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    • 6. 发明专利
    • 積層配線部材、半導体素子およびこれらの製造方法、並びに電子機器
    • 层压接线构件,半导体元件,制造方法和电子设备
    • JP2016103620A
    • 2016-06-02
    • JP2014257543
    • 2014-12-19
    • 出光興産株式会社
    • 栗原 直樹近藤 浩史
    • H01L21/336H01L29/786H01L29/84H01L29/417
    • 【課題】コンタクトホールが設けられた絶縁層を簡単な方法で形成することが可能な積層配線部材を提供すること。 【解決手段】本発明の積層配線部材1は、基材21および基材21上に形成された第1電極22を有する配線部材2と、導電性材料および撥液剤を含み、第1電極22上の所定領域内に2箇所以上形成され、第1電極22と導通する導電性凸部3と、樹脂組成物からなり、前記2箇所以上の導電性凸部3が形成された前記所定領域にコンタクトホール5が設けられた絶縁層4と、コンタクトホール5内で導電性凸部3および第1電極22と導通し、絶縁層4上に形成された第2電極6と、を備えるものである。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够以简单的方法形成具有接触孔的绝缘层的层叠布线构件。解决方案:层叠布线构件1包括:布线构件2,其包括基底材料21和第一电极22 形成在基材21上; 在第一电极22上的规定区域中的两个以上地形成导电性材料和拒液剂的导电性凸起3,并与第一电极22导电连接; 绝缘层4由树脂组合物构成,并且在两个或更多个地方形成导电突起3的规定区域中设置有接触孔5; 以及第二电极6,其导电地连接到接触孔5中的导电凸起3和第一电极22,并形成在绝缘层4上。选择的图示:图1
    • 7. 发明专利
    • 有機薄膜トランジスタ
    • 有机薄膜晶体管
    • JP2015109455A
    • 2015-06-11
    • JP2014264865
    • 2014-12-26
    • 出光興産株式会社
    • 中村 浩昭栗原 直樹近藤 浩史齊藤 雅俊中野 裕基
    • H01L51/05H01L51/30H01L21/28C07C15/54C07C15/58C07C15/60C07C15/62C07C22/08H01L29/786
    • C07C22/08C07C25/18C07C25/22C07D495/04H01L51/105H01L51/0541H01L51/0545
    • 【課題】応答速度(駆動速度)が高速で、しかもオン/オフ比が大きく,低電圧で駆動できる有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。 【解決手段】 基板上に少なくともゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層及びソース電極間並びに前記有機半導体層及びドレイン電極間にそれぞれ電荷注入層を有し、前記電荷注入層が下記式(1)で表される化合物を含む有機薄膜トランジスタ。 式中、Ar 1 は、下記式(2)で表される置換基である。Ar 2 は、置換基を有してもよい炭素数6〜60の2価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数2〜60の2価の芳香族複素環基である。Ar 3 は、下記式(3)で表される置換基である。nは、1〜20の整数である。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种具有高响应速度(驱动速度)和大的ON / OFF比率并且可以在低电压下驱动的有机薄膜晶体管; 并提供使用有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。解决方案:一种有机薄膜晶体管,其中栅电极,源电极和漏电极至少三个端子以及绝缘体层和有机薄膜晶体管 半导体层设置在基板上,并且通过向栅电极施加电压来控制源极 - 漏极电流,包括在有机半导体层和源极层之间的电荷注入层以及有机半导体层与源极之间的电荷注入层 漏电极,其中每个电荷注入层含有下式(1)表示的化合物。 在式(1)中,Aris表示为下式(2)的取代基,Ar表示可以具有取代基的6-60C二价芳香族烃或可具有取代基的2-60C二价芳香族杂环基,Aris取代基 表示为下式(3),n为1〜20的整数。