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    • 5. 发明专利
    • EL装置、および、EL装置の製造方法
    • EL器件,以及制造EL器件的方法
    • JP2015185574A
    • 2015-10-22
    • JP2014058232
    • 2014-03-20
    • 凸版印刷株式会社
    • 宮川 誠尾▲崎▼ 剛白嵜 友之松田 邦宏
    • H01L29/786H01L51/50H05B33/14G09F9/30H01L27/32G09F9/00G09G3/30G09G3/20H01L21/336
    • 【課題】制御欠陥の発生を抑えることの可能なEL装置、および、EL装置の製造方法を提供する。 【解決手段】前記薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、半導体層の有する1つの面に接続する2つの端子電極層であって、チャンネル長方向における前記ゲート電極層の端部と前記半導体層を挟んで対向する前記端子電極層と、を備える。前記1つの面において前記チャンネル長方向に沿った前記端子電極層間の距離がチャンネル長であり、前記チャンネル長方向に沿った前記ゲート電極層の長さがゲート電極長であり、前記ゲート電極長と前記チャンネル長との差がチャンネル長/ゲート電極長差であり、前記保持トランジスタT2のチャンネル長/ゲート電極長差は、前記駆動トランジスタT1のチャンネル長/ゲート電極長差よりも大きい。 【選択図】図15
    • 要解决的问题:提供一种能够抑制控制缺陷的产生的EL器件,并提供一种制造EL器件的方法。解决方案:薄膜晶体管包括:栅极电极层; 以及两个端子电极层,其与包括在半导体层中的一个表面连接,并且在插入半导体层的同时在沟道长度方向上与栅极电极层的端部相对。 在一个表面上,在沟道长度方向上的端子电极层之间的距离是沟道长度,栅极电极层在沟道长度方向上的长度是栅电极长度。 栅电极长度和沟道长度之间的差是沟道长度/栅电极长度差。 保持晶体管T2的沟道长度/栅电极长度差大于驱动晶体管T1的沟道长度/栅电极长度差。