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1. 发明专利

JP2016147790A 炭化珪素単結晶の製造方法有权
标题翻译：碳化硅单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016147790A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015026537
申请日：2015-02-13
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 原田真 , 堀勉
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】異種ポリタイプの混入が抑制された炭化珪素単結晶を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は、坩堝内に原料粉体を流し込んで充填する際、原料粉体に部分的な偏りが生じることなく、発生する昇華ガスの面内組成が均一となるように、動性指数が70以上100以下の炭化珪素原料を坩堝に充填する工程(S01)と、該炭化珪素原料を加熱することにより、該炭化珪素原料を昇華させる工程(S02)と、を備え、これにより種結晶上に異種ポリタイプの混入が抑制された炭化珪素単結晶を析出成長させることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制异质聚合物污染的碳化硅单晶。解决方案：碳化硅单晶的制造方法包括：将具有流动性指数的碳化硅原料填充的工序（S01）为70以上且100以下的坩埚，使原料粉末通过使原料粉末流动而填充到坩埚内时，不产生原料粉末的偏移而产生升华气体的面内组成; 以及通过加热碳化硅原料使碳化硅原料升华的工序（S02）。该方法能够在种子晶体上沉积和生长碳化硅单晶，其中抑制了异质多型的污染。选择图：图1

2. 发明专利

JP2015129055A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2015129055A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014000156
申请日：2014-01-06
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 竹内栄治 , 堀勉 , 佐々木信 , 上田俊策
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】種結晶11を台座41の表面41aに強固に固定することができる。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は以下の工程を備えている。表面41aを有する台座41と、炭化珪素からなり、かつ第1の主面11aおよび第1の主面11aと反対側の第2の主面11bを有する種結晶11とが準備される。台座41の表面41aおよび種結晶11の第1の主面11aの間に接着剤31が配置される。接着剤31を硬化させることにより、種結晶11が台座41に固定される。台座41に固定された種結晶11の第2の主面11bに炭化珪素単結晶52が成長する。種結晶11の第1の主面11aの最大径は75mm以上である。接着剤を配置する工程において、接着剤31の質量を種結晶11の第1の主面11aの面積で除した値が5mg/cm 2 以上50mg/cm 2 以下となるように接着剤31が配置される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：将晶种11紧密地固定到基座41的表面41a上。解决方案：制造碳化硅单晶的方法包括以下步骤：制备具有表面41a的基座41和晶种 11，其由碳化硅制成，并且在与第一主表面11a相反的一侧具有第一主表面11a和第二主表面11b; 在基座41的表面41a和晶种11的第一主表面11a之间布置粘合剂31; 通过硬化粘合剂31将籽晶11固定到基座41上; 并在固定于台座41的晶种11的第二主表面11b上生长碳化硅单晶52.籽晶11的最大直径为75mm以上的第一主表面11a。在布置粘合剂的步骤中，粘合剂31被布置成使得通过将粘合剂31的质量除以晶种11的第一主表面11a的面积获得的值为5mg / cm 3以上且50mg / 不少于

3. 发明专利

JP2020172433A 炭化珪素単結晶基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020172433A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2020112619
申请日：2020-06-30
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：沖田恭子 , 櫻田隆 , 高須賀英良 , 上田俊策 , 佐々木将 , 梶直樹 , 三島英彦 , 江口寛航
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】歪みが低減された炭化珪素単結晶基板の提供。【解決手段】(0001)面が方向に傾斜した主面11を備え、主面11に対して垂直な方向から見て、[11−20]方向に検出器6を配置し、[−1−120]方向に対して±15°以内の方向から、主面11の中心を含む第1測定領域31に対してX線を照射して、第1測定領域31からの回折X線8を検出器6により測定した場合、バックグラウンド強度に対する、6.9〜11.7keVの範囲における回折X線8の第1強度プロファイルの最大強度の比率が、1500以上である、炭化珪素単結晶基板。【選択図】図3

4. 发明专利

JP6387895B2 炭化珪素単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6387895B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2015088543
申请日：2015-04-23
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：櫻田隆 , 川瀬智博 , 堀勉 , 佐々木将
IPC分类号： C30B29/36

5. 发明专利

JP2017007937A 炭化珪素単結晶基板および炭化珪素エピタキシャル基板审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶基板和碳化硅外延衬底
公开(公告)号：JP2017007937A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2016135066
申请日：2016-07-07
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：原田真 , 堀勉 , 佐々木将 , 岸田哲也
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/203 , C30B29/36
CPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , C23C16/42 , C23C16/44 , C30B23/06 , C30B29/36 , H01L21/205
摘要：【課題】酸素濃度の低い炭化珪素エピタキシャル層を形成した炭化珪素エピタキシャル基板の提供。【解決手段】直径が100mm以上であり、酸素濃度が1×1017cm-3以下であり、転位密度が2×104cm-2以下であり、積層欠陥の面積比率が2.0%以下である炭化珪素単結晶基板100を基板ホルダ160に保持し、チャンバ120内の露点を測定、監視しながら炭化珪素をエピタキシャル成長させた炭化珪素エピタキシャル基板。【選択図】図3
摘要翻译：以提供与低氧浓度的碳化硅外延层形成的碳化硅外延衬底。 A是一个直径为100mm以上时，氧浓度为1×1017厘米-3或更小，位错密度为2×104厘米-2以下时，堆垛层错的面积比小于2.0％的碳化硅单晶保持衬底支架160上的基板100，测量室120，其中碳化硅外延而生长监测的碳化硅外延基板的露点。点域

6. 发明专利

JP2016135720A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶的生产方法
公开(公告)号：JP2016135720A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2015011193
申请日：2015-01-23
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：梶直樹 , 高須賀英良 , 原田真 , 堀勉 , 佐々木将
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】原料の使用効率が向上する炭化珪素結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶20の製造方法は以下の工程を備えている。内側面10aと底面10bとを有する坩堝5が準備される。内側面10aと底面10bとに接する原料12と、原料12に対面する種結晶11とが坩堝5の内部に配置される。原料12を昇華させることにより、種結晶11上に炭化珪素単結晶20を成長させる。炭化珪素単結晶20を成長させる工程後、原料12の少なくとも一部において、ラマンシフトが1590cm -1 におけるラマンスペクトルの強度は、炭化珪素に由来するラマンシフトにおけるラマンスペクトルの強度よりも大きい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高原料的使用效率的碳化硅单晶的制造方法。解决方案：碳化硅单晶20的制造方法包括以下工序。设置有具有内侧面10a和底面10b的坩埚5。与内表面10a和底面10b接触的原料12和面向原料12的晶种11配置在坩埚5的内部。碳化硅单晶20通过升华的方式在晶种11上生长原料12.在生长碳化硅单晶20的过程之后，拉曼位移1590cm处的拉曼光谱强度大于源于碳化硅的拉曼位移的拉曼光谱强度，至少部分原料12.SELECTED 图：图1

7. 发明专利

JP2015151284A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶的生产方法
公开(公告)号：JP2015151284A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014024526
申请日：2014-02-12
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：西口太郎 , 佐々木将 , 佐々木信 , 上田俊策 , 堀勉 , 櫻田隆
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】異種ポリタイプの混入を抑制可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は以下の工程を備えている。主面1aを含む種結晶1と、炭化珪素原料6とが坩堝2内に配置される。炭化珪素原料6を昇華させて種結晶1の主面1a上に再結晶させることにより炭化珪素単結晶10が成長する。炭化珪素単結晶10を成長させる工程後に坩堝2内に残っており、かつ100μm以上の最大径を有する炭化珪素原料6の粉末6aにおいて、表面積が90%以上炭化している粉末6aの数の割合が30%未満の状態で炭化珪素原料6の昇華が終了する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制异质多型体侵入的碳化硅单晶的制造方法。解决方案：在碳化硅单晶的制造方法中，具有主面1a和碳化硅原料的晶种1 材料6布置在坩埚2中。碳化硅原料6在晶种1的主平面1a上升华和重结晶，以生长碳化硅单晶10.在碳化硅原料6的粉末6a中，在生长碳化硅单晶10之后留在坩埚2中，并且最大直径为100μm以上，碳化硅原料6的升华终止于其中粉末6a的比例为90％或更多的碳化面积小于30％。

8. 发明专利

JP2020026366A 炭化珪素単結晶の製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020026366A
公开(公告)日：2020-02-20
申请号：JP2018151229
申请日：2018-08-10
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 上田俊策 , 梶直樹
IPC分类号： C30B23/06 , H05B3/64 , C30B29/36
摘要：【課題】ヒータの消費電力を低減することが可能な炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】本開示の一態様に係る炭化珪素単結晶の製造装置は、坩堝と、坩堝を加熱するヒータとを備える。ヒータは、坩堝の周囲を取り囲む第1部分と、第1部分から突出する第2部分とを含む発熱部と、第2部分に固定されて発熱部を支持する支持部とを有する。支持部を構成する材料の電気抵抗率は、第1部分を構成する材料の電気抵抗率よりも低い。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2019052085A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019052085A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2018219235
申请日：2018-11-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 原田真 , 堀勉
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】坩堝の底部に充填された原料粉体を高温で昇華させ、昇華した原料を、坩堝の上部に配置された種結晶上に再析出させる炭化珪素単結晶の製造方法において、異種ポリタイプの混入が抑制された炭化珪素単結晶を提供すること。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は、流動性指数が70以上100以下の炭化珪素原料を坩堝に充填する工程(S01)と、該炭化珪素原料を加熱することにより、該炭化珪素原料を昇華させる工程(S02)と、を備え、150mm以上の直径を有する種結晶が使用される、炭化珪素単結晶の製造方法。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2018030734A 坩堝审中-公开
公开(公告)号：JP2018030734A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016161843
申请日：2016-08-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 上田俊策 , 梶直樹 , 原田真
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】異種ポリタイプの混入を抑制することが可能な坩堝を提供する。【解決手段】グラファイトからなり、昇華法による炭化珪素の単結晶の成長に用いられる坩堝1は、種結晶81を保持するための保持部11と、保持部11から単結晶の成長方向に沿って延在する成長空間30,40,50を取り囲む周壁面20Bと、を備える。周壁面20Bは、成長空間30,40,50の単結晶83の成長方向に垂直な断面積が保持部11から離れるにしたがって大きくなる拡径部40を取り囲むテーパ領域42Aを含む。周壁面20Bには、金属炭化物からなる被膜32B,52Bが形成されている。テーパ領域42Aの少なくとも一部において、坩堝1を構成するグラファイトが露出する。【選択図】図1

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