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1. 发明专利

JP4993188B2 Resin piping 有权
公开(公告)号：JP4993188B2
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：JP2007035779
申请日：2007-02-16
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：忠弘大見 , 章伸寺本 , 二朗山中 , 健吾岩原 , 康治深江
IPC分类号： F16L11/06
CPC分类号： B32B1/08 , B29K2027/12 , B29K2995/0067 , B29L2023/005 , B32B27/08 , B32B27/304 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B2307/7244 , B32B2597/00 , C08L27/16 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C08L2666/04
摘要： In a resin pipe, PVDF (12) being a fluororesin is softened by adding a perfluoromonomer thereto, so that the oxygen permeability can be significantly reduced. The oxygen permeability can also be reduced by providing a nylon tube as an outer layer (14).

3. 发明专利

JP4856385B2 Insulated container and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4856385B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2005096376
申请日：2005-03-29
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：幹憲坪井 , 啓二塚原 , 高弘大村 , 忠弘大見
IPC分类号： F16L59/06 , B65D81/20 , B65D81/38

4. 发明专利

JP4845169B2 Vacuum measurement structure, vacuum structure and vacuum insulation panel 有权
公开(公告)号：JP4845169B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2004297628
申请日：2004-10-12
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：三志和田迫 , 忠弘大見 , 強小林
IPC分类号： G01L21/00 , G01L7/06 , G01L7/08

5. 发明专利

JP4746898B2 Insulated container and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4746898B2
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：JP2005096377
申请日：2005-03-29
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：幹憲坪井 , 啓二塚原 , 高弘大村 , 忠弘大見
IPC分类号： F16L59/06 , B65D81/20 , B65D81/38

6. 发明专利

JP4746899B2 Method for manufacturing a thermal insulation container 有权
公开(公告)号：JP4746899B2
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：JP2005096378
申请日：2005-03-29
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：幹憲坪井 , 啓二塚原 , 高弘大村 , 忠弘大見
IPC分类号： F16L59/06

7. 发明专利

JP5305373B2 Resin piping 有权
公开(公告)号：JP5305373B2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：JP2007338690
申请日：2007-12-28
申请人：国立大学法人東北大学 , ニチアス株式会社 , ステラケミファ株式会社 , 宇部興産株式会社
发明人：忠弘大見 , 章伸寺本 , 圭太伏見 , 二朗山中 , 雅之宮下 , 群晴西岡
IPC分类号： B32B1/08 , B32B27/30 , F16L11/04
CPC分类号： B32B27/28 , B32B1/08 , B32B27/34 , Y10T428/1393
摘要： A resin pipe has an inner layer made of a fluororesin, an intermediate layer of nylon, and an outermost layer made of a fluororesin and covering the intermediate layer.

8. 发明专利

JP5049468B2 Insulated container and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5049468B2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：JP2005096375
申请日：2005-03-29
申请人：ニチアス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：幹憲坪井 , 啓二塚原 , 高弘大村 , 忠弘大見
IPC分类号： F16L59/06 , B65D81/20 , B65D81/38

9. 发明专利

JPWO2015083194A1 スクリュー真空ポンプ有权
公开(公告)号：JPWO2015083194A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015551261
申请日：2013-12-02
申请人：株式会社飯塚鉄工所 , 国立大学法人東北大学
发明人：肇飯塚 , 肇飯塚 , 洋成川端 , 洋成川端 , 大見　忠弘 , 忠弘大見
IPC分类号： F04C25/02 , F04C18/16 , F04C29/00 , F04C29/02 , F04C29/04
CPC分类号： F04C18/16 , F04C25/02 , F04C29/0021 , F04C29/023 , F04C29/04 , F04C2240/807
摘要：高速化されるとともに長期間メインテナンスフリーで運転可能なスクリュー真空ポンプを提供する。回転シャフト(150)と中空部(113A)を画定する雄ロータ(110)の内壁面との間に、ステータ(130)に対して固定され、回転する回転シャフト(150)の流出口(154)を通じて中空部(113A)に供給されたオイルを、中空部(113A)内で複数の流通経路に分配して流すための複数のオイル流路(202、203)を画定する流路部材としてのサポート部材(200)を配置した。

10. 发明专利

JPWO2015044980A1 有機半導体素子及びそれを備えたＣＭＩＳ半導体装置有权
标题翻译：的有机半导体元件和CMIS半导体装置包括相同的
公开(公告)号：JPWO2015044980A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2014500586
申请日：2013-09-26
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：忠弘大見
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： H01L51/0512 , H01L51/105
摘要：本発明の課題の一つは、有機半導体素子のn型動作特性の改善を図ることにある。本発明の課題の中の別な課題は、ペンタセンのn型動作特性の改善を図り、ペンタセンを使用するp型動作電子素子と同等以上のn型動作特性を有する有機半導体素子並びにその素子を構成電子素子として備えたCMIS回路構成、特にCMOS回路構成を有する半導体装置を提供することである。本発明の課題解決手段の一つは、ソース電極部、ドレイン電極部、有機半導体の活性層領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極部、を備えた有機半導体素子に於いて、前記ソース電極部が多層構造を有し、前記活性層領域に接する最下層領域から最表層領域に亘って、前記活性層領域を構成する材料の仕事関数に近い仕事関数を有する材料で順に各層が構成されている有機半導体素子にある。
摘要翻译：本发明的一个目的是改善有机半导体器件的n型操作特性。在本发明的对象的另一个挑战，目的是提高并五苯的n型运行特性，所述有机半导体元件和具有p型操作电子设备等于或高于使用并五苯的n型操作特性的元件作为电子设备提供CMIS电路结构，尤其是提供一种具有CMOS电路构成的半导体器件。一个装置，用于解决本发明的问题，源电极部，漏电极部，所述有机半导体的活性层区域，栅极绝缘膜，栅电极部分，在有机半导体器件，其中所述源极电极部分是多层具有以下结构，从底部层区域与在最外表面层区域中的有源层区接触延伸，在具有功函数接近构成有源层区中的材料的功函数的材料的顺序有机半导体层被配置在元素。

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