬底上在至少包含0.05-10kPa的Ga的卤化物和选择了至少一种氧原料的分压的镓原料的分压下生长α-GaO单晶从O，HO和NO为0.25-50kPa，生长温度为250-小于650℃，生长速度为5μm-1mm /小时。提供了通过制造方法得到的碳浓度为5×10cm以下，氢浓度为5×10cm以下，铝浓度为4×cm以下，氯浓度为1×cm 2以上的α-GaO单晶相对于波长为300nm以上的光，吸收系数为500cm以下。还提供了包括α-GaO单晶的半导体器件。选择图：无

3. 发明专利

JPWO2020171147A1 GaN結晶および基板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020171147A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2020006644
申请日：2020-02-19
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：江夏悠貴 , 大島祐一
IPC分类号： C30B23/02 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要： GaN−HEMTのような横型デバイス構造の窒化物半導体デバイスのための基板に用いられるGaN結晶、および、GaN−HEMTのような横型デバイス構造の窒化物半導体デバイスの製造に用いられる基板を提供する。面積5cm 2 以上の(0001)表面を有し、該(0001)表面の(0001)結晶面からの傾斜が10度以下であるGaN結晶において、Fe濃度が5×10 17 atoms/cm 3 以上1×10 19 atoms/cm 3 未満であり、総ドナー不純物濃度が5×10 16 atoms/cm 3 未満である。

4. 发明专利

JP2021172553A 結晶性積層構造体および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021172553A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077067
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/205 , H01L29/24 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶層を備える結晶性積層構造体、およびこのような結晶性積層構造体を備える半導体装置を提供する。【解決手段】第1の結晶を含む第1の結晶層上に、第2の結晶を含む第2の結晶層が積層されている結晶性積層構造体であって、第1の結晶が、κ−Ga 2 O 3 の多結晶を含み、第2の結晶が結晶性酸化物の単結晶である結晶性積層構造体を、半導体装置に適用する。【選択図】なし

6. 发明专利

JP6436538B2 ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP6436538B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015121248
申请日：2015-06-16
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/16

8. 发明专利

JP2017007871A ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子审中-公开
标题翻译：的ε-GA2 O3单晶，制造的ε-GA2 O3的方法，和使用其的半导体装置
公开(公告)号：JP2017007871A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015121248
申请日：2015-06-16
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B25/20 , H01L33/26 , H01L31/108 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体素子に適用可能なε−Ga 2 O 3 単結晶、ε−Ga 2 O 3 の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。【解決手段】本発明によるε−Ga 2 O 3 単結晶は、カーボン濃度が5×10 18 cm −3 以下に制御されている。本発明によるε−Ga 2 O 3 を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にε−Ga 2 O 3 を成長するステップを包含する。基板は、空間群P63mcを有する単結晶基板またはβ−Ga 2 O 3 からなる単結晶基板である。【選択図】図6
摘要翻译：甲适用的ε-GA2 O3单晶半导体器件，ε-GA2 O3的制造方法，以及提供使用该方法的半导体装置。根据ε-己GA2 O3单晶本发明具有碳浓度控制在5×1018厘米-3或更小。对于根据本发明生产的ε-GA2 O3，包括通过卤化物气相外延在衬底上生长的ε-GA2 O3的步骤方法。基板是由单晶衬底或β-GA2 O3具有空间群P63mc的单晶衬底。点域6

9. 发明专利

JP2021172555A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021172555A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077069
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/205 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体装置等に有用な、Si等の不純物が低減された高品質な結晶膜を工業的有利に製造できる方法を提供する。【解決手段】原料から結晶成長により基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法であって、前記原料がGaCl 3 を含み、前記の結晶成長を、前記基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に前記原料の分圧を1kPa以上且つ酸素含有雰囲気下の結晶成長条件にて結晶膜を形成することにより行う。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021172554A 結晶性積層構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021172554A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077068
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/365 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶層を備える結晶性積層構造体を工業的有利に得ることができる結晶性積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】結晶基板(例えば、サファイア基板など)上に、応力緩和層を介して、結晶性酸化物の単結晶を含む結晶性酸化物層を形成する結晶性積層構造体の製造方法において、前記応力緩和層に、κ−Ga 2 O 3 を含む多結晶を用いて、前記応力緩和層の形成を、前記結晶基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に、前記応力緩和層を成膜することにより行う。【選択図】図1

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