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1. 发明专利

JP2015174974A ZnS蛍光体及びその製造方法审中-公开
标题翻译： ZnS磷光体及其制备方法
公开(公告)号：JP2015174974A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054251
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 日亜化学工業株式会社 , 片桐政樹
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 野口泰延 , 大栗裕史
IPC分类号： C09K11/08 , G01T1/20 , G21K4/00 , C09K11/56
CPC分类号： C09K11/584
摘要：【課題】低ガンマ線感度でかつアフターグローの少ない、粒子線検出に特化した粒子線検出用銀賦活硫化亜鉛(ZnS:Ag)蛍光体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】この粒子線検出用銀賦活硫化亜鉛(ZnS:Ag)蛍光体は、アルファ線を照射した際に、320nmないし580nmにわたって蛍光を放出し、そのピーク波長が395nmないし410nmである蛍光スペクトルを持つ。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低伽马射线灵敏度和较少余辉的专用于粒子射线检测的用于粒子射线检测的银活化硫化锌（ZnS：Ag）荧光体及其制造方法解决方案：当用α射线照射时，用于粒子射线检测的银活化硫化锌（ZnS：Ag）荧光体发射从320nm到580nm的荧光，并且具有峰值波长为395nm的荧光光谱至410nm。

2. 发明专利

JP6384806B2 ZnS蛍光体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6384806B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2014054251
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 日亜化学工業株式会社 , 片桐政樹
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 野口泰延 , 大栗裕史
IPC分类号： G01T1/20 , G21K4/00 , C09K11/56 , C09K11/08
CPC分类号： C09K11/584

3. 发明专利

JP6218224B2 中性子検出器有权
公开(公告)号：JP6218224B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2013208708
申请日：2013-10-04
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士 , 片桐政樹
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰 , 坂上敦
IPC分类号： G01T1/20 , G01T3/06
CPC分类号： G01T3/06

4. 发明专利

JP2015175807A 中性子シンチレータ有权
标题翻译：中东扫描仪
公开(公告)号：JP2015175807A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054416
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/56 , C09K11/61 , C09K11/06 , G01T1/20 , G21K4/00 , G01T3/06
摘要：【解決課題】ガンマ線感度を低くして、パルス中性子に対する検出効率を向上し、高計数率で中性子イメージング測定を可能とする中性子シンチレータを提供する。【解決手段】基板と、当該基板上のZnS系蛍光体、中性子コンバータ及び波長変換剤としての色素を分散させた接着性物質を含む中性子検出体と、を含む半透明ZnS系中性子シンチレータ。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种中子闪烁体，其通过降低的伽马射线灵敏度提高脉冲中子的检测效率，并能够以高计数率进行中子成像测量。解决方案：半透明ZnS中子闪烁体包括基底和中子检测体其形成在基板上并且包含ZnS荧光体材料和其中分散有颜料的粘合材料作为中子转换器和波长转换器。

5. 发明专利

JP6343785B2 中性子シンチレータ有权
公开(公告)号：JP6343785B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014054416
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/56 , C09K11/61 , C09K11/06 , G01T1/20 , G21K4/00 , G01T3/06

6. 发明专利

JP6083637B2 シンチレータを用いた中性子検出器及び中性子イメージ検出器有权
标题翻译：中子探测器和中子图像检测器使用的闪烁体
公开(公告)号：JP6083637B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2012158333
申请日：2012-07-17
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社豊伸電子 , 株式会社秩父富士
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 海老根守澄 , 美留町厚 , 大図章 , 寄林豊 , 筒井紀彰
IPC分类号： G01T1/20 , G01T3/06
CPC分类号： G01T3/06

7. 发明专利

JP2015175806A 半透明ZnS/10Bコンバータ中性子シンチレータ及びその製造方法有权
标题翻译：透明ZnS / 10B转换器中性点激光器及其制造方法
公开(公告)号：JP2015175806A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054412
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/08 , G01T1/20 , G01T3/06
摘要：【課題】高いガンマ線バックグラウンドの中で高計数率での中性子イメージング測定を可能とする中性子シンチレータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 10 B同位体濃度が90%以上の 10 B濃縮ホウ酸(H 3 10 BO 3 )と、変性脂環式ポリアミン、変性脂肪族ポリアミン又は脂肪族ジアミンを主材とする硬化剤と、を混合して 10 B−アミン混合物を調製し、当該 10 B−アミン混合物に、水、エチルアルコール、メチルアルコール、水及びエチルアルコールの混合液又は水及びメチルアルコールの混合液を混合して 10 B含有透明接着性物質を調製し、当該 10 B含有透明接着性物質に、ZnS系蛍光体を混合して、ZnS系蛍光体− 10 B含有透明接着性物質を調製し、当該ZnS系蛍光体− 10 B含有透明接着性物質を基板上に塗布して乾燥させ固化させることを特徴とする、半透明ZnS/ 10 Bコンバータ中性子シンチレータの製造方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在高伽马射线背景下以高计数率进行中子成像测量的中子闪烁体及其制造方法。解决方案：半透明ZnS / B转换器中子闪烁体的制造方法包括：使用改性脂环族多胺，改性脂族聚胺或脂肪族二胺作为主要物质，将aB同位素浓度为90％以上的B浓硼酸（HBO）与固化剂混合，制备B-胺混合物; 将B-胺混合物与水，乙醇，甲醇，水和乙醇的混合物或水和甲醇的混合物混合，制备含有B的透明粘合剂材料; 将含ZnS的荧光体与含有透明粘合剂的B混合，制备含有透明粘合剂的ZnS系荧光体-B; 并将含有ZnS的荧光体-B含有透明粘合剂材料涂布在基材上以使涂层干燥和固化。

8. 发明专利

JP6343773B2 半透明ZnS/10Bコンバータ中性子シンチレータの製造方法有权
公开(公告)号：JP6343773B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014054412
申请日：2014-03-18
申请人：国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/08 , G01T1/20 , G01T3/06

9. 发明专利

JP2015072227A 中性子検出器有权
标题翻译：中性探测器
公开(公告)号：JP2015072227A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208708
申请日：2013-10-04
申请人：独立行政法人日本原子力研究開発機構 , 株式会社秩父富士 , 片桐政樹
发明人：中村龍也 , 片桐政樹 , 筒井紀彰 , 坂上敦
IPC分类号： G01T1/20 , G01T3/06
CPC分类号： G01T3/06
摘要：【課題】 3 He位置敏感型中性子検出器と同等の中性子検出効率を有する外形が管状のシンチレータを用いた一次元中性子検出器を提供する。【解決手段】内側円筒状中性子シンチレータの上側に、2本の波長シフトファイバを円筒に沿って等間隔で平行に巻いたコイル状波長シフトファイバを配置し、その2本の波長シフトファイバの両方の終端を内側円筒状中性子シンチレータの円筒状基板の内側内部に導き、一方に光ファイバを接続し、一方に光反射板を接着した構造のシンチレータ蛍光検出体を配置し、さらにその上側に外側円筒状中性子シンチレータを配置して中性子検出素子を構成する。この中性子検出素子を2個以上円筒管の内部に密に並べて配置し、円筒状内部を使って光ファイバを配線し光検出器に導き、中性子の一次元検出を行う管状の中性子検出器とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供等效于中子检测效率的一维中子检测器到位置敏感检测器和使用具有圆柱形外形的闪烁体。解决方案：闪烁体荧光检测器布置在内筒中子闪烁体的上方，闪烁体荧光检测器被配置为其中布置卷绕的波长位移光纤，使得两个波长位移光纤在平行等距离的圆柱体周围盘绕，两个波长位移光纤的两端的末端被引入到圆柱形基板的内侧内部的内筒中子闪烁体，光纤连接到每个波长位移光纤的一端，并且光反射器粘合到另一端。另外，在闪烁体荧光检测器的上方配置有外筒中子闪烁体，构成中子检测元件。所描述的两个或更多个中子检测元件依次紧密地布置在圆柱形管内，并且使用圆柱形内部布置光纤，并将其引入光电检测器，由此提供执行中子一维检测的管状中子检测器。

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