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1. 发明专利

JP5552654B2 Sharpened needles diamond, and a scanning probe microscope cantilevers, photomask corrected probe using the same, an electron beam source 有权
公开(公告)号：JP5552654B2
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：JP2009179208
申请日：2009-07-31
申请人：並木精密宝石株式会社 , Agdマテリアル株式会社
发明人：浩司小山 , 厚仁澤邊 , 豊安藤
IPC分类号： C30B29/62 , C01B31/06 , C30B29/04 , H01J37/28
CPC分类号： H01J9/025 , C01B32/25 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , H01J1/3044

2. 发明专利

JPWO2015119067A1 ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015119067A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015560966
申请日：2015-02-02
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：英雄会田 , 英雄会田 , 浩司小山 , 浩司小山 , 憲次朗池尻 , 憲次朗池尻 , 聖祐金 , 聖祐金
IPC分类号： C30B29/04 , C23C14/06 , C23C14/28 , C23C16/27 , C23C16/511
CPC分类号： C30B25/183 , C23C16/274 , C23C16/279 , C30B23/025 , C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B29/605 , H01L21/02527 , H01L21/02609 , H01L21/7806 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/34
摘要：【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km-1を超えて1500km-1以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km-1を超えて1500km-1以下とする。【選択図】図11

3. 发明专利

JPWO2009060973A1 針状ダイヤモンド、それを用いたカンチレバー、フォトマスク修正用または細胞操作用探針审中-公开
公开(公告)号：JPWO2009060973A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：JP2009540109
申请日：2008-11-10
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：浩司小山 , 浩司小山
IPC分类号： C30B29/04 , C01B31/06 , C30B29/62 , G01Q70/10 , G01Q70/14 , G01Q70/16
CPC分类号： G01Q70/16 , C30B29/04 , C30B29/62 , G01Q70/10 , G01Q70/14
摘要：【課題】ドライエッチングや集束イオンビームでは作製困難であった、ストレート形状もしくは逆テーパー形状を有する針状ダイヤモンドとその作製方法、針状ダイヤモンドを用いたカンチレバー、フォトマスク修正用または細胞操作用ダイヤモンド探針を提供すること。【解決手段】ダイヤモンド基板1上に金属膜2を形成し、前記金属膜2に凹部を形成し前記ダイヤモンド基板表面を一部露出させたのち熱化学加工を行う針状ダイヤモンドの製造方法において、前記金属膜2の膜厚を適宜選択することにより、針側面のなす角度αが0°以上10°以下である、ストレート形状を有する針状ダイヤモンド1aまたは逆テーパー形状を有する針状ダイヤモンド1bを得る。【選択図】図3

5. 发明专利

JPWO2007040283A1 探針及びカンチレバー有权
公开(公告)号：JPWO2007040283A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：JP2007538805
申请日：2006-10-06
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：浩司小山 , 浩司小山 , 古滝　敏郎 , 敏郎古滝 , 砂川　和彦 , 和彦砂川
IPC分类号： G01Q60/38 , G01Q70/10 , G01Q70/16
CPC分类号： G01Q60/38 , G01Q70/10
摘要：【課題】製造工程が簡便であり、なおかつ単結晶材料の性質が最大限に引き出せるような状態で使用することの出来る、走査プローブ顕微鏡(SPM)のカンチレバー2に用いるための探針1と、カンチレバー2の製造方法を提供することである。【解決手段】 SPMに用いるカンチレバー2の梁部2aの先端に有する探針1であって、当該探針1が、10μm以上の長さを有する針状部1aと、カンチレバー2と接する面を有する平板部1bとからなり、当該針状部1aと平板部1bは単結晶材料で一体に形成され、当該平板部1bの少なくとも一つの側面に、上記単結晶材料の結晶方位を示すための平面1cを有していることを特徴とする探針1である。【選択図】図1

6. 发明专利

JPWO2015046294A1 ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015046294A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015539292
申请日：2014-09-25
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：英雄会田 , 英雄会田 , 浩司小山 , 浩司小山 , 憲次朗池尻 , 憲次朗池尻 , 聖祐金 , 聖祐金
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C30B25/18 , C23C16/01 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02
摘要：【課題】直径2インチ以上の大型のダイヤモンド基板を提供する。また、直径2インチ以上という大型のダイヤモンド基板の製造を可能にする、ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板をダイヤモンド単結晶から形成し、ダイヤモンド基板の平面方向の形状を円形状又はオリフラ面が設けられた円形状とし、直径を2インチ以上とする。【選択図】図4

7. 发明专利

JPWO2014123171A1 ＧａＮ基板及びＧａＮ基板の製造方法审中-公开
标题翻译：一种制造GaN衬底和GaN衬底的方法
公开(公告)号：JPWO2014123171A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2014560791
申请日：2014-02-06
申请人：並木精密宝石株式会社 , 株式会社ディスコ
发明人：英雄会田 , 英雄会田 , 奈津子青田 , 奈津子青田 , 憲次朗池尻 , 憲次朗池尻 , 聖祐金 , 聖祐金 , 浩司小山 , 浩司小山 , 秀俊武田 , 秀俊武田 , 篤植木 , 篤植木
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18
CPC分类号： C30B25/186 , C30B29/406 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要：【課題】転位密度の分布が実質的に均一なGaN結晶から成るGaN基板を、複雑な工程を用いることなく簡単に低コストで、且つ高歩留まりで製造できる技術を提供する。【解決手段】単結晶基板の内部にレーザを照射して、単結晶基板の内部にアモルファス部分を形成し、次に、単結晶基板の片面にGaN結晶を形成してGaN基板を作製する。作製されたGaN基板の表面の全面に亘る転位密度の分布は、実質的に均一である。アモルファス部分は単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、各パターン間のピッチが0.5mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.10%又は0.20%であり、各パターン間のピッチが1.0mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.05%又は0.10%である。【選択図】図3
摘要翻译：甲GaN衬底位错密度的分布从基本上均质的GaN结晶进行，以简单的低成本，而无需使用复杂的过程，并提供一种能够以高收率制造的技术。通过照射激光到单晶衬底的内部的，单结晶基板的内部，以形成无定形部分，然后，通过形成在单晶衬底的一个表面的GaN晶体，以制备GaN衬底。位错密度在所制造的GaN衬底表面的整个表面的分布基本上是均匀的。在多个图案提供直接到单晶衬底的面方向，体积非晶部分如果图案之间的间距为0.5毫米，由无定形部分的总体积相对于占用到单晶衬底的体积比为0.10％，或0.20％，如果图案之间的间距为1.0毫米，由无定形部分的总体积相对于所述单晶基板的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。点域

8. 发明专利

JPWO2013172227A1 酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板审中-公开
标题翻译：氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底
公开(公告)号：JPWO2013172227A1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014515578
申请日：2013-05-08
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：英雄会田 , 英雄会田 , 健吾西口 , 健吾西口 , 浩司小山 , 浩司小山 , 憲次朗池尻 , 憲次朗池尻 , 中村　元一 , 元一中村
IPC分类号： C30B29/16 , C30B15/24
CPC分类号： C01G15/00 , C30B15/20 , C30B15/34 , C30B29/16 , Y10T428/2982
摘要：【課題】発光効率を向上させることができる酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶13は、転位密度が3.5?106個/cm2以下である。酸化ガリウム単結晶13は、EFG法によって製造されている。また、EFG法のシードタッチ温度は1930℃以上1950℃以下である。酸化ガリウム単結晶13のネック部13aは、0.8mm以下である。酸化ガリウム単結晶基板21は、酸化ガリウム単結晶13からなる。【選択図】図2
摘要翻译：氧化镓单晶可以提高发光效率，并提供一种氧化镓单晶衬底。甲氧化镓单晶13的位错密度是3.5〜106细胞/ cm 2或更小。氧化镓单晶13通过EFG工艺生产的。的EFG过程的晶种接触温度为1950℃以下1930℃以上。氧化镓单晶13的颈部13A为0.8mm或更小。氧化镓单晶衬底21由氧化镓单晶13。 .The

9. 发明专利

JP6152548B2 酸化ガリウム基板及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6152548B2
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：JP2012173882
申请日：2012-08-06
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：憲次朗池尻 , 憲次朗池尻 , 英雄会田 , 英雄会田 , 健吾西口 , 健吾西口 , 浩司小山 , 浩司小山 , 中村　元一 , 元一中村 , 義弘國分 , 義弘國分
IPC分类号： C30B29/22 , C30B1/04 , H01L21/316

10. 发明专利

JP4461218B2 Treatment method of carbon material 有权
公开(公告)号：JP4461218B2
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：JP2005160632
申请日：2005-05-31
申请人：並木精密宝石株式会社
发明人：敏郎古滝 , 浩司小山 , 和彦砂川
IPC分类号： C01B31/06 , C23C14/14 , C30B29/04 , C30B33/02

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