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1. 发明专利

JP2016208016A 半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016208016A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016059482
申请日：2016-03-24
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：内田正雄 , 齋藤浩一 , 若山貴行 , 林将志 , 國里竜也
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/36 , H01L29/402
摘要：【課題】高耐圧化を実現可能な半導体素子を提供する。【解決手段】本開示の一態様に係る半導体素子は、第1導電型の半導体基板101の主面上に配置された第1導電型の炭化珪素半導体層102と、炭化珪素半導体層内に配置された第2導電型の終端領域151と、炭化珪素半導体層とショットキー接合を形成する第1電極159とを備え、終端領域151は、半導体基板の主面の法線方向から見て炭化珪素半導体層表面の一部を囲むように配置されており、第1電極159は、炭化珪素半導体層と接する面を有し、第1電極は、炭化珪素半導体層と接する面の縁部において、終端領域と接し、終端領域は、炭化珪素半導体層の表面に接する第2導電型の高濃度領域121と、高濃度領域の不純物濃度よりも低い濃度で第2導電型の不純物を含み、高濃度領域より下方に位置する第2導電型の低濃度領域122とを含んでいる。【選択図】図1
摘要翻译：一种半导体装置，能够实现高的击穿电压的。根据A公开的实施例的半导体器件包括设置在第一导电类型的半导体衬底101的主表面上的第一导电型碳化硅半导体层102，设置在碳化硅半导体层上在终端区151的第二导电类型，以及第一电极159，以形成从所述半导体基板的主面的法线方向观察时，所述肖特基结的碳化硅半导体层，所述终止区151中，碳化硅被设置成围绕半导体层表面的一部分，第一电极159具有与碳化硅半导体层接触的表面，所述第一电极是在表面的与所述碳化硅半导体层，终止接触边缘区域，并与中，终止区域包括与所述碳化硅半导体层，在比所述高浓度区的杂质浓度低的浓度的第二导电型杂质，高浓度区域的表面接触的第二导电型高浓度区121接触和低浓度区域位于多个向下的第二导电类型的122。点域1

2. 发明专利

JP2021118218A 半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021118218A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020009029
申请日：2020-01-23
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：内田正雄 , 齋藤浩一 , 長谷川貴史 , 若山貴行
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/872
摘要：【課題】高耐圧で高信頼性の半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子1000は、第1導電型の半導体層102と、活性領域を囲む第2導電型の第1不純物領域151と、複数の第2導電型のリング152bと、第1不純物領域の一部及び複数のリングを覆い、第1不純物領域の一部上に第1開口部111pを有する第1絶縁膜111と、第1電極1120と、第1絶縁膜上に活性領域を囲むように配置され、第1絶縁膜よりも高い耐湿性を有する第2絶縁膜114と、第1電極の一部及び第2絶縁膜を覆う第3絶縁膜115と、第2電極1130とを備える。第2絶縁膜は、第1絶縁膜に接する第1の面114Sを有し、第1の面は活性領域を囲み、内周縁114aは、第1不純物領域の外周縁よりも内側に位置し、外周縁114bは、複数のリングのうち最も内側に位置するリングと最も外側に位置するリングとの間に位置し、第2絶縁膜は第1電極の上面に接触していない。【選択図】図2

3. 发明专利

JP6960602B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6960602B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017185066
申请日：2017-09-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐野恒一郎 , 大岡篤志 , 清澤努 , 石山修 , 若山貴行 , 齋藤浩一 , 長谷川貴史 , 進藤大輔 , 楠本修
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336

4. 发明专利

JP2016208030A 半導体素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016208030A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016082846
申请日：2016-04-18
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：内田正雄 , 齋藤浩一 , 若山貴行
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/36 , H01L29/402
摘要：【課題】高耐圧化を実現する半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子201は、半導体基板101の主面121の法線方向から見て、第2導電型の終端領域152に囲まれた前記第1導電型の炭化珪素半導体層102の表面122に配置された第2導電型の複数のバリア領域151を含み、炭化珪素半導体層102の表面122における複数のバリア領域151と炭化珪素半導体層102との境界線が多角形の形状であり、多角形の各辺と半導体基板101の結晶方位の方向とのなす角度が0度以上5度以下である。複数のバリア領域151は、半導体基板101の主面121の法線方向から見て周期的に配置されており、複数のバリア領域151のうちの少なくとも2つが、半導体基板101の結晶方位の方向において離間して位置している。【選択図】図2
摘要翻译：一种半导体装置，实现高击穿电压。一种半导体器件201中，从半导体基板101，第一导电类型由所述第二导电类型的终端区域152所包围的碳化硅半导体层102的表面122的主面121的法线方向观察时它包括多个屏障区域中的碳化硅半导体层102和碳化硅半导体层102的表面122设置在多个势垒区151之间的边界线的第二导电类型的151是在一个多边形的形式，多矩形的半导体衬底101的相应侧的晶体取向的<11-20>方向之间的角度为5度0度。从半导体衬底101中，至少两个，所述多个势垒区151中，半导体基板101的晶体取向的的主面121的11的法线方向<观察时多个势垒区151的周期性排列它们在-20>方向上间隔开。 .The

5. 发明专利

JP6745458B2 半導体素子有权
公开(公告)号：JP6745458B2
公开(公告)日：2020-08-26
申请号：JP2016059482
申请日：2016-03-24
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：内田正雄 , 齋藤浩一 , 若山貴行 , 林将志 , 國里竜也
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/872

6. 发明专利

JP6624592B2 半導体素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6624592B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2016082846
申请日：2016-04-18
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：内田正雄 , 齋藤浩一 , 若山貴行
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872

7. 发明专利

JP2018093177A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018093177A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2017185066
申请日：2017-09-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：佐野恒一郎 , 大岡篤志 , 清澤努 , 石山修 , 若山貴行 , 齋藤浩一 , 長谷川貴史 , 進藤大輔 , 楠本修
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336
摘要：【課題】高温高湿バイアス環境での信頼性が高められた炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置201は、活性領域100Aに位置する複数のユニットセル100uと、活性領域100Aを囲む終端領域100Eに位置する終端構造100eとを備える。各ユニットセル100uは、トランジスタ構造を備える。終端構造100eは、活性領域100Aを囲む第2導電型の第2ボディ領域115と第2ボディ領域を囲む少なくとも1つの第2導電型のリング120と、少なくとも1つの外周上部ソース電極112Hと、上部ゲート電極114とを含む。さらに、窒化珪素からなり、パッド領域を除いて、上部ソース電極112Hおよび上部ゲート電極114と、少なくとも外周上部ソース電極112Hの内側面を覆う第1保護膜125と、有機材料からなり、第1保護膜と、少なくとも複数のリング120の上方とを覆う第2保護膜126が設けられている。【選択図】図2A

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