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2. 发明专利

JP6168978B2 窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6168978B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013254403
申请日：2013-12-09
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：梅野和行 , 大友晋哉 , 高木啓史 , 石井宏辰
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/872

3. 发明专利

JP2015198175A 窒化物半導体装置审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP2015198175A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075790
申请日：2014-04-01
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：田村亮祐 , 梅野和行 , 賀屋秀介 , 高木啓史
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/2003
摘要：【課題】窒化物半導体装置における順方向サージ耐量を向上させること。【解決手段】基板11およびバッファ層12と、バッファ層12の上層に設けられた窒化物半導体からなる電子走行層13、および電子走行層13の上層に設けられるとともに電子走行層13よりも平均的にバンドギャップが広い窒化物半導体からなる電子供給層14を含む半導体積層体と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられるアノード電極17Aと、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上にアノード電極17Aと離間して設けられるカソード電極17Cと、を備え、アノード電極17Aとカソード電極17Cとの間に順方向に電圧が印加された状態で、電子走行層13と電子供給層14との界面に生じる2次元電子ガスの生成領域以外の領域に、順方向電流が流れるための電流経路を設ける。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高氮化物半导体器件中的正向浪涌抗扰度。解决方案：氮化物半导体器件包括：半导体层叠体，其包括衬底11和缓冲层12，电子转移层13，其设置在上层的缓冲层12，其平均比电子转移层13的带隙宽的氮化物半导体构成; 设置在构成半导体层叠体的半导体层的至少一些层上的阳极电极17A; 以及设置在半导体层的至少一些层上的阴极电极17C，其构成半导体层叠体并且距离阳极电极17A一定距离。在正向电流通过的电流路径被提供在除了在电子传输层13和电子供给层14之间的界面处产生的二维电子气的产生区域之外的区域中，阳极17A和阴极17C。

4. 发明专利

JP2021112083A バスバー、回転電機システム、およびバスバーの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021112083A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020004066
申请日：2020-01-15
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：梅野和行 , 高木啓史 , 松永啓伍 , 繁松孝
IPC分类号： H02G5/02 , H02K15/04 , H02K3/04
摘要：【課題】例えば、渦電流による電力損失を抑制することができるとともに、製造の手間やコストを抑制することが可能なバスバー、回転電機システム、およびバスバーの製造方法を得る。【解決手段】バスバーには、長手方向に延びたスリットが設けられる。回転電機システムは、回転電機と、当該回転電機を駆動する駆動回路と、回転電機の第一端子と駆動回路の第二端子との間を電気的に接続し、長手方向に延びたスリットが設けられたバスバーと、を備える。また、バスバーの製造方法は、バスバーを準備する第一工程と、第一工程で準備された前記バスバーにレーザ光を照射することにより長手方向に延びたスリットを設ける第二工程と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015115366A 窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ有权
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法以及二极管和场效应晶体管
公开(公告)号：JP2015115366A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013254403
申请日：2013-12-09
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：梅野和行 , 大友晋哉 , 高木啓史 , 石井宏辰
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/47
摘要：【課題】電子走行層における2次元電子ガスにおいて高いキャリア密度を維持しつつ、電子の移動度を増加させて素子抵抗を低減すること。【解決手段】基体11と、GaNからなる電子走行層12、およびAlを含む窒化物半導体層13−1〜13−nを少なくとも2層積層した構造を有するとともに電子走行層12よりも平均的にバンドギャップが広く平均Al組成比Xの電子供給層13を有する半導体積層体と、半導体積層体を構成する層の少なくとも一部の層上に設けられる第1電極、および第2電極とを備え、電子供給層13が、平均Al組成比Xよりも高い極大Al組成比x1の第1窒化物層と平均Al組成比Xよりも低い極小Al組成比x2の第2窒化物層とを交互に少なくとも1回積層し、極大Al組成比x1が平均Al組成比Xに対して0.03以上0.3未満の範囲内で高い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过增加电子的迁移率来降低元件电阻，同时保持电子传输层中的二维电子气中的高载流子密度。解决方案：氮化物半导体器件包括：半导体层叠体，其结构如基底11，由GaN构成的电子转移层12和包含Al的至少两层氮化物半导体层13-1至13-n层叠，并且具有平均Al组成比X的电子供给层13，其具有带隙平均宽于电子传输层12的带隙; 设置在形成半导体层叠体的层的至少一部分上的第一电极和第二电极。在电子供给层13中，具有比Al平均化合物比X高的最大Al组成比X1和比Al平均化合物比X低的Al组成比X2的第二氮化物层的第一氮化物层交替层叠在至少一次，并且最大Al组成比X1高于平均Al组分X在0.03-0.3的范围内。

7. 发明专利

JP5839852B2 垂直型発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：垂直发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5839852B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2011141074
申请日：2011-06-24
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：鈴木理仁 , 高木啓史 , 今井英 , 川北泰雅
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S2301/02 , H01S2301/166 , H01S5/18311 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369

8. 发明专利

JP2015173181A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015173181A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014048117
申请日：2014-03-11
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：賀屋秀介 , 田村亮祐 , 石井宏辰 , 高木啓史
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/095 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H02M1/00 , H01L21/8234
摘要：【課題】高温環境下における特性の低下が抑制された半導体装置を提供すること。【解決手段】ノーマリーオン型の電界効果トランジスタである第1トランジスタと、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタである第2トランジスタと、を備え、前記第1トランジスタのソース電極と前記第2トランジスタのドレイン電極とが電気的に接続し、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2トランジスタのソース電極とが電気的に接続し、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2トランジスタのソース電極との間に設けられ、前記第1トランジスタのゲート電極の電位が前記第2トランジスタのソース電極の電位よりも高くなるように値が設定された第1電圧が入力される電圧入力部をさらに備える半導体装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中在高温环境下的特性劣化被抑制的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：第一晶体管，其是常开场效应晶体管; 以及第二晶体管，其是第一晶体管的源电极和第二晶体管的漏电极电连接的常关场效应晶体管，第一晶体管的栅电极和第二晶体管的源电极为电连接。半导体器件还包括电压输入部分，其设置在第一晶体管的栅电极和第二晶体管的源电极之间，并且第一电压被设置为使第一晶体管的栅极电位成为一个值高于第二晶体管的源极的电位被输入。

9. 发明专利

JP2015153884A 窒化物半導体装置の製造方法および窒化物半導体装置ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件制造方法，氮化物半导体器件，二极管和场效应晶体管
公开(公告)号：JP2015153884A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014025841
申请日：2014-02-13
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：古川拓也 , 梅野和行 , 高木啓史 , 大友晋哉
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/41 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/15 , H01L21/329
摘要：【課題】窒化物半導体装置における耐圧の低下を抑制し、製造歩留の向上を図ることができること。【解決手段】基体と、基体上の第1半導体層、第1半導体層よりも平均的にバンドギャップが広い第2半導体層、および第2半導体層の上層に選択的に設け第2半導体層よりも平均的にバンドギャップが狭い第3半導体層を含む半導体積層体と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられる第1電極と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に第1電極と離間して設けられる第2電極と、を備える窒化物半導体装置の製造方法において、第3半導体層をエッチング法により所定形状に形成する際のエッチング条件を、第3半導体層の設計膜厚に対して50nm以上300nm以下の値を加算した膜厚の第3半導体層をエッチングできる条件とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制耐压降低并提高制造成品率的氮化物半导体器件。解决方案：在氮化物半导体器件的制造方法中，包括：半导体层叠体，其包括基板，第一半导体具有比第一半导体层的带隙宽的第二半导体层和第三半导体层，该第二半导体层选择性地形成在第二半导体层的上层中，并且具有窄于第二半导体层的上层的带隙的第二半导体层平均; 设置在构成半导体层叠体的至少一些半导体层层上的第一电极; 以及设置在构成半导体层叠体的半导体层的至少一些层上的第二电极，通过蚀刻将第三半导体层形成为规定形状的蚀刻条件设定为能够蚀刻第三半导体层的条件，以具有通过对第三半导体层的设计膜厚度加上不小于50nm且不大于300nm的值获得的膜厚度。

10. 发明专利

JP2015079922A 窒化物半導体装置、ダイオード、および電界効果トランジスタ有权
标题翻译：氮化物半导体器件，二极管和场效应晶体管
公开(公告)号：JP2015079922A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013217855
申请日：2013-10-18
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：梅野和行 , 高木啓史 , 大友晋哉 , 李江
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/41
摘要：【課題】高耐圧化、電流コラプスの低減、およびリーク電流の低減をより一層向上させた窒化物半導体装置を得ること。【解決手段】基板11、バッファ層12、電子走行層13、電子供給層14上に、2次元電子ガス濃度制御層15、絶縁膜16、フィールドプレート部17a,17bを有するアノード電極17、およびカソード電極18を設ける。2次元電子ガス濃度制御層15により2DEG濃度を変調点P 1 ,P 2 を挟んで高濃度領域Aから低濃度領域aに変調させる。基板11の主面に沿って、変調点P 1 がアノード電極17の下方領域内にあって変調点P 1 とフィールドプレート部17bのカソード電極18側端部との間の電界強度を、変調点P 1 とフィールドプレート部17bのカソード電極18側端部との少なくとも一方での電界強度よりも小さくなるように構成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现实现高耐压的氮化物半导体器件，进一步减少电流崩溃并进一步降低漏电流。解决方案：氮化物半导体器件包括：衬底11; 缓冲层12; 电子传输层13; 以及设置有二维电子气体浓度控制层15，绝缘膜16，具有场板部分17a，17b和阴极18的阳极电极17的电子供应层14。 2DEG浓度由二维气体控制层15从高浓度区域A调制到低浓度区域a跨越调制点P，P。调制点沿着衬底的主表面和区域在阳极电极17的下方，将阴极电极18侧的调制点P与场板部17b的端部之间的场强设定得小于调制点P和场的末端中的至少一个的场强板部17b在阴极电极18侧。

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