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1. 发明专利

JP6825232B2 画像読取装置有权
公开(公告)号：JP6825232B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2016105642
申请日：2016-05-26
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：宮川誠 , 白嵜友之 , 森川徳子
IPC分类号： H01L27/146 , H04N1/028

2. 发明专利

JP6769113B2 画像読取装置有权
公开(公告)号：JP6769113B2
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：JP2016105638
申请日：2016-05-26
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：森川徳子 , 白嵜友之 , 宮川誠
IPC分类号： G06T1/00 , H01L27/146 , H04N1/028

3. 发明专利

JP2017195520A 画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017195520A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016084819
申请日：2016-04-20
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：森川徳子 , 白嵜友之 , 宮川誠
IPC分类号： H04N1/00 , H04N1/028 , H04N5/369 , H01L27/146 , H04N1/107
摘要：【課題】薄型接触式の画像読取装置であって、表示画面を有する情報処理端末と通信可能であり、スマートフォンやタブレット等の携帯端末と一体となって携行可能な画像読取装置を提供すること。【解決手段】画像読取装置101はスマートフォンケース212に内蔵されている。画像読取部202がシート状で、かつ、透過型のフォトセンサアレイからなる。画像読取部202と光源部203とは積層されており、光源部203は画像読取部202とスマートフォンケース212との間に配置されている。本実施形態のように、画像読取装置101がスマートフォンケース212に内蔵される場合、画像読取部202は、その読取面がスマートフォンを取り付ける面と対向する面に、スマートフォンケース212の外部に露出するように配置される。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2015167189A アクティブマトリックス基板审中-公开
标题翻译：主动矩阵基板
公开(公告)号：JP2015167189A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014041547
申请日：2014-03-04
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：宮川誠
IPC分类号： H05B33/02 , H01L51/50
摘要：【課題】有機EL素子自体の発光によるTFTの半導体層の劣化防止だけではなく、外光起因によるTFTの半導体層の劣化に対しても耐性のある有機EL表示素子に用いられるアクティブマトリックス基板を提供する。【解決手段】ガラス基板上にパターン状に形成された画素電極と、画素電極と対向するように設けられた、カソード電極との間に、2次元状に配列された発光画素部と画素毎にTFT(薄膜トランジスタ)19が設けられたアクティブマトリックス基板であって、前記TFT(薄膜トランジスタ)の上部、側部、下部を取り囲むように遮光体6a〜6f、及び15を設けたアクティブマトリックス基板。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在有机EL显示装置中使用的有源矩阵基板，其不仅防止了由于有机EL元件本身的发光而导致的TFT的半导体层的劣化，而且还具有耐半导体的劣化在有源矩阵基板中，将二维排列的发光像素部分和各像素的TFT（薄膜晶体管）19设置在形成为玻璃图案的像素电极之间衬底和设置成面对像素电极的阴极电极。遮光体6a-6f和15设置成围绕每个TFT（薄膜晶体管）的上部，侧部和下部。

5. 发明专利

JP2017212652A 画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017212652A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016105642
申请日：2016-05-26
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：宮川誠 , 白嵜友之 , 森川徳子
IPC分类号： G09G5/00 , H04N1/028
摘要：【課題】薄膜トランジスタを用いた接触型2次元イメージセンサシステムであり、センシングエリアの分割読込および初期化が可能な画像読取装置を提供すること。【解決手段】本実施形態では、6本の制御線502とTFTによる切り替え回路501を用いることで、データドライバ414に接続するセンサアレイエリアをAからFに逐次入力を切り替えることが可能になる。すなわち、制御線502−1〜502−6の各々は、エリアA〜Fに対応するそれぞれ異なる8つのTFTのゲートに並列接続されており、データドライバ414の8つの端子の各々は、エリアA〜Fに対応する6つのTFTのソースまたはドレインと接続されている。これにより、例えば制御線502−1を選択すると、データドライバ414の8つの端子をエリアAの8本のデータ線とのみ接続することができる。【選択図】図9

6. 发明专利

JP2017212651A 画像読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017212651A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016105638
申请日：2016-05-26
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：森川徳子 , 白嵜友之 , 宮川誠
IPC分类号： G06T1/00 , H01L27/146 , H04N1/028
摘要：【課題】薄膜トランジスタを用いた接触型2次元イメージセンサシステムにおいて、リセット回路をTFTで形成された画像読取装置を提供すること。【解決手段】本発明の第1の実施形態に係る画像読取装置の構成を示す。センサアレイエリア207形成と同時に形成するTFTにより構成するプリチャージ及びディスチャージ回路213は、データドライバ414とセンサアレイエリア207を挟んで対向する側に形成されている。センサアレイと共通の製造プロセスを用いたTFTによりリセット回路(プリチャージ、ディスチャージ等)を一体形成する事が出来るため、センサアレイエリアの仕様に合わせてリセット回路を内蔵したドライバLSIが不要になり、様々なセンサアレイエリア仕様の画像読取装置においてデータドライバの共通化が可能になる。【選択図】図10

7. 发明专利

JP2015185574A EL装置、および、EL装置の製造方法审中-公开
标题翻译： EL器件，以及制造EL器件的方法
公开(公告)号：JP2015185574A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014058232
申请日：2014-03-20
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：宮川誠 , 尾▲崎▼ 剛 , 白嵜友之 , 松田邦宏
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09F9/30 , H01L27/32 , G09F9/00 , G09G3/30 , G09G3/20 , H01L21/336
摘要：【課題】制御欠陥の発生を抑えることの可能なEL装置、および、EL装置の製造方法を提供する。【解決手段】前記薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、半導体層の有する1つの面に接続する2つの端子電極層であって、チャンネル長方向における前記ゲート電極層の端部と前記半導体層を挟んで対向する前記端子電極層と、を備える。前記1つの面において前記チャンネル長方向に沿った前記端子電極層間の距離がチャンネル長であり、前記チャンネル長方向に沿った前記ゲート電極層の長さがゲート電極長であり、前記ゲート電極長と前記チャンネル長との差がチャンネル長/ゲート電極長差であり、前記保持トランジスタT2のチャンネル長/ゲート電極長差は、前記駆動トランジスタT1のチャンネル長/ゲート電極長差よりも大きい。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制控制缺陷的产生的EL器件，并提供一种制造EL器件的方法。解决方案：薄膜晶体管包括：栅极电极层; 以及两个端子电极层，其与包括在半导体层中的一个表面连接，并且在插入半导体层的同时在沟道长度方向上与栅极电极层的端部相对。在一个表面上，在沟道长度方向上的端子电极层之间的距离是沟道长度，栅极电极层在沟道长度方向上的长度是栅电极长度。栅电极长度和沟道长度之间的差是沟道长度/栅电极长度差。保持晶体管T2的沟道长度/栅电极长度差大于驱动晶体管T1的沟道长度/栅电极长度差。

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