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1. 发明专利

JP2021077787A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021077787A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019204195
申请日：2019-11-11
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：斎藤雄
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】オン抵抗および短絡電流の両方を低減することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1主面と、第1主面と反対側の第2主面とを有する炭化珪素基板を備える。炭化珪素基板は、第1導電型を有する電流拡散領域と、ゲートトレンチの底面と第2主面との間に設けられ、第2導電型を有する電界緩和領域を有する。電流拡散領域は、ゲートトレンチの側面に接し、第1実効濃度で第1導電型の不純物を含有する第1領域と、側面との間に第1領域を挟み、第2実効濃度で第1導電型の不純物を含有する第2領域と、を有し、第1実効濃度は、第2実効濃度よりも低い。第1主面に垂直な方向から平面視したときに、電界緩和領域は、電流拡散領域とボディ領域と側面とが互いに接する第1位置よりもゲートトレンチから離間する側に側端面を有し、第1領域と第2領域との境界面は、第1位置と側端面との間に位置する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6459894B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6459894B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2015204626
申请日：2015-10-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：田中聡 , 酒井光彦 , 斎藤雄 , 堀井拓 , 山本裕史
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L21/28

3. 发明专利

JP6183224B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6183224B2
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：JP2014005934
申请日：2014-01-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：平塚健二 , 斎藤雄
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L29/78

4. 发明专利

JP6019558B2 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法有权
标题翻译：族氮化物电子器件，制造氮化物电子器件的方法
公开(公告)号：JP6019558B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2011211456
申请日：2011-09-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：斎藤雄 , 岡田政也 , 木山誠 , 上野昌紀
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/306 , H01L21/337

5. 发明专利

JP2015191923A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015191923A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014066042
申请日：2014-03-27
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介 , 斎藤雄 , 増田健良
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/0865 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7827 , H01L29/045 , H01L29/1037 , H01L29/42376 , H01L29/7395 , H01L29/7397
摘要：【課題】電極とn型領域との接触抵抗を低減しつつ、電極とp型領域との接触抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10と、電極16とを備えている。炭化珪素基板10は、第1不純物領域12と、第2不純物領域13と、第3不純物領域14と、第4不純物領域18と、第3不純物領域14および第4不純物領域18に挟まれ、第3不純物領域14が含む第1導電型不純物の濃度よりも低く、かつ第4不純物領域18が含む第2導電型不純物の濃度よりも低い不純物濃度を有する中間不純物領域17を含む。電極16は、炭化珪素基板10の主面10aにおいて、第3不純物領域14および第4不純物領域18の双方に接する。電極16と接する第3不純物領域14における第1導電型不純物の濃度は、5×10 19 cm -3 以上である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够降低电极和p型区域之间的接触电阻同时降低电极和n型区域之间的接触电阻的碳化硅半导体器件及其制造方法。解决方案：碳化硅半导体器件1包括碳化硅衬底10和电极16.碳化硅衬底10包括第一杂质区12，第二杂质区13，第三杂质区14，第四杂质区18和中间体杂质区域17，其被第三杂质区域14和第四杂质区域夹在中间，并且具有其中第一导电类型杂质的浓度低于第三杂质区域14中所含的浓度的杂质浓度和第二导电类型的浓度杂质低于第四杂质区域18中所含的杂质。电极16接触第三杂质区域14和在碳化硅衬底10的主表面10a处的第四杂质区域18.接触电极16的第三杂质区域14中的第一导电类型杂质的浓度等于或高于5×10cm。

6. 发明专利

JP6816710B2 半導体積層体有权
公开(公告)号：JP6816710B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2017500396
申请日：2016-08-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：西口太郎 , 斎藤雄 , 山本裕史
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205

7. 发明专利

JP6265122B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6265122B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014528779
申请日：2014-02-04
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：内田光亮 , 増田健良 , 斎藤雄
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/049 , H01L21/045 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/513 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7827

8. 发明专利

JP2017011034A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2017011034A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015123062
申请日：2015-06-18
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：斎藤雄 , 築野孝 , 和田圭司 , 日吉透
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチの角部における電界集中を緩和し、かつアバランシェ降伏の発生を抑制可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10と、ゲート絶縁膜15とを有している。炭化珪素基板10は、1不純物領域12と、第2不純物領域13と、第3不純物領域14と、電界緩和領域2とを含む。炭化珪素基板10の第1主面10aには、側部SWと、底部BTとにより規定されたトレンチTRが形成されている。ゲート絶縁膜15は、底部BTにおいて第1不純物領域12と接し、かつ側部SWにおいて第1不純物領域12と、第2不純物領域13と、第3不純物領域14とに接する。第2主面10bに平行な方向における、電界緩和領域2の第3主面2a1の幅W1は、電界緩和領域2の第4主面2b1の幅W2よりも大きい。【選択図】図1
摘要翻译：甲以降低在沟槽的角部的电场集中，并提供一种可抑制碳化硅半导体器件的雪崩击穿的发生。一种碳化硅半导体器件1包括碳化硅衬底10和栅极绝缘膜15。碳化硅衬底10包括第一杂质区12和第二杂质区13和第三杂质区14，电场限制区2。碳化硅衬底10的第一主面10a和侧SW，定义沟槽TR由底部BT形成。栅极绝缘膜15与在底部BT第一杂质区12接触，并且在侧部SW，第二杂质区13中，与第三杂质区14接触的第一杂质区12。在平行于所述第二主表面10b的方向，电场弛豫区域2的第三主面2A1的宽度W1比第四主面2B1电场限制区2的宽度W2大。点域1

9. 发明专利

JP2016143788A 炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016143788A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015019208
申请日：2015-02-03
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：斎藤雄
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
摘要：【課題】接触抵抗の増加を抑制可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1主面10aと、第2主面10bとを有する炭化珪素基板10が準備される。炭化珪素基板10は、第1導電型を有する第1不純物領域12と、第1不純物領域12上に設けられ、第2導電型を有する第2不純物領域13と、第1不純物領域12から隔てられるように第2不純物領域13上に設けられ、第1主面10aを構成し、かつ第1導電型を有する第3不純物領域14とを含む。第1主面10aにおいて、第3不純物領域14を覆う保護層2が形成される。保護層2が第3不純物領域14を覆った状態で、炭化珪素基板10を熱酸化することにより、第2不純物領域13に接する酸化膜3が形成される。第3不純物領域14に接する電極16が形成される。保護層2および酸化膜3は、ゲート絶縁膜15を構成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制接触电阻增加的碳化硅半导体器件的制造方法。解决方案：制备具有第一主表面10a和第二主表面10b的碳化硅衬底10。碳化硅衬底10包括：具有第一导电类型的第一杂质区12; 布置在第一杂质区12上并具有第二导电类型的第二杂质区13; 以及与第一杂质区域12分离地布置在第二杂质区域13上的第三杂质区域14包括第一主表面10a，并且具有第一导电类型。在第一主表面10a中，形成覆盖第三杂质区域14的保护层2。在保护层2覆盖第三杂质区域14的状态下，通过热氧化碳化硅衬底10形成与第二杂质区域13接触的氧化膜3.形成连接到第三杂质区域14的电极16 。保护层2和氧化膜3构成栅极绝缘膜15.选择图：图1

10. 发明专利

JP2016012677A 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法和硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016012677A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2014133912
申请日：2014-06-30
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：斎藤雄 , 畑山智亮 , 増田健良
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
摘要：【課題】トレンチゲートの開口部上端の角部においてゲートリークが生じる可能性を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、トレンチTRの側壁部SWにおいて第1の主面11A側に位置する角部UTを覆う熱酸化膜を含む二酸化珪素膜(保護絶縁膜21を備える。製造方法は、保護絶縁膜21の一部を除去することにより、ソース領域14を露出させる開口部を保護絶縁膜21に形成する工程と、開口部を介して炭化珪素基板に対して化学エッチングを施すことにより、トレンチTRを形成する工程と、トレンチTRの少なくとも側壁部SWに保護絶縁膜21とつながる第2の二酸化珪素膜を形成する工程と、不活性ガス雰囲気において炭化珪素基板に熱処理を施すことにより、保護絶縁膜21を軟化させる工程とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件及其制造方法，其可以降低在沟槽栅极的开口的顶部边缘上的拐角处发生栅极泄漏的可能性。解决方案：硅碳化物半导体器件包括包含热氧化膜的二氧化硅膜（保护绝缘膜21），其覆盖位于沟槽TR的侧壁部SW上的第一主表面11A侧上的角部UT。碳化硅半导体器件制造方法包括：通过去除保护绝缘膜21的一部分形成用于暴露保护绝缘膜21中的源极区域14的开口的过程; 经由开口对碳化硅衬底进行化学蚀刻以形成沟槽TR的工艺; 形成第二二氧化硅膜的工艺，所述第二二氧化硅膜至少由沟槽TR的侧壁部分SW连接到保护绝缘膜21; 以及在惰性气体气氛中对碳化硅衬底进行热处理以使保护绝缘膜21软化的工序。

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