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2. 发明专利

JP2020021830A コイル审中-公开
公开(公告)号：JP2020021830A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018144700
申请日：2018-08-01
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河AS株式会社
发明人：田村亮祐 , 武脇広和 , 羽田和慶
IPC分类号： H01F27/32 , H01F38/08
摘要：【課題】インダクタンスと温度仕様との間のトレードオフを改善し、小型なコイルを提供する。【解決手段】コイル10aは、巻線2と少なくとも1つの磁性体3a、3bとを備える。巻線2の内部の少なくとも一部には、空間Sが形成されており、磁性体3a、3bは、コイル10aによって形成される磁路の一部に配置されている。【選択図】図1

3. 发明专利

JPWO2016159149A1 電力変換装置およびその制御方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016159149A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017510145
申请日：2016-03-30
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河AS株式会社
发明人：杉本薫 , 田村亮祐 , 賀屋秀介 , 杉村竹三
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/155 , H02M1/32 , H02M3/06 , H02M3/156 , H03K17/0822 , H03K2017/6875
摘要：入力された電力の特性を変換して出力する電力変換装置であって、窒化物系半導体材料からなるノーマリオン型の第1スイッチング素子を有し、前記第1スイッチング素子がスイッチング動作することにより前記電力の特性の変換を行う電力変換部と、前記第1スイッチング素子のスイッチング動作を制御する動作制御部と、前記電力変換部の電力入力側に設けられ、前記電力変換部への電力の入力のオン/オフを行う第2スイッチング素子と、前記第2スイッチング素子に流れる電流を検知する電流検知部を有し前記第2スイッチング素子のオン/オフを制御するとともに前記電流検知部が検知した電流が閾値を超えた場合に該第2スイッチング素子をオフする保護制御部と、を備えるインテリジェントパワースイッチと、を備える。

4. 发明专利

JP2015198175A 窒化物半導体装置审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP2015198175A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075790
申请日：2014-04-01
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：田村亮祐 , 梅野和行 , 賀屋秀介 , 高木啓史
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/2003
摘要：【課題】窒化物半導体装置における順方向サージ耐量を向上させること。【解決手段】基板11およびバッファ層12と、バッファ層12の上層に設けられた窒化物半導体からなる電子走行層13、および電子走行層13の上層に設けられるとともに電子走行層13よりも平均的にバンドギャップが広い窒化物半導体からなる電子供給層14を含む半導体積層体と、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられるアノード電極17Aと、半導体積層体を構成する半導体層のうちの少なくとも一部の層の上にアノード電極17Aと離間して設けられるカソード電極17Cと、を備え、アノード電極17Aとカソード電極17Cとの間に順方向に電圧が印加された状態で、電子走行層13と電子供給層14との界面に生じる2次元電子ガスの生成領域以外の領域に、順方向電流が流れるための電流経路を設ける。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高氮化物半导体器件中的正向浪涌抗扰度。解决方案：氮化物半导体器件包括：半导体层叠体，其包括衬底11和缓冲层12，电子转移层13，其设置在上层的缓冲层12，其平均比电子转移层13的带隙宽的氮化物半导体构成; 设置在构成半导体层叠体的半导体层的至少一些层上的阳极电极17A; 以及设置在半导体层的至少一些层上的阴极电极17C，其构成半导体层叠体并且距离阳极电极17A一定距离。在正向电流通过的电流路径被提供在除了在电子传输层13和电子供给层14之间的界面处产生的二维电子气的产生区域之外的区域中，阳极17A和阴极17C。

5. 发明专利

JP2021022596A 筐体审中-公开
公开(公告)号：JP2021022596A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019136346
申请日：2019-07-24
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河AS株式会社
发明人：田村亮祐 , 島田守 , 賀屋秀介
IPC分类号： H01L23/40 , H05K7/20 , H01L23/34
摘要：【課題】筐体を介して耐熱性の高い発熱体から耐熱性の低い発熱体へ熱が伝達されるのを防止して耐熱性の低い発熱体が熱による影響を受けることを抑制することで、筐体に収納された発熱体間の間隔を狭小化でき、結果、装置のサイズを小型化できる筐体を提供する。【解決手段】複数の筐体部位11、21、31が組み合わされて形成された、複数の発熱体が内面に熱的に接続される筐体1であり、第1の発熱体101と熱的に接続される、第1の放熱フィン12を備えた第1の筐体部位11と、第2の発熱体102と熱的に接続される、第2の放熱フィン22を備えた第2の筐体部位21と、第1の筐体部位と第2の筐体部位との間に介装された断熱部材40と、を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015173181A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015173181A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014048117
申请日：2014-03-11
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：賀屋秀介 , 田村亮祐 , 石井宏辰 , 高木啓史
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/095 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H02M1/00 , H01L21/8234
摘要：【課題】高温環境下における特性の低下が抑制された半導体装置を提供すること。【解決手段】ノーマリーオン型の電界効果トランジスタである第1トランジスタと、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタである第2トランジスタと、を備え、前記第1トランジスタのソース電極と前記第2トランジスタのドレイン電極とが電気的に接続し、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2トランジスタのソース電極とが電気的に接続し、前記第1トランジスタのゲート電極と前記第2トランジスタのソース電極との間に設けられ、前記第1トランジスタのゲート電極の電位が前記第2トランジスタのソース電極の電位よりも高くなるように値が設定された第1電圧が入力される電圧入力部をさらに備える半導体装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中在高温环境下的特性劣化被抑制的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：第一晶体管，其是常开场效应晶体管; 以及第二晶体管，其是第一晶体管的源电极和第二晶体管的漏电极电连接的常关场效应晶体管，第一晶体管的栅电极和第二晶体管的源电极为电连接。半导体器件还包括电压输入部分，其设置在第一晶体管的栅电极和第二晶体管的源电极之间，并且第一电压被设置为使第一晶体管的栅极电位成为一个值高于第二晶体管的源极的电位被输入。

7. 发明专利

JP6698631B2 電力変換装置およびその制御方法有权
公开(公告)号：JP6698631B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2017510145
申请日：2016-03-30
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河AS株式会社
发明人：杉本薫 , 田村亮祐 , 賀屋秀介 , 杉村竹三
IPC分类号： H02M3/155

8. 发明专利

JPWO2018139565A1 インバータの起動時の制御方法および制御装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018139565A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018002385
申请日：2018-01-26
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河AS株式会社
发明人：奥寺暁大 , 杉村竹三 , 田村亮祐
IPC分类号： H02M3/28 , H02M7/48
摘要：電圧サージまたは電流サージを発生しない、ソフトスイッチングを用いたソフトスタートが可能となるインバータの制御方法および制御装置を提供する。インバータ(2)のソフトスイッチングを用いたソフトスタートのための制御方法であって、前記インバータ(2)は少なくとも2つの上下アームを備えたブリッジ回路である、制御方法において、電流通電に関し対となる上アームのスイッチング素子(Q1)と下アームのスイッチング素子(Q4)とに対するゲートパルス(G1,G4)の位相を相互にシフトさせることによって両ゲートパルスの重なり期間を形成し、前記シフトの大きさを変化させて、通電期間を特定する前記重なり期間を徐々に広げることによって、ソフトスイッチングを用いたソフトスタートを実現することを特徴とする制御方法によって解決される。

9. 发明专利

JP2019114573A コイル及びトランス审中-公开
公开(公告)号：JP2019114573A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017244312
申请日：2017-12-20
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河マグネットワイヤ株式会社
发明人：深井寛之 , 田村亮祐
IPC分类号： H01F27/00 , H01F17/04 , H01F27/32 , H01F5/06 , H01F27/28
摘要：【課題】低圧大電流側コイルとして用いることにより、高周波用高出力トランスの損失を低減することのできる低抵抗のコイル、及び、このコイルを備えた高周波用高出力トランスを提供する。【解決手段】複数の導体部を有する電線からなる低抵抗コイルであって、前記の全ての導体部が下記条件(1)及び(2)を満たす、低抵抗コイル。条件(1)互いに隣接する導体部間の距離が170〜540μmの範囲にあること。条件(2)前記の互いに隣接する導体部間の距離と前記の互いに隣接する導体部の各々の外径が、下記式(A)を満たすこと。式(A)互いに隣接する導体部間の距離/導体部の外径=0.21〜1.08 【選択図】図26

10. 发明专利

JP2018190980A 高周波用高出力トランス审中-公开
公开(公告)号：JP2018190980A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018088847
申请日：2018-05-02
申请人：古河電気工業株式会社 , 古河マグネットワイヤ株式会社
发明人：深井寛之 , 田村亮祐
IPC分类号： H01F41/12 , H01F30/10 , H01F27/28
摘要：【課題】低圧大電流側コイルに生じる抵抗を抑えて、損失が低減された高周波用高出力トランスを提供する。【解決手段】芯の、異なる外周面に巻回された電線を有してなる1次側コイル2及び2次側コイル3を備えた高周波用高出力トランスであって、1次側コイル及び2次側コイルのうち低圧大電流側コイル4Bが有する電線10B(リッツ線)が、導体部とこの導体部の外周を覆う絶縁層とを有し、導体部の外径と電線の外径とについて、外径差/2([電線の外径−導体部の外径]/2)が70〜260μmの範囲にあり、外径比(導体部の外径/電線の外径)が0.48〜0.84の範囲にある。【選択図】図5

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