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1. 发明专利

JP6846781B2 積層体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6846781B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2019521304
申请日：2018-05-31
申请人：国立大学法人大阪大学 , 兵庫県
发明人：大久保雄司 , 山村和也 , 石原健人 , 柴原正文 , 長谷朝博 , 本田幸司
IPC分类号： B32B27/30 , B32B25/02 , B29C65/02 , B32B25/08

2. 发明专利

JPWO2018221665A1 積層体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018221665A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018020991
申请日：2018-05-31
申请人：国立大学法人大阪大学 , 兵庫県
发明人：大久保雄司 , 山村和也 , 石原健人 , 柴原正文 , 長谷朝博 , 本田幸司
IPC分类号： B32B27/30 , B32B25/02 , B29C65/02 , B32B25/08
摘要：ポリマー層とゴム層との接着性を更に向上させて、PTFE等のポリマー層とゴムとの積層体を提供することを目的とする。本発明は、フッ素含有高分子化合物層と、ゴム組成物から形成されるゴム層が積層される積層体であって、前記フッ素含有高分子化合物が、ヘキサフルオロプロピレン単位、パーフルオロアルキルビニルエーテル単位、メチレン単位、エチレン単位及びパーフルオロジオキソール単位の少なくとも1種とジフルオロメチレン単位との共重合体、又はポリテトラフルオロエチレンであり、前記ゴム層がSiO 2 を含むことを特徴とする積層体である。

3. 发明专利

JP6715461B2 表面改質成型体の製造方法、及び該表面改質成型体を用いた複合体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6715461B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2015175199
申请日：2015-09-04
申请人：国立大学法人大阪大学 , 兵庫県
发明人：大久保雄司 , 山村和也 , 石原健人 , 柴原正文 , 長谷朝博 , 本田幸司
IPC分类号： C08J5/12 , C08J7/043 , B29C65/00 , C08J7/00

4. 发明专利

JP2016056363A 表面改質成型体の製造方法、及び該表面改質成型体を用いた複合体の製造方法审中-公开
标题翻译：表面改性的模制体的生产方法，以及使用表面改性的模制体的复合体的生产方法
公开(公告)号：JP2016056363A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015175199
申请日：2015-09-04
申请人：国立大学法人大阪大学 , 兵庫県
发明人：大久保雄司 , 山村和也 , 石原健人 , 柴原正文 , 長谷朝博 , 本田幸司
IPC分类号： C08J5/12 , C08J7/04 , B29C65/00 , C08J7/00
CPC分类号： B32B27/30 , C08J5/12 , C08J7/00
摘要：【課題】例えばフッ素樹脂などのように接着性の低い有機高分子化合物を含む成型体を被着体と接合する際に、成型体の表層の強度を向上させ、接着剤を用いることなく接合可能で、しかも、大気圧プラズマ処理において処理工程や装置が複雑になることのない表面改質成型体の製造方法、及び該表面改質成型体と被着体の複合体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、有機高分子化合物を含む成型体の表面温度を(前記有機高分子化合物の融点−120)℃以上にして、該成型体の表面に大気圧プラズマ処理を行い、過酸化物ラジカルを導入することを特徴とする表面改質成型体の製造方法である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种表面改性成型体的制造方法，其中成型体的表面层的强度随之增强，成型体可以在不使用任何粘合剂接合成型体的情况下与被粘物接合包括对被粘物等氟树脂具有低粘合性的有机高分子化合物，并且在大气压等离子体处理中既不处理工艺也不会使装置变得复杂，并且提供表面改性成型体的复合体的制造方法和被粘物。解决方案：在表面改性成型体的制造方法中，通过将包含有机高分子化合物的成型体的表面温度提高到（熔点有机高分子化合物）〜120℃以上，在成型体的表面进行大气压等离子体处理。选择图：无

5. 发明专利

JP5849308B2 表面改質フッ素樹脂フィルムの製造方法及び表面改質フッ素樹脂フィルム有权
标题翻译：表面改性氟树脂膜的制备和表面改性的含氟树脂膜
公开(公告)号：JP5849308B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2011189785
申请日：2011-08-31
申请人：住友ゴム工業株式会社 , 兵庫県
发明人：中野宏昭 , 八尾英治 , 柴原正文 , 本田幸司 , 長谷朝博
IPC分类号： C08J7/16 , B32B27/00 , B32B27/30 , A61J1/05

6. 发明专利

JP2015225916A 有機半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：有机半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015225916A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014109019
申请日：2014-05-27
申请人：神戸天然物化学株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 兵庫県
发明人：本間清史 , 古山浩也 , 古田圭吾 , 濱崎智浩 , 物部浩達 , 吉岡秀樹 , 石原マリ , 平瀬龍二 , 本田幸司
IPC分类号： H01L51/05 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/40
摘要：【課題】絶縁基板上に高分子有機半導体材料の層を塗布して形成される有機半導体デバイスにおいて高い半導体性能を効率的に発現することができる製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に高分子有機半導体材料(例えばポリチオフェン類)の層を塗布等することで形成される有機半導体デバイス(例えば有機薄膜トランジスタ)の製造方法であって、前記有機半導体デバイスを超臨界状態の二酸化炭素中に浸漬させて有機半導体材料層の結晶性を向上することを特徴とする方法が開示される。この方法では、有機半導体デバイスの熱アニール処理は省略することができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过在绝缘基板上涂覆由高分子有机半导体材料形成的层而形成的有机半导体器件来制造高半导体性能的制造方法。解决方案公开了一种制造方法，有机半导体器件（例如，有机薄膜晶体管），其通过在绝缘基板上的高分子有机半导体材料（例如聚噻吩）形成的层的涂层等形成，其中有机半导体器件浸入二氧化碳处于超临界状态，以改善有机半导体材料层的结晶度。在该方法中，可以省略对有机半导体器件的热退火处理。

7. 发明专利

JP2015220243A 高分子有機半導体材料の精製方法审中-公开
标题翻译：精制有机半导体材料的方法
公开(公告)号：JP2015220243A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100316
申请日：2014-05-14
申请人：神戸天然物化学株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 兵庫県
发明人：本間清史 , 古山浩也 , 古田圭吾 , 濱崎智浩 , 物部浩達 , 吉岡秀樹 , 石原マリ , 平瀬龍二 , 本田幸司
IPC分类号： H01L51/05 , H01L29/786 , C08G61/12 , H01L51/40
CPC分类号： Y02P20/544
摘要：【課題】高分子有機半導体材料の分子量分布を効率的に狭帯域化することによって高分子有機半導体材料を大量に精製できる方法を提供する。【解決手段】高分子有機半導体材料を超臨界状態の二酸化炭素と高分子有機半導体材料を溶解する溶剤の混合物に接触させ、溶剤に溶解した成分を除去することにより分子量分布の狭帯域化を行なうことを特徴とする高分子有機半導体材料の精製方法が開示される。高分子有機半導体材料はポリチオフェン類、特にP3HTまたはF8T2が好ましく、溶剤はクロロホルムが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过有效地实现聚合物有机半导体材料的分子量分布的窄带来精炼大量聚合物有机半导体材料的方法。解决方案：公开了一种用于精炼聚合物有机半导体材料的方法将聚合物有机半导体材料与超临界状态的二氧化碳和能够溶解聚合物有机半导体材料的溶剂的混合物接触的半导体材料，溶解在溶剂中的组合物被除去，从而将窄带实现分子量分布。高分子有机半导体材料优选为聚噻吩，特别是P3HT或F8T2，溶剂优选为氯仿。

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