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    • 1. 发明专利
    • Piezoelectric substrate and surface acoustic wave element
    • 压电基板和表面声波元件
    • JP2014147054A
    • 2014-08-14
    • JP2013016174
    • 2013-01-30
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • TOSHIOKA HIDEAKISAITO HIROHISASHIMOJI KEIICHIRO
    • H03H9/25H01L41/18H01L41/22
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric substrate which has less deformation amount caused by a temperature change; and which can reduce a frequency-temperature coefficient and inhibit the occurrence of a spurious response when used for a surface acoustic wave element.SOLUTION: A piezoelectric substrate 1 comprises: a piezoelectric layer 2 for producing a piezoelectric effect; and a support layer 3 which is laminated on a rear face side of the piezoelectric layer 2 and has a linear expansion coefficient smaller than that of the piezoelectric layer, in which a ratio (T2/T1) of an average thickness T2 of the support layer 3 to an average thickness T1 of the piezoelectric layer is not less than 5 and less than 15. It is preferable that the average thickness T1 of the piezoelectric layer 2 is not less than 10 μm and not more than 50 μm, and the average thickness T2 of the support layer 3 is not less than 100 μm and not more than 500 μm. It is preferable that an arithmetic surface roughness (Ra) of a surface of the support layer is not less than 0.05 μm and not more than 1 μm. It is preferable that a chief component of the piezoelectric layer 2 is lithium tantalate or lithium niobate.
    • 要解决的问题:提供一种由温度变化引起的变形量较小的压电基板; 并且当用于表面声波元件时可以降低频率 - 温度系数并抑制寄生响应的发生。压电衬底1包括:用于产生压电效应的压电层2; 以及层叠在压电体层2的背面侧的支撑层3,其具有小于压电层的线膨胀系数的线膨胀系数,其中支撑层的平均厚度T2的比(T2 / T1) 3相对于压电体层的平均厚度T1为5以上且15以下。优选压电体层2的平均厚度T1为10μm以上50μm以下,平均厚度 支撑层3的T2不小于100μm且不大于500μm。 优选的是,支撑层的表面的运算表面粗糙度(Ra)不小于0.05μm且不大于1μm。 优选压电体层2的主要成分为钽酸锂或铌酸锂。
    • 2. 发明专利
    • 圧電基板及び弾性表面波素子
    • 压电基板和弹性表面波装置
    • JP2014229943A
    • 2014-12-08
    • JP2013105610
    • 2013-05-17
    • 住友電気工業株式会社Sumitomo Electric Ind Ltd
    • SAITO HIROHISATOSHIOKA HIDEAKISHIMOJI KEIICHIRO
    • H03H9/25
    • 【課題】温度変化による変形量が小さく、接着剤にせん断力の作用する加工を経ても圧電層と支持層との接着強度を高く維持することができる圧電基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の圧電基板は、圧電層と、この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層とを備え、上記接着剤層の硬化収縮率が5%以下である。上記接着剤層の150℃におけるヤング率が1GPa以下であるとよい。上記接着剤層の25℃における引張せん断接着強さが100kgf/cm2以上であるとよい。上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムであるとよい。上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンであるとよい。【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了提供由于温度变化而导致的变形量小的压电基板,并且布置成即使在已经去除之后也可以保持压电层和支撑层之间的高强度的接合 通过使剪切力作用于粘合剂的过程。解决方案:压电基板包括:压电层; 以及通过粘合剂层压在压电层的背面上并具有小于压电层的线膨胀系数的线性膨胀系数的支撑层。 粘合剂层的固化收缩率为5%以下。 粘合剂层在150℃下的杨氏模量可以为1GPa以下。 粘合剂层在25℃下的张力剪切粘合强度可以为100kgf / cm 2以上。 压电层可以包括钽酸锂或铌酸锂作为主要成分。 作为主要组分,载体层可以包括蓝宝石,氧化铝,氧化镁,尖晶石,莫来石或硅。
    • 3. 发明专利
    • 圧電基板及び弾性表面波素子
    • 压电基板和弹性表面波装置
    • JP2015005931A
    • 2015-01-08
    • JP2013131145
    • 2013-06-21
    • 住友電気工業株式会社Sumitomo Electric Ind Ltd
    • TOSHIOKA HIDEAKISAITO HIROHISASHIMOJI KEIICHIRO
    • H03H9/25
    • 【課題】温度変化による変形量が小さく、加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有する圧電基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の圧電基板は、圧電層と、この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層とを備え、上記接着剤層の25℃から150℃に加熱した時の質量減少率が1%以下である。上記接着剤層が主成分としてエポキシ樹脂を含有するとよい。上記接着剤層を構成する接着剤の25℃における粘度が50cP以上400cP以下であるとよい。上記圧電層及び支持層の接着直後の反りが200μm以下であるとよい。上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムであるとよい。上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンであるとよい。【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了提供由于温度变化导致的变形量小的压电基板,并且即使在经过了压电层和支撑层之后也能够具有高的压电层和支撑层之间的接合强度 涉及加热步骤的方法。本发明的压电基片包括:压电层; 以及通过粘合剂层压在压电层的背面上并且以线膨胀系数小于压电层的支撑层。 当从25℃加热至150℃时,粘合剂层的质量减少率为1%以下。 粘合剂层可以包括环氧树脂作为主要成分。 粘合剂层包括粘合剂。 粘合剂在25℃下的粘度优选为50-400cP。 在压电层和支撑层的粘合之后,压电层和支撑层的翘曲优选为200μm以下。 压电体层的主要成分优选为钽酸锂或铌酸锂。 支撑层的主要组分优选为蓝宝石,氧化铝,氧化镁,尖晶石,莫来石或硅。