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1. 发明专利

JP6871878B2 III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6871878B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2018006628
申请日：2018-01-18
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

2. 发明专利

JP2016132606A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：第III族氮化物半导体衬底及III族氮化物半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：JP2016132606A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015009545
申请日：2015-01-21
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：錦織豊 , 藤山泰治
IPC分类号： C30B33/08 , C30B29/38
摘要：【課題】ピットを有するIII族窒化物半導体層の上にIII族窒化物半導体結晶を成長させた場合、ピット上に、ピット外の露出面と異なる面から成長した結晶が存在する不都合を軽減する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶で構成されたIII族窒化物半導体層を有し、当該III族窒化物半導体層には、主面において開口しているピットが存在し、主面のピット以外の領域には+C面が露出し、ピットの内側面において、ピットの深さ方向の位置が互いに異なる複数の位置に+C面が露出しているIII族窒化物半導体基板。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了减少在具有凹坑的III族氮化物半导体层上生长III族氮化物半导体晶体时，在凹坑上存在从与凹坑外部的露出面不同的表面生长的晶体的问题。解决方案：在具有由III族氮化物半导体晶体构成的III族氮化物半导体层的III族氮化物半导体衬底中，在III族氮化物半导体层上存在在主表面上开放的凹坑，并且+ 区域，并且+ C面在凹坑内表面上在凹坑深度方向上具有各个不同位置的多个位置上露出。图1

3. 发明专利

JP2018113297A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP2018113297A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017001758
申请日：2017-01-10
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/02 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要：【課題】III族窒化物半導体基板上に、内部量子効率が高いデバイスを形成する。【解決手段】{10−10}面、又は、{10−10}面を所定の方向に所定角度傾斜した面を主面として有するサファイア基板を準備するサファイア基板準備工程S10と、窒化処理を行いながら、又は、窒化処理を行わずに、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、熱処理後のサファイア基板の主面の上に、バッファ層を形成するバッファ層形成工程S30と、バッファ層の上に、成長面が所定の面方位となっているIII族窒化物半導体層を形成する成長工程S40と、を有し、サファイア基板の主面の面方位、熱処理時の窒化処理の有無、及び、バッファ層形成工程における成長温度の中の少なくとも1つは、III族窒化物半導体層の成長面を所定の面方位になるよう調整されているIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018101694A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP2018101694A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016246908
申请日：2016-12-20
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
摘要：【課題】III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させる。【解決手段】サファイア基板を準備する基板準備工程S10と、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、サファイア基板上に金属含有ガスを供給する先流し工程S30と、サファイア基板上に、成長温度:800℃以上950℃以下、圧力:30torr以上200torr以下の成長条件で、バッファ層を形成するバッファ層形成工程S40と、バッファ層の上に、成長温度:800℃以上1025℃以下、圧力:30torr以上200torr以下、成長速度:10μm/h以上の成長条件で、III族窒化物半導体層を形成する成長工程S50と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2018100189A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP2018100189A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016245357
申请日：2016-12-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
摘要：【課題】サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための技術。【解決手段】半極性面を主面として有するサファイア基板と、当該主面上に位置するIII族窒化物半導体層と、を有し、当該主面に垂直な方向での平面視において、サファイア基板の方向と、III族窒化物半導体層の方向とは直交しないIII族窒化物半導体基板を準備する準備工程S10と、III族窒化物半導体層の上に、III族窒化物半導体をエピタキシャル成長する成長工程S20と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6306677B1 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6306677B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2016245357
申请日：2016-12-19
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
摘要：【課題】サファイア基板と、半極性面を露出面として有するIII族窒化物半導体層とが積層した基板の当該露出面上にIII族窒化物半導体を厚膜成長するための技術。【解決手段】半極性面を主面として有するサファイア基板と、当該主面上に位置するIII族窒化物半導体層と、を有し、当該主面に垂直な方向での平面視において、サファイア基板の方向と、III族窒化物半導体層の方向とは直交しないIII族窒化物半導体基板を準備する準備工程S10と、III族窒化物半導体層の上に、III族窒化物半導体をエピタキシャル成長する成長工程S20と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6266742B1 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6266742B1
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2016246908
申请日：2016-12-20
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
摘要：【課題】III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させる。【解決手段】サファイア基板を準備する基板準備工程S10と、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、サファイア基板上に金属含有ガスを供給する先流し工程S30と、サファイア基板上に、成長温度:800℃以上950℃以下、圧力:30torr以上200torr以下の成長条件で、バッファ層を形成するバッファ層形成工程S40と、バッファ層の上に、成長温度:800℃以上1025℃以下、圧力:30torr以上200torr以下、成長速度:10μm/h以上の成長条件で、III族窒化物半導体層を形成する成長工程S50と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【選択図】図3

8. 发明专利

JP6778579B2 III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6778579B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2016204197
申请日：2016-10-18
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

9. 发明专利

JP6663237B2 III族窒化物半導体基板及びIII族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6663237B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2016022090
申请日：2016-02-08
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：後藤裕輝 , 石原裕次郎 , 住田行常 , 藤山泰治 , 中川拓哉
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/38

10. 发明专利

JP2018100213A III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018100213A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017222472
申请日：2017-11-20
申请人：古河機械金属株式会社
发明人：住田行常 , 藤山泰治 , 後藤裕輝 , 中川拓哉 , 石原裕次郎
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】III族窒化物半導体基板上に形成されたデバイスの内部量子効率を向上させる。【解決手段】サファイア基板を準備する基板準備工程S10と、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、サファイア基板上に金属含有ガスを供給する先流し工程S30と、サファイア基板上に、成長温度:800℃以上950℃以下、圧力:30torr以上200torr以下の成長条件で、バッファ層を形成するバッファ層形成工程S40と、バッファ層の上に、成長温度:800℃以上1025℃以下、圧力:30torr以上200torr以下、成長速度:10μm/h以上の成長条件で、III族窒化物半導体層を形成する成長工程S50と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【選択図】図3

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