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1. 发明专利

JP3913454B2 Method of measuring the surface leakage current of the sample 有权
公开(公告)号：JP3913454B2
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：JP2000259869
申请日：2000-08-29
申请人：三菱電機株式会社 , 株式会社リガク
发明人：幸一郎伊藤 , 晋一宮國 , 佳嗣山本 , 泰生平山 , 亮服部 , 佳弘野谷
IPC分类号： G01R27/02 , G01R31/26 , G01N1/44 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01Q60/00
CPC分类号： G01N27/041 , G01N1/44

2. 发明专利

JPWO2010024390A1 ＳｉＣ単結晶膜の製造方法および装置有权
公开(公告)号：JPWO2010024390A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010526789
申请日：2009-08-28
申请人：住友金属工業株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：楠　一彦 , 一彦楠 , 亀井　一人 , 一人亀井 , 矢代　将斉 , 将斉矢代 , 服部　亮 , 亮服部
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/10 , Y10T117/1024
摘要：融液を溶媒とするSiC溶液を用いたLPE法によって、低ドーピング濃度のSiCエピタキシャル膜を2インチ径以上の基板上に安定して成長させるSiC単結晶膜の製造方法は、融液材料を結晶成長炉に導入する前に、炉内を加熱しながら結晶成長温度での真空度が5×10−3Pa以下になるまで真空排気する工程を含む。その後、融液材料を充填した坩堝を炉内に導入し、SiC溶液を形成し、この溶液に浸漬した基板上にSiCエピタキシャル膜を成長させる。

3. 发明专利

JP3594482B2 Heterojunction bipolar transistor 失效
公开(公告)号：JP3594482B2
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：JP8997798
申请日：1998-04-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佳嗣山本 , 亮服部
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/73 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/7304

4. 发明专利

JP4718751B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4718751B2
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：JP2002352573
申请日：2002-12-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：徹郎國井 , 浩司川田 , 亮服部
IPC分类号： H01L23/48 , H01L29/417 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/482 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/4824 , H01L23/3171 , H01L23/3677 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/3511 , H01L2924/00

5. 发明专利

JP4028897B2 Field effect semiconductor device 失效
公开(公告)号：JP4028897B2
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：JP50963399
申请日：1997-07-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：亮服部
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/285 , H01L21/335 , H01L29/10 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L21/28587 , H01L29/1075 , H01L29/155 , H01L29/66462

6. 发明专利

JPWO2013061417A1 膜厚測定方法有权
标题翻译：膜厚度测量方法
公开(公告)号：JPWO2013061417A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013540542
申请日：2011-10-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：服部　亮 , 亮服部 , 健一浜野 , 健一浜野
IPC分类号： G01B11/06
CPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625
摘要：本発明は、半導体基板上に形成した多層のエピタキシャル層の膜厚測定方法に関し、半導体基板(21)上に、該半導体基板と実部の屈折率差がない第1および第2のエピタキシャル層(22,23)がこの順に積層された測定対象(20)に対して、フーリエ変換赤外分光光度計を用いた反射干渉解析反射解析を行い、得られた反射干渉パターンにおける、フォノン吸収による屈折率の異常分散領域近傍の波数領域に現れる歪みを含んだ干渉波形と、数値計算反射干渉パターンの同じ波数領域での干渉波形とがずれないように、第1のエピタキシャル層の厚さをフィッティングパラメータとして使用し、数値計算反射干渉パターンをフィッティングした際に設定した第1のエピタキシャル層の厚みをもって、第1のエピタキシャル層の厚みの実測値とする。
摘要翻译：本发明涉及用于形成在半导体衬底上的多层外延层，所述半导体基板（21），在半导体衬底和所述第一和第二外延层上的膜厚度测量方法不是本实部的折射率差（对22，23）被测量，其被层压在该顺序（20），使用傅里叶反射干涉分析反射分析变换红外分光光度计，在所得反射干涉图案，所述折射率由于声子吸收的干涉波形，包括出现在附近反常色散区的波数区域，以便不相同的频域反射数值干涉图案的干涉波形，所述第一外延层的厚度偏移作为拟合参数的失真使用，其厚度在第一外延层的被设定在装配数值反射干涉图案，所述第一外延层的厚度的测量值的时间。

7. 发明专利

JP5586791B2 Film thickness measuring method 有权
公开(公告)号：JP5586791B2
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2013540542
申请日：2011-10-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：亮服部 , 健一浜野
IPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02
CPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625

8. 发明专利

JP5304792B2 Manufacturing method and apparatus of the SiC single crystal film 有权
公开(公告)号：JP5304792B2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：JP2010526789
申请日：2009-08-28
申请人：新日鐵住金株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：一彦楠 , 一人亀井 , 将斉矢代 , 亮服部
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/06
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/10 , Y10T117/1024
摘要： A manufacturing method for a SiC single crystal film which allows stable growth of a SiC epitaxial film with a low doping concentration on a substrate with a diameter of at least 2 inches by the LPE method using a SiC solution in solvent of a melt includes an evacuation step in which the interior of a crystal growth furnace is evacuated with heating until the vacuum pressure at the crystal growth temperature is 5 x 10 -3 Pa or lower prior to introducing a raw material for the melt into the furnace. Then, a crucible containing a raw material for the melt is introduced into the furnace, a SiC solution is formed, and a SiC epitaxial film is grown on a substrate immersed in the solution.

9. 发明专利

JP4853449B2 A method of manufacturing a SiC single crystal, SiC single crystal wafer and the SiC semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4853449B2
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：JP2007265717
申请日：2007-10-11
申请人：三菱電機株式会社 , 住友金属工業株式会社
发明人：一人亀井 , 亮服部 , 一彦楠 , 将斉矢代
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , H01L21/205

10. 发明专利

JP4157718B2 Silicon nitride film manufacturing method, and the silicon nitride film production apparatus 有权
公开(公告)号：JP4157718B2
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：JP2002118773
申请日：2002-04-22
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：友希奥 , 正裕戸塚 , 亮服部 , 仁史森崎 , 保志神谷 , 秀二野村
IPC分类号： C23C16/46 , H01L21/31 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44

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