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1. 发明专利

JP6059238B2 III族窒化物半導体素子およびその製造方法有权
标题翻译： III族氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP6059238B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2014538076
申请日：2012-09-28
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L29/41 , H01L21/306 , H01L21/301
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/153 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L21/02 , H01L21/0254 , H01L21/306 , H01L21/32 , H01L2224/18 , H01L25/0753 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L33/44

2. 发明专利

JP2015097298A III族窒化物半導体縦型構造LEDチップの製造方法有权
标题翻译：制造III类氮化物半导体垂直结构LED芯片的方法
公开(公告)号：JP2015097298A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：JP2015026774
申请日：2015-02-13
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 鳥羽隆一 , 豊田達憲 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/20
摘要：【課題】発光構造部にクラックの少ない、高品質の縦型LEDチップを提供する。【解決手段】下部電極を兼ねる導電性サポート部と、該サポート部上に設けられた接続層と、該接続層上に設けられたオーミック電極層と、第2伝導型III族窒化物半導体層、該第2伝導型III族窒化物半導体層の上に設けられた発光層、および、該発光層の上に設けられた前記第2伝導型とは異なる伝導型の第1伝導型III族窒化物半導体層を有する発光構造部とを一対の電極で挟んだ構造を有し、前記発光構造部の平面が、円またはコーナーに丸みを有する4n角形状(nは正の整数とする。)であり、かつ前記サポート部の平面は、前記発光構造部の平面よりも大きくかつ異なる形状を有することを特徴とする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供在发光结构部分中几乎没有裂纹的高品质垂直LED芯片。解决方案：III族氮化物半导体垂直结构LED芯片包括用于夹在一对电极之间的结构：用作下电极的导电支撑部分; 设置在所述支撑部上的连接层; 设置在所述连接层上的欧姆电极层; 以及具有第二导电型III族氮化物半导体层的发光结构部分，设置在第二导电型III族氮化物半导体层上的发光层和设置在第二导电型III族氮化物半导体层上的第一导电型III族氮化物半导体层并且具有与第二导电类型不同的导电类型。发光结构部分的平面具有在角部具有圆角的圆形或4n角形状（n为正整数），并且支撑部分的平面具有大于和不同的形状从发光结构部分的平面。

3. 发明专利

JP6027027B2 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体素子結合体有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法以及半导体装置的缀合物
公开(公告)号：JP6027027B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2013550048
申请日：2011-12-21
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20

4. 发明专利

JP5936696B2 III族窒化物半導体素子およびその製造方法有权
标题翻译： III族氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5936696B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2014530395
申请日：2012-08-14
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/28
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L33/40 , H01L2224/2908 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/81801 , H01L2224/83001 , H01L2224/83002 , H01L2924/3512

5. 发明专利

JP5934720B2 III族窒化物半導体素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5934720B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2013550052
申请日：2012-05-25
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01S5/323 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20

7. 发明专利

JP5918367B2 III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5918367B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2014523543
申请日：2012-07-04
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 梁會永 , 金眞熙 , 盧虎均 , 文細榮 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/54

8. 发明专利

JP5847732B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5847732B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2012550586
申请日：2010-12-28
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社 , ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited
发明人：鳥羽隆一 , 門脇嘉孝 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/34 , H01L21/02664 , H01L21/28575 , H01L29/30 , H01L29/452 , H01L33/40 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/3202 , H01S5/32341

9. 发明专利

JP5723431B2 III族窒化物半導体縦型構造LEDチップ有权
标题翻译： III族氮化物半导体垂直结构的LED芯片
公开(公告)号：JP5723431B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2013221212
申请日：2013-10-24
申请人：ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited , DOWAエレクトロニクス株式会社
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 鳥羽隆一 , 豊田達憲 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/24

10. 发明专利

JP5881689B2 発光素子チップ及びその製造方法有权
标题翻译：发光器件芯片及其制造的方法
公开(公告)号：JP5881689B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2013516077
申请日：2011-05-25
申请人： DOWAエレクトロニクス株式会社 , ビービーエスエイリミテッド , BBSA Limited
发明人： ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L33/0079 , H01L33/0095

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