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1. 发明专利

JP5312690B2 Heat sink and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5312690B2
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：JP2012519297
申请日：2011-03-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：健次加藤 , 茂俊一法師 , 利貴田中 , 慎也本川 , 俊雄中山 , 政文井伏
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36 , H01L23/467
CPC分类号： F28F3/04 , F28D2021/0029 , H01L23/467 , H01L2924/0002 , H05K7/20163 , H01L2924/00
摘要： A heat sink including a base section, connection fins, and parallel fins. The base section includes: a first base plate configured to be mounted with a heat generating component on its outer surface; a second base plate disposed to face the first base plate in a parallel manner, configured to be mounted with a heat generating component on its outer surface; and a third base plate disposed perpendicular to the first base plate and the second base plate, which secures the first base plate and the second base plate along a junction line. The base section includes first and second regions arranged in the direction of the junction line. The connection fins are disposed on the first region to connect inner surfaces of the first and second base plates and to be parallel to the third base plate, and the parallel fins are disposed on the second region from an inner surface of the third base plate to be parallel to the first base plate.

2. 发明专利

JP4920784B2 Motor drive control device 有权
公开(公告)号：JP4920784B2
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：JP2010505179
申请日：2008-03-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：修也佐野 , 清成川尻 , 利貴田中
IPC分类号： H02P6/16
CPC分类号： H02P27/06

3. 发明专利

JP4854687B2 Cooling system 有权
公开(公告)号：JP4854687B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2008023083
申请日：2008-02-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：茂俊一法師 , 健次加藤 , 利貴田中 , 憲治白方
IPC分类号： H05K7/20 , B23Q11/12

4. 发明专利

JPWO2014207811A1 パワー半導体素子の駆動回路有权
标题翻译：功率半导体元件的驱动电路
公开(公告)号：JPWO2014207811A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015523689
申请日：2013-06-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：良知林 , 正啓小澤 , 利貴田中
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/16 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/60 , H02M1/44 , H02M2001/0054 , H03K17/162 , H03K17/168 , H03K2217/0036 , Y02B70/1491
摘要：パワー半導体素子1のゲート端子−エミッタ端子間への充電指令である電圧指令VGErefを生成する電圧指令生成部2、電圧指令VGErefとパワー半導体素子1のゲート端子−エミッタ端子間電圧との偏差電圧Verrを算出する減算器3、偏差電圧Verrが入力され、パワー半導体素子1のゲート端子に流すゲート電流を決めるゲート電流指令電圧VIGrefを算出するゲート電流制御器4と、ゲート電流指令電圧VIGrefを制限するゲート電流指令制限器19および、ゲート電流指令制限器19の出力である実ゲート電流指令電圧VIGoutが入力され、パワー半導体素子1のゲート端子にゲート電流を供給するゲート電流供給器を備える。
摘要翻译：功率半导体器件1的栅极端子 - 电压指令生成部2，生成电压指令VGEref充电命令到发射极端子，VGEref功率半导体器件1个的栅极端子电压指令 - 差电压发射极端VERR之间的电压之间计算减法器3，输入差分电压Verr，限制栅极电流控制器4用于计算确定栅极流至功率半导体器件1中，栅极电流指令电压VIGref的栅极端子的栅极电流指令电压VIGref 栅极电流指令限制器19，并与作为栅极电流指令限制器19的输出包括用于供应栅极电流的功率半导体器件1的栅极端子的栅极电流供给的实际栅极电流指令电压VIGout供给。

5. 发明专利

JP5449431B2 Inverter equipment 有权
公开(公告)号：JP5449431B2
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：JP2012052872
申请日：2012-03-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：良知林 , 洋治堤下 , 和幸中村 , 利貴田中
IPC分类号： H02M7/48 , H02M3/28

6. 发明专利

JPWO2011155247A1 ヒートシンクおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011155247A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2012519297
申请日：2011-03-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：加藤　健次 , 健次加藤 , 一法師　茂俊 , 茂俊一法師 , 利貴田中 , 利貴田中 , 慎也本川 , 慎也本川 , 俊雄中山 , 俊雄中山 , 政文井伏 , 政文井伏
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36 , H01L23/467
CPC分类号： F28F3/04 , F28D2021/0029 , H01L23/467 , H01L2924/0002 , H05K7/20163 , H01L2924/00
摘要：放熱用のフィンがベース部に設けられたヒートシンクが、a)外面と内面とを有し、外面に発熱部品が搭載可能な第1ベース板と、b)第1ベース板と平行になるように対向配置され、外面と内面とを有し、外面に発熱部品が搭載可能な第2ベース板と、c)第1ベース板および第2ベース板のそれぞれに対して垂直に配置されて、これらを接合線に沿って固定する、外面と内面とを有する第3ベース板と、を含み、接合線方向に並ぶ第1領域と第2領域とを有するベース部と、第1領域に、第1ベース板と第2ベース板のそれぞれの内面の間を接続し、第3ベース板に対して平行になるように配置された接続フィンと、第2領域に、第3ベース板の内面から、第1ベース板に対して平行になるように配置された平行フィンと、を含む。

7. 发明专利

JP4854688B2 Cooling system 有权
公开(公告)号：JP4854688B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2008023090
申请日：2008-02-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：茂俊一法師 , 健次加藤 , 利貴田中 , 憲治白方
IPC分类号： H05K7/20

8. 发明专利

JPWO2009122520A1 モータ駆動制御装置有权
公开(公告)号：JPWO2009122520A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2010505179
申请日：2008-03-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐野　修也 , 修也佐野 , 清成川尻 , 清成川尻 , 利貴田中 , 利貴田中
IPC分类号： H02P6/16
CPC分类号： H02P27/06
摘要：組み合わせるブラシレスモータを変えても電流検出精度を低下させず、またモータ駆動電流の小さい領域でも電流検出精度を向上させて、高精度制御を実現できるモータ駆動制御装置を得ることを目的として、モータに供給する駆動電流を直接的に或いは間接的に検出して対応する電圧を発生する抵抗器を配置し、前記抵抗器が検出したモータ駆動電流に対応した電圧をAD変換器にて数値化し、前記数値化したモータ駆動電流を前記モータの駆動制御に反映するモータ駆動制御装置において、前記抵抗器を複数個直列に接続した抵抗器列として構成し、前記抵抗器列の任意の2点間の電圧をAD変換する構成とした。

9. 发明专利

JP4615289B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4615289B2
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：JP2004328608
申请日：2004-11-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：友宏宮崎 , 利貴田中
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/00 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To protect parts located around a semiconductor device against breakage and ignition caused by a ground fault caused by a short-circuit fault in a semiconductor element. SOLUTION: The semiconductor device is configured so as to be equipped with a case 30 with an open top and a bottom where the semiconductor element 25 is arranged, a silicon gel 32 filling the case 30 so as to cover the semiconductor element 25, a lid 50 which covers the open top of the case 30, and a structural member 51 which restricts the direction and width of an opening provided to the lid 50 when the silicon gel 32 fractures so as to form the opening in the lid 50. The one-side of the lid 50 is pinched between the structural member 51 and the case 30 so as to restrict the direction and width of the opening formed to the lid 50 when the lid 50 is opened, and the structural member 51 is provided to the case 30 so as to form a gap between the structural member 51 itself and the lid 50 at the side of the lid 50 opposite to its pinched side. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

10. 发明专利

JPWO2014128868A1 冷却装置及びこれを用いた冷却装置付きパワーモジュール有权
标题翻译：冷却装置，并用一个功率模块使用相同的冷却装置
公开(公告)号：JPWO2014128868A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015501143
申请日：2013-02-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：雄一永田 , 雄一永田 , 加藤　健次 , 健次加藤 , 利貴田中 , 利貴田中
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H05K7/20409 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/3733 , H01L23/427 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H05K7/205 , H01L2924/00
摘要：発熱するチップを複数内蔵し、発熱量が最大となる第1のチップ22aと発熱量が2番目に大きい第2のチップ22b1,22b2とが隣同士にならず、かつ第1のチップ22aは発熱量が最小となる第3のチップ22c1,22c2,22c3のいずれか2つと隣同士となるチップ配置のパワーモジュール20と、パワーモジュール20がベース面1Aに密着して取り付けられるヒートシンク2と、ヒートシンク2の表面に配置される本体1より熱伝導率が高い平板状の第1及び第2の異方性高熱伝導体2a1,2a2,2b1,2b2とを備えた冷却装置10において、第1及び第2の異方性高熱伝導体2a1,2a2,2b1,2b2を第1のチップ22aの直下と第2のチップ22b1,22b2の直下の2つに分離して配置する。
摘要翻译：一种加热芯片多个内部热产生量和所述第一芯片22A，其热产生量是最大和第二大第二芯片22b1,22b2不彼此相邻，并且第一芯片22A是放热芯片布置包括以下两种，并在第三芯片22c1,22c2,22c3量被最小化彼此相邻，和散热器2到功率模块20的功率模块20被安装在与基部表面1A，散热器2紧密接触在冷却装置10，其包括具有高导热性的第一和第二各向异性高的热导体2a1,2a2,2b1,2b2从主体1的板状设置在第一和第二表面上放置各向异性高的热导体2a1,2a2,2b1,2b2分成两个正下方的芯片22a和第二芯片22B1 22B2和下第一右。

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