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2. 发明专利

JP2018198108A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018198108A
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2018145908
申请日：2018-08-02
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：辻橋良樹
IPC分类号： G11C17/12 , G11C29/12
摘要：【課題】メモリセルに故障がある場合に、ビット線対に電位差が生じなくても、テスト時に期待値通りの判定をして、テストをパスしてしまうことがある。【解決手段】ワード線WLは、マスクROM用のメモリセルCLに接続される、ビット線対Bit、Bitnは、メモリセルCLに接続される。差動センスアンプ503は、ビット線対Bit、Bitnの電位差を増幅する。論理回路505は、ビット線対Bit、Bitnの論理状態の一致もしくは不一致を検出する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016085775A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016085775A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014218195
申请日：2014-10-27
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：辻橋良樹
IPC分类号： G11C17/12 , G11C29/12
CPC分类号： G11C29/025 , G11C29/38 , G11C7/065
摘要：【課題】メモリセルに故障がある場合に、ビット線対に電位差が生じなくても、テスト時に期待値通りの判定をして、テストをパスしてしまうことがある。【解決手段】ワード線WLは、マスクROM用のメモリセルCLに接続される、ビット線対Bit、Bitnは、メモリセルCLに接続される。差動センスアンプ503は、ビット線対Bit、Bitnの電位差を増幅する。論理回路505は、ビット線対Bit、Bitnの論理状態の一致もしくは不一致を検出する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止测试通过的半导体器件，当在存储器单元中发现故障时，根据测试中的期望值给出测试结果，而不考虑位线中的电位差对。解码：字线WL连接到掩模ROM存储器单元CL，并且位线对Bit Bitn连接到存储器单元CL。差分读出放大器503放大位线对Bit Bitn的电位差。逻辑电路505检测位线对的位的逻辑状态的一致或非重合位。图1：图1

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