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1. 发明专利

JP2017130247A バイト消去動作を実行することができるメモリアレイ有权
公开(公告)号：JP2017130247A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016099180
申请日：2016-05-18
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人： ▲頼▼ 宗沐 , 陳志欣 , 王世辰 , 柏正豪
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
摘要：【課題】バイト消去動作を実行することができるメモリアレイを提供する。【解決手段】メモリアレイは複数のメモリページを含み、各メモリページは複数のメモリバイトを含み、各メモリバイトは複数のメモリセルを含み、各メモリセルは、フローティングゲートモジュールと、制御素子と、消去素子とを含む。同じ列のメモリバイトは同じ消去ラインに接続されるとともに、異なる列のメモリバイトは異なる消去ラインに接続される。したがって、メモリアレイはバイト動作をサポートすることができ、一方同じメモリバイトのメモリセルは同じウェルを共有することができる。メモリアレイの回路領域が削減されることができるとともに、メモリアレイの動作が更に柔軟になることができる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016194965A 電圧伝達デバイスを有するメモリユニット有权
标题翻译：具有电压传输装置的存储单元
公开(公告)号：JP2016194965A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2016051237
申请日：2016-03-15
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人：陳志欣 , 王世辰 , ▲頼▼ 宗沐
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/10
摘要：【課題】電圧伝達デバイスを有するメモリユニットを提供する。【解決手段】フローティングゲートトランジスタFGT1は、ビットライン信号を受け取るための第1の端子、第2の端子、及びフローティングゲートを有している。ワードライントランジスタWLT1は、フローティングゲートトランジスタの第2の端子に接続される第1の端子、第3の電圧GNDを受け取るように構成される第2の端子、及びワードライン信号を受け取るための制御端子を有している。第1の電圧伝達デバイス130は、禁止動作の間の第2の電圧、及びプログラム動作又は消去動作の間の第1の電圧を出力するためのものである。第1のキャパシタンス素子110は、第1の電圧伝達デバイス及びフローティングゲートに接続されるとともに、第1の制御信号CS1を受け取るためのものである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有电压传输装置的存储单元。解决方案：浮栅晶体管FGT1具有用于接收位线信号的第一端子，第二端子和浮置栅极。字线晶体管WLT1具有连接到浮置栅极晶体管的第二端子的第一端子，被配置为接收第三电压GND的第二端子和用于接收字线信号的控制端子。第一电压传输装置130用于在禁止操作期间输出第二电压和在编程操作或擦除操作期间输出第一电压。第一电容元件110连接到第一电压传输装置和浮动栅极，并用于接收第一控制信号CS1。图1

4. 发明专利

JP6855668B2 不揮発性メモリを伴うランダム符号発生器有权
公开(公告)号：JP6855668B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2019220574
申请日：2019-12-05
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人： ▲頼▼ 宗沐 , 林春甫 , 趙俊傑
IPC分类号： G11C11/16 , G11C13/00 , H04L9/10 , G06F7/58

5. 发明专利

JP2020113263A 不揮発性メモリを伴うランダム符号発生器审中-公开
公开(公告)号：JP2020113263A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019220574
申请日：2019-12-05
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人： ▲頼▼ 宗沐 , 林春甫 , 趙俊傑
IPC分类号： G11C11/16 , G11C13/00 , H04L9/10 , G06F7/58
摘要：【課題】ランダム符号発生器を提供する。【解決手段】ランダム符号発生器は、ディフェレンシャルセルアレイ、電源回路、第1の選択回路および電流判定回路を含む。電源回路は、登録信号およびフィードバック信号を受信する。第1の選択回路は、第1の選択信号を受信する。登録信号がアクティブ化され、第1のディフェレンシャルセルについて登録が実行されるとき、電源回路が、登録電圧を提供し、この登録電圧が、第1の選択回路を通して、第1のディフェレンシャルセルの第1の記憶素子および第2の記憶素子に送信される。この結果、セル電流が生成される。セル電流の大きさが、指定の電流値よりも高い場合、電流判定回路が、フィードバック信号をアクティブ化し、これにより、電源回路が、登録電圧の提供を停止する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP6208272B2 電圧伝達デバイスを有するメモリユニット有权
公开(公告)号：JP6208272B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2016051237
申请日：2016-03-15
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人：陳志欣 , 王世辰 , ▲頼▼ 宗沐
IPC分类号： G11C16/04
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/10

7. 发明专利

JP2017130646A 一つの共有されたディープドープ領域を備えたメモリアレイ有权
公开(公告)号：JP2017130646A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016226404
申请日：2016-11-22
申请人：力旺電子股▲ふん▼有限公司 , eMemory Technology Inc.
发明人： ▲頼▼ 宗沐 , 景文▲浩▼ , 柏正豪
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/02 , H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/0458 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C7/065 , G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/10 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/11517 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42328
摘要：【課題】メモリアレイの回路領域を小さくする。【解決手段】メモリアレイは、複数のメモリページを含み、各メモリページは、複数のメモリセルを含み、各メモリセルは、フローティングゲートモジュールと、制御エレメントと、消去エレメントと、を含む。そのフローティングゲートモジュールは、第一ウェル内に配置され、その消去エレメントは、第二ウェル内に配置され、その制御エレメントは、第三ウェル内に配置されている。その第一ウェル、その第二ウェル及びその第三ウェルは、ディープドープ領域内に配置されており、その複数のメモリページのメモリセルは全てそのディープドープ領域内に配置されている。このため、複数のディープドープ領域間のスペーシングルールはもはやメモリアレイの回路領域を制限するのに使用されず、メモリアレイの回路領域を小さくすることができる。【選択図】図2

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