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1. 发明专利

JPWO2018088559A1 成長促進水溶液とその製造装置並びに農作物および魚類の生産方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018088559A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2017040804
申请日：2017-11-13
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 株式会社片桐エンジニアリング , NU−Rei株式会社
发明人：橋爪博司 , 堀勝 , 石川健治 , 田中宏昌 , 秋山真一 , 水野正明 , 田昭治 , 山川晃司 , 中井義浩
IPC分类号： A01K61/10 , A01G7/04 , A01G31/00
摘要：【課題】プラズマを利用して農作物および魚類の成長を促進する成長促進水溶液とその製造装置並びに農作物および魚類の生産方法を提供することである。【解決手段】この農作物または魚類の生産方法は、L−乳酸ナトリウムと、塩化ナトリウムと、塩化カリウムと、塩化カルシウムと、を含有する原料水溶液を準備する水溶液準備工程と、原料水溶液にプラズマを照射して成長促進水溶液とする成長促進水溶液製造工程と、成長促進水溶液を農作物または魚類を育成する育成水に混入する育成工程と、を有する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018066041A cBN形成体およびcBN膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018066041A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016205202
申请日：2016-10-19
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 株式会社片桐エンジニアリング , 公益財団法人名古屋産業振興公社
发明人：堀勝 , 田昭治 , 山川晃司 , 山本博之 , 高島成剛 , 野々山芳明
IPC分类号： C23C16/50 , B32B9/00 , B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , C23C16/38
CPC分类号： B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , B32B9/00 , C23C16/38 , C23C16/50
摘要：【課題】基材とcBN膜との間の密着性の高いcBN膜を高効率に成膜するcBN膜の製造方法およびcBN形成体を提供することである。【解決手段】 cBN膜の製造方法は、基板110の上にホウ素層130を形成するホウ素層形成工程と、ホウ素層130の上にホウ素原子と窒素原子とを含有する混合層140を形成する混合層形成工程と、混合層140の上にcBN膜150を形成するcBN膜形成工程と、を有する。ホウ素層形成工程および混合層形成工程およびcBN膜形成工程では、プラズマを発生させた状態で成膜を行う。混合層形成工程では、ホウ素原子を含むガスと窒素ガスと希ガスとを基板110に供給する。そして、窒素ガスの流量と希ガスの流量との合計の流量を一定としつつ窒素ガスの流量を増加させ、基板110から遠ざかるほど窒素原子の割合の多い混合層140を形成する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015062255A 分子線エピタキシー装置有权
标题翻译：分子束外观设备
公开(公告)号：JP2015062255A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014252892
申请日：2014-12-15
申请人：国立大学法人名古屋大学 , NUエコ・エンジニアリング株式会社 , 株式会社片桐エンジニアリング
发明人：堀勝 , 天野浩 , 加納浩之 , 田昭治 , 山川晃司
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , H01L21/203
摘要：【課題】ラジカル源によるラジカルの照射によって成膜するMBE装置において、成膜速度を向上させること。【解決手段】MBE装置は、真空容器1と、真空容器1の内部に設けられ、基板3を保持し、基板3の回転、加熱が可能な基板ステージ2と、基板3表面に分子線(原子線)を照射する分子線セル4A〜Cと、基板3表面に窒素ラジカルを供給するラジカル源5と、を備えている。ラジカル源5は、SUSからなる供給管10と、供給管10に接続するプラズマ生成管11を有している。プラズマ生成管11の外側には、円筒形のCCP電極13が配置されていて、CCP電極13よりも下流側には、プラズマ生成管11の外周に沿って巻かれたコイル12を有している。供給管10とプラズマ生成管11との接続部における供給管10の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管15が挿入されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高通过使用自由基源的自由基进行辐射沉积的MBE装置中的沉积速率。解决方案：MBE装置包括真空容器1，设置在真空容器1中的基板台2，用于保持基板3，以便能够旋转和加热基板3，用于用分子束（原子束）照射基板3的表面的分子束单元4A至4C以及用于向表面供应氮自由基的自由基源5 自由基源5具有包括SUS的进料管10和连接到进料管10的等离子体产生管11.在等离子体产生管11的外侧设有圆柱形的CCP电极13，线圈12 在CCP电极13的下游侧设置有沿等离子体发生管11的外周的卷绕。包含陶瓷的寄生等离子体防止管15插入到供给管10的开口内进料管10与等离子体产生管11的连接部分。

4. 发明专利

JP5984536B2 プラズマCVD装置及びカーボンナノチューブの製造方法有权
标题翻译：制造的等离子体CVD装置和碳纳米管的方法
公开(公告)号：JP5984536B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2012150910
申请日：2012-07-04
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 株式会社片桐エンジニアリング
发明人：片山幸久 , 堀勝 , 近藤博基 , 加納浩之 , 田昭治 , 山川晃司
IPC分类号： H05H1/46 , B82Y40/00 , C23C16/509 , C23C16/26 , C23C16/02 , C01B31/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/45565 , C23C16/509

5. 发明专利

JP5938809B2 分子線エピタキシー装置有权
标题翻译：分子束外延系统
公开(公告)号：JP5938809B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2014252892
申请日：2014-12-15
申请人：国立大学法人名古屋大学 , NUエコ・エンジニアリング株式会社 , 株式会社片桐エンジニアリング
发明人：堀勝 , 天野浩 , 加納浩之 , 田昭治 , 山川晃司
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , H01L21/203

6. 发明专利

JP5896384B2 ラジカル源有权
标题翻译：自由基源
公开(公告)号：JP5896384B2
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：JP2014246970
申请日：2014-12-05
申请人：国立大学法人名古屋大学 , NUエコ・エンジニアリング株式会社 , 株式会社片桐エンジニアリング
发明人：堀勝 , 加納浩之 , 田昭治 , 山川晃司
IPC分类号： H05H3/02 , H05H1/46

7. 发明专利

JP2015109280A ラジカル源有权
标题翻译：辐射源
公开(公告)号：JP2015109280A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2014246970
申请日：2014-12-05
申请人：国立大学法人名古屋大学 , NUエコ・エンジニアリング株式会社 , 株式会社片桐エンジニアリング
发明人：堀勝 , 加納浩之 , 田昭治 , 山川晃司
IPC分类号： H05H3/02 , H01L21/203 , H05H1/46
摘要：【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源の提供。【解決手段】ラジカル源は、SUSからなる気体供給管10と、気体供給管10に接続する熱分解窒化ホウ素(PBN)からなる円筒状のプラズマ生成管11を有している。プラズマ生成管11の外側には、円筒形のCCP(容量結合プラズマ)電極13が配置されていて、CCP電極13よりも下流側には、プラズマ生成管11の外周に沿って巻かれたコイル12を有している。CCP電極13の中空部には複数の永久磁石14が配設され、複数の永久磁石14によるカスプ磁場によりプラズマ生成管11の中心部にCCPを偏在させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够产生高密度自由基的自由基源。解决方案：自由基源包括包含SUS的气体供应管10和连接到气体供应管10的圆柱形等离子体产生管11，并且包括热解氮化硼（PBN）。自由基源具有布置在等离子体产生管11的外侧的圆柱形CCP电极（电容耦合等离子体）13，以及沿着等离子体产生管11的外周缠绕在CCP电极的下游侧的线圈12 多个永磁体14安装在CCP电极13的中空部分中，并且CCP由等离子体发生管11的中心部分由永磁体14引起的尖点磁场不均匀地分布。

8. 发明专利

JP2020132968A cBN膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020132968A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019029844
申请日：2019-02-21
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社片桐エンジニアリング , 公益財団法人名古屋産業振興公社 , 株式会社イワタツール
发明人：石川健治 , 堀勝 , 山川晃司 , 山本博之 , 田昭治 , 岩田昌尚 , 高島成剛
IPC分类号： B23B27/20 , B23B27/14 , B23C5/16 , B23B51/00 , C23C16/38
摘要：【課題】基材とcBN膜との間の十分な密着性と高い硬度と厚い膜厚とを備えるcBN膜の製造方法を提供することである。【解決手段】 cBN膜の製造方法は、ホウ素層形成工程と、混合層形成工程と、cBN膜形成工程と、を有する。ホウ素層形成工程および混合層形成工程およびcBN膜形成工程では、プラズマを発生させた状態で成膜を行う。混合層形成工程では、ホウ素原子を含むガスと窒素ガスと希ガスとを基板110に供給する。そして、窒素ガスの流量と希ガスの流量との合計の流量を一定としつつ窒素ガスの流量を増加させ、基板110から遠ざかるほど窒素原子の割合の多い混合層140を形成する。cBN膜形成工程は、基板110の温度を上昇させながらcBN膜を成膜する温度上昇期間を有する。【選択図】図4

9. 发明专利

JP6746118B2 cBN膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6746118B2
公开(公告)日：2020-08-26
申请号：JP2016205202
申请日：2016-10-19
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社片桐エンジニアリング , 公益財団法人名古屋産業振興公社
发明人：堀勝 , 田昭治 , 山川晃司 , 山本博之 , 高島成剛 , 野々山芳明
IPC分类号： C23C16/50 , B32B9/00 , B23B27/14 , B23B51/00 , B23C5/16 , C23C16/38

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