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1. 发明专利

JP2020189493A 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020189493A
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：JP2020130745
申请日：2020-07-31
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：鈴木秀樹 , 篠塚信裕 , 松尾利香 , 池野順一
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/00 , H01L21/304 , B28D5/00
摘要：【課題】単結晶基板からそれよりも小さい寸法の単結晶基板を得ることを可能にする内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を、加工対象単結晶基板10の被照射面20t上に非接触に配置する第1工程と、レーザ集光手段により加工対象単結晶基板10内部にレーザ光を集光しつつ、レーザ光の集光位置を加工対象単結晶基板10のくり抜き対象部24の周囲方向に変化させることで、破断強度が低下した加工層21をくり抜き対象部24の周囲に形成する第2工程と、を備える。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6779486B2 基板加工方法および基板加工装置有权
公开(公告)号：JP6779486B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2016215244
申请日：2016-11-02
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/046 , H01L21/304 , B23K26/53

3. 发明专利

JP2016201575A 単結晶基板製造方法有权
标题翻译：单晶衬底的制造方法
公开(公告)号：JP2016201575A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2016168513
申请日：2016-08-30
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 鈴木秀樹 , 松尾利香
IPC分类号： B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：【課題】比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】単結晶基板製造方法は、単結晶部材10上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、レーザ集光手段により、単結晶部材表面にレーザ光Bを照射して単結晶部材内部にレーザ光Bを集光するとともに、レーザ集光手段の外周部に入射した光をレーザ集光手段の内周部に入射した光よりもレーザ集光手段側で集光させつつレーザ集光手段と単結晶部材10とを相対的に移動させることで、単結晶部材内部に、2次元状の薄厚改質層を形成する工程と、薄厚改質層により分断されてなる単結晶層を薄厚改質層との界面から剥離することで単結晶基板を形成する工程とを有する。【選択図】図2
摘要翻译：本发明公开的目的是提供相对较大的薄的单晶衬底能够容易地制造单晶衬底的制造方法。的单晶衬底的制造方法包括将所述激光聚焦装置中的单晶部分10的非接触的步骤，一个激光聚焦单元，单晶照射激光束B向构件的单晶表面而聚光的激光束B向内侧部件，所述激光聚焦装置会聚激光入射的外周部在所述内周部的激光聚焦装置侧从入射光到激光聚焦装置同时收集光通过相对地移动所述光学装置和所述单晶部件10，单晶部件的内部，形成了两维薄Atsuaratame电解质层，形成了单晶层由细Atsuaratame电解质层分离并且通过从与薄Atsuaratame电解质层的界面剥离形成的单晶衬底的工序。 .The

4. 发明专利

JP5946112B2 基板加工方法有权
标题翻译：基板处理方法
公开(公告)号：JP5946112B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2011027612
申请日：2011-02-10
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：池野順一 , 松尾利香 , 鈴木秀樹 , 国司洋介
IPC分类号： B23K26/40 , B23K26/38 , B28D5/00 , H01L21/683 , H01L21/304

5. 发明专利

JP2016043401A 基板加工方法及び基板有权
标题翻译：基板加工方法和基板
公开(公告)号：JP2016043401A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014171525
申请日：2014-08-26
申请人：信越ポリマー株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
发明人：鈴木秀樹 , 篠塚信裕 , 松尾利香 , 池野順一
IPC分类号： B23K26/00 , H01L21/304 , B23K26/53
摘要：【課題】加工時間を短縮するとともに安定した剥離を実現する。【解決手段】単結晶シリコン基板を加工する基板加工方法であって、基板10を支持して回転駆動する工程と、基板10の回転軸を基準として、回転軸からの距離に応じて基板10の表面20tを第1〜第4のブロック20 1〜4 に分割する工程と、第1〜第4のブロック20 1〜4 について、第1〜第4のレーザ照射部150 1〜4 にて第1〜第4のブロック20 1〜4 の表面20tに向けてレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光を集光して加工層21を形成する工程と、を含み、第1〜第4のレーザ照射部150 1〜4 は第1〜第4の回折光学素子160 1〜4 を含んでいる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：缩短处理时间并稳定地剥离。解决方案：处理单晶硅衬底的衬底处理方法包括：支撑和旋转驱动衬底10的工艺; 通过使用基板10的旋转轴作为基准，将基板10的表面20t分割为从第一20至第四20的块与旋转轴的距离; 以及通过在来自第一20至第四20的块的前150至第四个150的激光照射部分的激光束照射来自第一至第四20的块的表面20t形成处理层21的工艺，并且将基板10内的激光束聚光从前150个到第四个150的激光照射部分包括从第一个160到第四个160的衍射光学元件。选择的图：图1

6. 发明专利

JP2015119076A 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法审中-公开
标题翻译：内部加工层形成单晶构件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015119076A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013262306
申请日：2013-12-19
申请人：信越ポリマー株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
发明人：松尾利香 , 篠塚信裕 , 鈴木秀樹 , 池野順一 , 高澤章 , 三木直樹
IPC分类号： B23K26/53 , B28D5/00 , B23K26/066 , B23K26/08 , H01L21/304
摘要：【課題】剥離面の平坦性を確保しつつ加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を介して連続波のレーザ光Bをシリコンの単結晶部材10の被照射面20tから照射しつつ、単結晶部材10とレーザ集光手段とを相対的に移動させることで、内部加工層形成単結晶部材10は、単結晶部材10内部に形成された加工層21と、加工層21の両面側にそれぞれ隣接する非加工層22と、を有する。加工層21には、レーザ光Bの走査方向Sに沿って形成された変質部が、隣り合う変質部同士の距離が所定値以下となるように配列されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种内部处理层形成单晶构件，其能够缩短处理时间，同时确保剥离表面的平整度，并提供其制造方法。解决方案：通过移动单晶构件10和激光冷凝装置相对地，通过用于聚光激光的激光聚集装置用连续波的激光B照射单晶硅构件10的照射表面20t，内部处理层形成单晶构件10具有形成在单晶构件10和与处理层21的两侧相邻的未处理层22.在处理层21中，沿激光B的扫描方向形成的影响区域被布置成使得相邻影响的距离区域具有预定值或更小。

7. 发明专利

JP2020074468A 基板加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020074468A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2020016443
申请日：2020-02-03
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
发明人：鈴木秀樹 , 篠塚信裕 , 松尾利香 , 池野順一
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/067 , B23K26/00 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：【課題】SiC、サファイアなどの基板にレーザによって加工層を形成して剥離しようとすると、結晶方位に沿ってクラックが発生しやすく加工が困難であった。【解決手段】パルス照射のレーザ光源150からのレーザ光をレーザ集光部160によって基板10の表面に向けて照射してレーザ光を集光するレーザ集光ステップと、レーザ集光部160を基板10に対して位置決めをする位置決めステップとを含み、レーザ集光ステップは、レーザ光源150からのレーザ光を分岐させる回折光学素子170を用い、複数の分岐レーザ光について、隣接する分岐レーザ光の強度が異なるようにするレーザ光調整ステップを含み、分岐レーザ光において相対的に強度が高い分岐レーザ光により加工痕が連結するように加工層14を伸張させて基板10を加工するとともに、分岐レーザ光において相対的に強度が低い分岐レーザ光により加工層14の伸長を抑制する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019160915A 基板製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019160915A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018043006
申请日：2018-03-09
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社 , 信越化学工業株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 野口仁
IPC分类号： B23K26/53 , H01L21/304
摘要：【課題】薄厚の酸化マグネシウム単結晶基板を容易に得ることができる基板製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を、酸化マグネシウム単結晶基板20の被照射面上に非接触に配置する第1工程を行う。そして、所定照射条件で単結晶基板表面にレーザ光を照射して単結晶基板内部にレーザ光を集光しつつレーザ集光手段と単結晶基板20とを二次元状に相対的に移動させることにより加工痕列を並列に形成していく第2工程を行う。更に、所定照射条件で単結晶基板表面にレーザ光を照射して単結晶基板内部にレーザ光を集光しつつレーザ集光手段と単結晶基板20とを二次元状に相対的に移動させることにより、第2工程で照射したときの隣り合う照射ラインL1の間に新たに加工痕列を形成していくことで面状剥離を生じさせる第3工程を行う。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2019069870A 基板製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019069870A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017196005
申请日：2017-10-06
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社 , 信越化学工業株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 野口仁
IPC分类号： B23K26/53 , C30B33/00 , C30B29/16
摘要：【課題】薄厚の酸化マグネシウム単結晶基板を容易に得ることができる基板製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を、酸化マグネシウム単結晶基板20の被照射面上に非接触に配置する第1工程を行う。そして、酸化マグネシウム単結晶基板20の被照射面側から面状剥離を生じさせる第2工程を行う。この第2工程では、所定照射条件で単結晶基板20の表面にレーザ光Bを照射して単結晶基板20内部にレーザ光Bを集光しつつレーザ集光手段14と単結晶基板20とを二次元状に相対的に移動させることにより、熱加工による加工痕Kを単結晶部材内部に一列に形成してなる加工痕列LKを並列に形成していく。その際、加工痕K同士で重なりが生じている重なり列部DKを加工痕列LKの少なくとも一部に形成することで被照射面20r側から面状剥離を生じさせる。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2018183801A 基板製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018183801A
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017087194
申请日：2017-04-26
申请人：国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社 , 信越化学工業株式会社
发明人：池野順一 , 山田洋平 , 鈴木秀樹 , 野口仁
IPC分类号： B23K26/00 , B28D5/00 , H01L21/304 , B23K26/08 , B23K26/53
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/0006 , B32B43/006 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02414 , H01L21/02527
摘要：【課題】格子欠陥が少ない薄厚の酸化マグネシウム単結晶基板を容易に得ることができる基板製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を、酸化マグネシウム単結晶基板20の被照射面20r上に非接触に配置する第1工程と、レーザ集光手段を用い、所定の照射条件で、酸化マグネシウム単結晶基板20の表面にレーザ光を照射して単結晶部材内部にレーザ光を集光しつつレーザ集光手段と酸化マグネシウム単結晶基板20とを二次元状に相対的に移動させることにより、単結晶部材内部に加工痕を順次形成していくことで面状剥離を順次生じさせていく第2工程とを備える。【選択図】図2

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