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4. 发明专利

JP2016154202A トンネル電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法审中-公开
标题翻译：隧道场效应晶体管和场效应晶体管的制作方法
公开(公告)号：JP2016154202A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2015032234
申请日：2015-02-20
申请人：住友化学株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：市川磨 , 山田永 , 高木信一 , 竹中充 , ジサンミン
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336
摘要：【課題】横型構造のTFETを、大幅なコスト増大を招くことなく製造する技術を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の上に位置する積層半導体層と、前記積層半導体層に形成された第1伝導型を示すソース領域と、前記積層半導体層に形成された、前記第1伝導型とは逆の第2伝導型を示すドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域に電界を印加するゲート構造と、を有し、前記ソース領域、前記チャネル領域および前記ドレイン領域が、前記積層半導体層の表面に沿った方向に並んで位置するトンネル電界効果トランジスタであって、前記積層半導体層が、第1半導体からなる第1層と、前記第1層より前記基板から遠くに位置する、第2半導体からなる第2層とを有し、前記第2半導体のバンドギャップが、前記第1半導体のバンドギャップより小さいトンネル電界効果トランジスタを提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供制造具有横向结构的TFET的技术，而不会导致成本的显着增加。解决方案：提供了一种隧道场效应晶体管，其具有基板，位于基板上的层叠半导体层，源极形成在层叠半导体层中的第一导电类型的区域，形成在层叠半导体层中的与第一导电类型相反的第二导电类型的漏极区域，以及用于将电场施加到第二导电类型之间的沟道区域的栅极结构源极区和漏极区。在隧道场效应晶体管中，源极区域，沟道区域和漏极区域沿着层叠半导体层的表面的方向并置设置; 并且所述层叠半导体层包括由第一半导体形成的第一层和由第二半导体形成的第二层，并且位于比所述第一层更远离所述衬底的位置，其中所述第二半导体的带隙小于所述第二半导体的带隙第一个半导体。选择图：图1

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