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1. 发明专利

JP5940380B2 Siと金属Mとを含む膜の製造方法有权
标题翻译：用于制造含Si膜和金属M的方法
公开(公告)号：JP5940380B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2012129998
申请日：2012-06-07
申请人：国立大学法人東京大学 , 住友化学株式会社
发明人：野田優 , 李重昊 , 山本武継 , 松本慎吾
IPC分类号： H01M4/66 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/0682 , H01M4/0423 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/661 , Y02P70/54

2. 发明专利

JP2018128339A 半導体ウェハの表面検査装置及び半導体ウェハの表面検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018128339A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021360
申请日：2017-02-08
申请人：住友化学株式会社
发明人：山中貞則 , 市川磨 , 山本武継
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66 , G01N21/956
摘要：【課題】設置スペースの小型化が可能な半導体ウェハの表面検査装置、及び半導体ウェハの表面検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ100を撮像した結果に基づいて半導体ウェハ100が予め定められた条件を満たしているかを検査する複数の検査部2,3,4と、複数の検査部の間で半導体ウェハ100を搬送する搬送機構とを備え、搬送機構は、固定ベース60に対して回転する回動部62と、半導体ウェハを解放可能に保持する保持部と、回動部62と保持部との間に設けられた腕部63、64とを有し、複数の検査部2,3,4は、それぞれが異なる撮像方式によって半導体ウェハ100を撮像し、かつ半導体ウェハ100を取り込む取込部が回動部62の回転軸O 1 と中心とする保持部の可動範囲R内に設けられている半導体ウェハ100の表面検査装置1を提供する。【選択図】図1A

3. 发明专利

JP2016111027A 中間基板、半導体基板および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：中间基板，半导体基板和半导体基板的制造方法
公开(公告)号：JP2016111027A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014243578
申请日：2014-12-01
申请人：住友化学株式会社
发明人：市川磨 , 山本武継 , 長田剛規
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20
摘要：【課題】混入した不純物原子の濃度が高い半導体結晶層の領域を適切に除去する技術を提供する。【解決手段】絶縁層上に半導体結晶層を転写するための中間基板であって、半導体結晶層形成基板、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層、第3半導体結晶層および第4半導体結晶層を有し、これらが、半導体結晶層形成基板、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層、第3半導体結晶層、第4半導体結晶層の順に配置され、第1半導体結晶層が、Al x1 Ga 1−x1 As(0

x2Ge
1−x2 (0≦x2

x3Ge
1−x3 (0.2≦x3≦1)からなり、第4半導体結晶層が、Si
x4 Ge
1−x4 (0≦x4
【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适当地去除具有高浓度混合杂质原子的半导体晶体层的区域的技术。解决方案：用于在绝缘层上转印半导体晶体层的中间衬底包括半导体晶体层形成衬底第一半导体晶体层，第二半导体晶体层，第三半导体晶体层和第四半导体晶体层，并且按照半导体晶体形成基板，第一半导体晶体层，第二半导体晶体层，第三半导体晶体层和第四半导体晶体层。在中间基板中，第一半导体晶体层由AlGaAs（0

4. 发明专利

JP2017187350A 半導体ウエハーの表面検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017187350A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2016075409
申请日：2016-04-04
申请人：住友化学株式会社
发明人：山本武継
IPC分类号： H01L21/66 , G06T1/00 , G01N21/956
摘要：【課題】凹凸部の集合体の検出を迅速かつ低コストで実施することのできる半導体ウエハーの表面検査方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、基板とエピタキシャル成長膜からなる半導体ウエハーの表面にレーザー光を照射してその散乱光をディテクターで検出し、散乱位置及び散乱強度からエピタキシャル成長膜の表面の凹凸部の位置及び大きさを判定する表面検査装置を用いた、半導体ウエハーの表面検査方法であって、格子点上に並んだレーザー光を照射した測定点のうち、散乱強度の閾値として設定された閾値散乱強度以上の強度の散乱が生じた点を散乱点20として抽出し、散乱点20のうち、閾値距離D t 以下の距離を隔てた散乱点20同士を1つの群23に属すると判定して、群23の範囲内にエピタキシャル成長膜の表面の凹凸部の集合体が存在すると判定する、半導体ウエハーの表面検査方法を提供する。【選択図】図7

5. 发明专利

JP2017187349A 半導体ウエハーの表面検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017187349A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2016075408
申请日：2016-04-04
申请人：住友化学株式会社
发明人：山本武継
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956
摘要：【課題】従来は目視により実施されていた比較的大きなサイズを有する凹凸部についての検査を、迅速かつ低コストで実施することのできる半導体ウエハーの表面検査方法を提供する。【解決手段】基板とエピタキシャル成長膜からなる半導体ウエハーの表面にレーザー光を照射してその散乱光をディテクターで検出し、散乱スペクトルのピークの散乱強度が検出限界強度より大きいか否かを判断するS1。散乱強度が検出限界強度より大きい場合、ピークの散乱強度の積算値である積算散乱強度を算出しS2、積算散乱強度が閾値積算散乱強度より大きい場合S5、閾値サイズよりも大きい凹凸部による散乱ピークであると判定されるS6。散乱強度が検出限界強度以下であった場合S1、及び積算散乱強度が閾値積算散乱強度以下であった場合にはS5、閾値サイズ以下の凹凸部による散乱ピークであると判定されるS7。【選択図】図4

6. 发明专利

JP6964517B2 積層基板の測定方法有权
公开(公告)号：JP6964517B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2017509926
申请日：2016-03-25
申请人：住友化学株式会社
发明人：山本大貴 , 笠原健司 , 山本武継
IPC分类号： G01B11/06 , H01L21/66 , G01N21/21

7. 发明专利

JP6682328B2 半導体ウエハーの表面検査方法有权
公开(公告)号：JP6682328B2
公开(公告)日：2020-04-15
申请号：JP2016075408
申请日：2016-04-04
申请人：住友化学株式会社
发明人：山本武継
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956

8. 发明专利

JPWO2016158785A1 積層基板の測定方法、積層基板および測定装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016158785A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017509926
申请日：2016-03-25
申请人：住友化学株式会社
发明人：山本大貴 , 笠原健司 , 山本武継
IPC分类号： G01N21/21 , G01B11/06 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/21 , G01B11/06 , G01B11/0633 , G01N21/27 , G01N21/33 , G01N2201/12
摘要：ベース基板、吸収層および被測定層をこの順に有し、被測定層が単一または複数の被測定単層を有し、被測定層が位置する側からしきい波長より短波長の光を含む入射光を照射し、反射光を測定することにより、しきい波長以下の波長における互いに独立な2n(nは被測定層に含まれる被測定単層の層数であり1以上の整数)以上の反射光関連値を取得するステップと、2n以上の反射光関連値を用いて、被測定層に含まれる各被測定単層について、被測定単層に関する値を計算するステップとを有し、しきい波長として吸収層の消衰係数kを波長λ(単位はnm)の関数k(λ)として表した場合の一回微分dk(λ)/dλの絶対値が消衰微分しきい値以下となる波長範囲の最大波長を用いる測定方法を提供する。

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