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1. 发明专利

JP2016105585A 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、不揮発性メモリ装置を用いた暗号化方法および復号化方法有权
标题翻译：具有阻尼电阻的非易失性存储器件，集成电路卡，非易失性存储器件的认证方法，以及使用非易失性存储器件的加密方法和分解方法
公开(公告)号：JP2016105585A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015209809
申请日：2015-10-26
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：加藤佳一 , 吉本裕平 , 小笠原悟
IPC分类号： G11C13/00 , H04L9/10
CPC分类号： G11C7/24 , G06F11/1072 , G06F12/1408 , G06F21/72 , G09C1/00 , G11C13/004 , G11C13/0059 , G11C29/52 , H04L9/0866 , H04L9/32 , H04L9/3278 , G06F2212/1052 , H04L2209/12
摘要：【課題】セキュリティー性により優れたディジタルIDデータを生成する為のPUF(物理的複製困難関数)技術を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルからなるメモリセルアレイ20と、入力されたコントロール信号に基づき、前記複数のメモリセルの一部の各々の前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路11と、読み出し回路11によって取得された前記複数の抵抗値情報に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、を備える。読み出し回路11は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々及び前記複数のメモリセルの前記一部と異なる一部の各々の前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当て個体識別情報を生成する。【選択図】図18
摘要翻译：要解决的问题：提供用于产生具有更好的安全性能的数字ID数据的PUF（物理不可克隆功能）技术。解决方案：非易失性存储器件10具有存储单元阵列20，存储单元阵列20包括多个存储单元，电阻值根据可变状态下的多个不同的电信号的应用以非易失性和可逆的方式在多个电阻值的范围内转换，读出电路11，用于获取关于各个电阻值的多个电阻值信息基于输入控制信号的多个存储单元中的一些存储单元;以及计算电路，用于基于由读出电路11获取的多个电阻值信息来计算二进制参考值。基于二进制参考值，读出电路11选择性地将两个值之一分配给多个电阻体中的每一个 ce值信息以及与多个存储单元不同的多个存储单元中的其他一些存储单元的各个电阻值的多个电阻值信息中的每一个，并且生成单独的识别信息。图18

2. 发明专利

JP6425137B2 データ記録方法および不揮発性記憶装置有权
公开(公告)号：JP6425137B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2015107475
申请日：2015-05-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一 , 小笠原悟
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , G11C2013/009

3. 发明专利

JP2017216031A 不揮発性メモリ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017216031A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2017091129
申请日：2017-05-01
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C13/004 , G11C16/26 , G11C7/04 , G11C7/24 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C7/06 , G11C7/14
摘要：【課題】高信頼を向上した不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、可変状態および初期状態の何れかを取り、初期状態の少なくとも一つのメモリセル21を含む第2メモリグループ8を含む、抵抗変化型の複数のメモリセル21と、複数のメモリセル21から抵抗値情報を読み出す抵抗検出回路、および抵抗検出回路が読み出した抵抗値情報に応じたディジタルデータを生成するデータ生成回路を備えた読み出し回路11と、を備える。抵抗検出回路は、可変状態のメモリセルを読み出すための第1読み出し電圧よりも大きく、初期状態から可変状態に変化するための電気的ストレスであるフォーミングパルスの電圧よりも小さい第2読み出し電圧を第2メモリグループ8の少なくとも一つのメモリセル21に印加することにより、当該少なくとも一つのメモリセル21から抵抗値情報を読み出す。【選択図】図16

4. 发明专利

JP6508478B2 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード有权
公开(公告)号：JP6508478B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2015226861
申请日：2015-11-19
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： H04L9/32 , G11C13/00

5. 发明专利

JP6388235B2 データ生成装置およびデータ生成方法有权
公开(公告)号：JP6388235B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2015092567
申请日：2015-04-30
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：小笠原悟 , 吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： G11C13/00 , G09C1/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00 , G06F7/58
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C29/06 , G11C29/36 , G11C2013/0054 , G11C2211/5644

6. 发明专利

JP2016105344A 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード有权
标题翻译：具有防篡改性的非易失性存储器件和集成电路卡
公开(公告)号：JP2016105344A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015226861
申请日：2015-11-19
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： H04L9/32 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0059 , G11C13/0069 , G11C16/20 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083
摘要：【課題】セキュリティー性により優れたディジタルIDデータを生成するためのPUF(物理的複製困難関数)技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様にかかる不揮発性メモリ装置は、電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、各々が複数のメモリセルの1つの抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、書き込み回路とを備え、読み出し回路は、2値化基準値に基づいて、複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当てて複数のディジタルデータを生成し、書き込み回路は、2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して第1の書き込み動作を行う。【選択図】図28
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于生成数字ID数据的PUF（物理不可克隆功能）技术，其进一步改进了安全性能。解决方案：根据本公开的实施例，非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其中多个存储单元被配置为阵列形状，其中具有根据电信号的应用以非易失性和可逆方式在多个电阻值范围内转换的质量的电阻值布置; 读取电路，用于获取与多个存储器单元的一个电阻值相关的多个电阻值信息; 运算电路，用于基于所述多个电阻值信息的至少一部分来计算二值化参考值; 和写电路。读取电路从两个电阻值信息中的每一个选择性地分配两个值中的一个值，以基于二进制化参考值生成多个数字数据，并且写入电路对相应的存储器单元执行第一写入操作到两个值的两个值。选择图：图28

7. 发明专利

JP2016015192A データ記録方法および不揮発性記憶装置有权
标题翻译：数据记录方法和非易失性存储
公开(公告)号：JP2016015192A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015107475
申请日：2015-05-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一 , 小笠原悟
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/10 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0083 , G11C2013/009
摘要：【課題】メモリセルのそれぞれが初期状態にあるか可変状態にあるかの違いを利用して、メモリセルアレイにデータを記録する新規の方法を提供する。【解決手段】初期状態にある複数のメモリセルから選択されたメモリセルに対して、フォーミングストレスを印加するステップS1と、フォーミングストレスが印加されたメモリセルの抵抗値を第1抵抗値範囲内に設定するステップS2と、を含む。初期状態のメモリセルの抵抗値がとりうる範囲と、可変状態のメモリセルの抵抗値がとりうる範囲との間に設定された第1閾値に基づいて読み出される。ステップS2において、フォーミングストレスが印加されたメモリセルの抵抗値が第1判定値よりも大きい場合には、メモリセルに第1修正信号が印加され、メモリセルの抵抗値が第2判定値よりも小さい場合には、メモリセルに第2修正信号が印加される。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过利用初始状态或可变条件下的每个存储单元的差异来在存储单元阵列上记录数据的方法。解决方案：该方法包括以下步骤：将成形应力施加到在初始状态下从多个存储单元中选择的存储单元（步骤S1）; 以及将施加有成形应力的存储单元的电阻值设定在第一电阻值的范围内（步骤S2）。基于在初始状态下存储单元的电阻值可用的范围和可变条件下存储单元的电阻值可用的范围之间设定的第一阈值读出数据。在步骤S2中，当施加了形成应力的存储单元的电阻值大于第一确定值时，对存储单元施加第一校正信号; 当存储单元的电阻值小于第二确定值时，存储单元被施加第二校正信号。

8. 发明专利

JP6532024B2 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード有权
公开(公告)号：JP6532024B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2015226862
申请日：2015-11-19
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： H04L9/10 , G11C13/00 , G06K19/073 , G06F21/73

10. 发明专利

JP2017216030A 不揮発性メモリ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017216030A
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：JP2017004698
申请日：2017-01-13
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：吉本裕平 , 加藤佳一
IPC分类号： G11C13/00
摘要：【課題】低消費で省面積化を実現できるPUFとしての機能を有する不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】抵抗値の変化を利用してデータを保持可能な抵抗変化型の複数のメモリセル21で構成されるメモリセルアレイ20と、メモリセルアレイ20から、複数のメモリセル21からなるメモリグループの単位で、複数のメモリセル21の各々の抵抗値に依存する放電現象または充電現象に基づいて時間情報を取得する読み出し動作を行う読み出し回路11と、読み出し回路11による読み出し動作によって得られる複数のメモリセル21の時間情報のそれぞれの昇順または降順における順位に基づいて個体識別情報を生成するデータ生成回路25とを備える。【選択図】図7

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