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1. 发明专利

JPWO2013140473A1 半導体素子有权
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：JPWO2013140473A1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2013553702
申请日：2012-11-01
申请人：パナソニック株式会社
发明人：内田　正雄 , 正雄内田 , 信之堀川 , 信之堀川 , 康太郎田中 , 康太郎田中 , 努清澤 , 努清澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828
摘要：半導体素子(100)において、第2導電型のボディ領域(103)は、第1炭化珪素半導体層(102)の表面に接する第1ボディ領域(103a)と、第2導電型のボディ領域(103)の底面に接する第2ボディ領域(103b)とを含む。第1ボディ領域の不純物濃度は、第2ボディ領域の不純物濃度の2倍以上である。チャネル層である第1導電型の第2炭化珪素半導体層(106)は、半導体基板(101)に対して垂直な方向に不純物濃度の分布を有し、ゲート絶縁膜(107)に接する側の不純物濃度は、第1ボディ領域(103a)に接する側の不純物濃度よりも小さい。
摘要翻译：在半导体器件（100），第二导电类型的主体区（103）包括与所述第1碳化硅半导体层（102）的表面接触的第一体区（103A），第二导电类型的主体区（103 用的底表面）的本体区域（103B）的第二接触。第一体区的杂质浓度比两倍的第二体区的杂质浓度更大。第一导电类型（106）的沟道层2碳化硅半导体层具有的杂质浓度的的方向上的分布在垂直于半导体衬底（101），与所述栅极绝缘膜接触的一侧（107）的杂质浓度小于在与所述第一主体区域（103A）接触的一侧的杂质浓度。

2. 发明专利

JP5526291B1 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5526291B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2013557684
申请日：2013-05-20
申请人：パナソニック株式会社
发明人：努清澤 , 正雄内田 , 信之堀川 , 康太郎田中 , 和宏香川 , 康行柳瀬 , 貴史長谷川
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7828
摘要：半導体基板１０１の主面上には、ドリフト領域１３２、ボディ領域１０３、それと隣り合う位置に配置されたソース領域１０４を有する半導体層１０２と、ボディ領域と接して配置されたエピタキシャル層１０６と、エピタキシャル層の上に配置されたゲート絶縁膜１０７とが配置されている。エピタキシャル層は、ボディ領域と接して配置された界面エピタキシャル層１０６ｉと、その上の第１エピタキシャル層１０６ａと、その上の第２エピタキシャル層１０６ｂとを含む。界面エピタキシャル層の不純物濃度は、第１エピタキシャル層の不純物濃度よりも高く且つ第２エピタキシャル層における不純物濃度よりも低い。

3. 发明专利

JPWO2014178094A1 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014178094A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2014541459
申请日：2013-12-06
申请人：パナソニック株式会社
发明人：努清澤 , 和宏香川 , 康行柳瀬 , 晴之空田
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7813 , H01J37/32091 , H01L21/0475 , H01L21/28026 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/68735 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66037 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7828
摘要：オフ角を有する基板と、基板の主面上に配置され、n型のドリフト領域を含み、底部がドリフト領域に位置するトレンチを有するSiC層と、SiC層におけるトレンチの内部に配置されたゲート電極とを備えている。SiC層おけるトレンチは、基板の主面に対する法線方向と基板のc軸方向とに対して平行な断面において、オフ方向側の第1の側壁のうち少なくとも一部が基板の主面に対してなす第1の角が鈍角であり、第1の側壁に対向する第2の側壁のうち少なくとも一部が基板の主面に対してなす第2の角が鋭角である。
摘要翻译：具有的偏离角的衬底，设置在衬底上，其中所述n型漂移区的主表面上，并且具有沟槽底部的SiC层被定位在漂移区，设置在所述沟槽在SiC层上的栅电极它配备了一扇门。 SiC层明确沟槽，在平行的截面相对于相对于该基板，至少相对的断开方向侧的第一侧壁到所述衬底的所述主表面的一部分的主表面的衬底法线方向的c轴方向和所述第一角是钝角茄子，形成至少部分地面对第一侧壁的第二侧壁的所述衬底的所述主表面上的第二角为锐角。

4. 发明专利

JPWO2014073127A1 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014073127A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2013557684
申请日：2013-05-20
申请人：パナソニック株式会社
发明人：努清澤 , 努清澤 , 内田　正雄 , 正雄内田 , 信之堀川 , 信之堀川 , 康太郎田中 , 康太郎田中 , 和宏香川 , 和宏香川 , 康行柳瀬 , 康行柳瀬 , 貴史長谷川 , 貴史長谷川
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7828
摘要：半導体基板101の主面上には、ドリフト領域132、ボディ領域103、それと隣り合う位置に配置されたソース領域104を有する半導体層102と、ボディ領域と接して配置されたエピタキシャル層106と、エピタキシャル層の上に配置されたゲート絶縁膜107とが配置されている。エピタキシャル層は、ボディ領域と接して配置された界面エピタキシャル層106iと、その上の第1エピタキシャル層106aと、その上の第2エピタキシャル層106bとを含む。界面エピタキシャル層の不純物濃度は、第1エピタキシャル層の不純物濃度よりも高く且つ第2エピタキシャル層における不純物濃度よりも低い。
摘要翻译：上设置在与所述本体区域中，外延接触位于邻近它的位置的半导体衬底101，漂移区域132，其具有的体区103的半导体层102，源极区域104和外延层106的主面栅极绝缘设置在层膜107设置。外延层包括设置在与所述本体区域中，在其上的第一外延层106A，并在其上的第二外延层106B接触的表面外延层106i的。界面外延层的杂质浓度比所述高和比所述第一外延层的杂质浓度的第二外延层的杂质浓度低。

5. 发明专利

JPWO2014068813A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014068813A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2014523117
申请日：2013-07-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：千秋工藤 , 千秋工藤 , 努清澤 , 努清澤 , 貴行若山 , 貴行若山
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7827
摘要：半導体装置は、第1炭化珪素半導体層と、第1炭化珪素半導体層に設けられたp型の第1不純物領域と、第1不純物領域とオーミック接触した第1オーミック電極とを備えている。第1オーミック電極は、窒素を含むシリコンの合金であり、第1オーミック電極に含まれる窒素の平均濃度は、第1不純物領域における窒素の平均濃度の2分の1以上であり、第1オーミック電極の第1不純物領域との界面から50nmの範囲を除く部分におけるp型不純物の平均濃度は、3.0×1018cm-3以下である。
摘要翻译：该半导体器件包括第一碳化硅半导体层，在第一碳化硅半导体层中设置的p型第一杂质区，并且在接触第一杂质区和欧姆第一欧姆电极。第一欧姆电极是含氮硅的合金，包含在第一欧姆电极氮的平均浓度是氮在第一杂质区的平均浓度的至少二分之一，第一欧姆电极从除了第一杂质区之间为50nm的范围内的部分的表面上的p型杂质的平均浓度为3.0×1018厘米-3或更小。

6. 发明专利

JP5649152B1 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5649152B1
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2014541459
申请日：2013-12-06
申请人：パナソニック株式会社
发明人：努清澤 , 努清澤 , 和宏香川 , 和宏香川 , 康行柳瀬 , 康行柳瀬 , 空田　晴之 , 晴之空田
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01J37/32091 , H01L21/0475 , H01L21/28026 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/68735 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66037 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7828
摘要：オフ角を有する基板と、基板の主面上に配置され、n型のドリフト領域を含み、底部がドリフト領域に位置するトレンチを有するSiC層と、SiC層におけるトレンチの内部に配置されたゲート電極とを備えている。SiC層おけるトレンチは、基板の主面に対する法線方向と基板のc軸方向とに対して平行な断面において、オフ方向側の第1の側壁のうち少なくとも一部が基板の主面に対してなす第1の角が鈍角であり、第1の側壁に対向する第2の側壁のうち少なくとも一部が基板の主面に対してなす第2の角が鋭角である。
摘要翻译：具有的偏离角的衬底，设置在衬底上，其中所述n型漂移区的主表面上，并且具有沟槽底部的SiC层被定位在漂移区，设置在所述沟槽在SiC层上的栅电极它配备了一扇门。 SiC层明确沟槽，在平行的截面相对于相对于该基板，至少相对的断开方向侧的第一侧壁到所述衬底的所述主表面的一部分的主表面的衬底法线方向的c轴方向和所述第一角是钝角茄子，形成至少部分地面对第一侧壁的第二侧壁的所述衬底的所述主表面上的第二角为锐角。

7. 发明专利

JP5481605B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5481605B2
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：JP2013553702
申请日：2012-11-01
申请人：パナソニック株式会社
发明人：正雄内田 , 信之堀川 , 康太郎田中 , 努清澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828
摘要： In a semiconductor element, a body region of a second conductivity type includes a first body region in contact with a surface of a first silicon carbide semiconductor layer, and a second body region in contact with a bottom surface of the body region of the second conductivity type. The impurity concentration of the first body region is twice or more the impurity concentration of the second body region. A second silicon carbide semiconductor layer of a first conductivity type, which is a channel layer, has an impurity concentration distribution in a direction perpendicular to a semiconductor substrate, and an impurity concentration on a side in contact with the gate insulating film is lower than an impurity concentration on a side in contact with the first body region.

8. 发明专利

JP5223041B1 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5223041B1
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：JP2012555234
申请日：2012-09-10
申请人：パナソニック株式会社
发明人：千秋工藤 , 努清澤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要：トレンチ（１２）の周囲に位置する半導体層（１０２）の上部に第１の第一導電型不純物領域（４）が設けられている。トレンチ（１２）の側壁面の上、及びトレンチ（１２）の周囲に位置する半導体層（１０２）の上に、ゲート絶縁膜（１１）を挟んでゲート電極（８）が設けられている。トレンチ（１２）の周囲に位置するゲート電極（８）と第１の第一導電型不純物領域（４）との間に、第１の第一導電型不純物領域（４）側から第二導電型不純物領域（５０）と第２の第一導電型不純物領域（５１）とが介在している。

9. 发明专利

JP4831128B2 Crystal growth crucible for 有权
公开(公告)号：JP4831128B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2008136234
申请日：2008-05-26
申请人：パナソニック株式会社
发明人：保典得能 , 努清澤
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36

10. 发明专利

JPWO2013042333A1 炭化珪素半導体素子およびその製造方法有权
标题翻译：碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013042333A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2012554906
申请日：2012-09-12
申请人：パナソニック株式会社
发明人：努清澤 , 努清澤 , 和幸澤田 , 和幸澤田 , 高橋　邦方 , 邦方高橋 , 祐貴富田 , 祐貴富田
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7827 , H01L29/8128 , H01L29/872
摘要：炭化珪素半導体素子は、(0001)Si面から傾斜した主面を有する炭化珪素基板と、炭化珪素基板の主面に配置された炭化珪素層と、炭化珪素層に配置され、底面、側壁、および、側壁と炭化珪素層の上面との間に位置する上部コーナー領域を含むトレンチと、トレンチの側壁の少なくとも一部、上部コーナー領域の少なくとも一部、および炭化珪素層上面の少なくとも一部の上に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とを備え、上部コーナー領域は、炭化珪素層の上面とも側壁を構成する面とも異なる面を含み、ゲート電極は、ゲート絶縁膜のうち上部コーナー領域上に位置する第1部分および側壁上に位置する第2部分の両方と接しており、ゲート絶縁膜の第1部分の厚さは、ゲート絶縁膜のうち炭化珪素層の上面の上に位置する第3部分の厚さよりも大きく、ゲート電極の端部は、上部コーナー領域上に位置する。
摘要翻译：碳化硅半导体器件，（0001）和具有Si表面的倾斜主面的碳化硅衬底，以及设置于在碳化硅层，底部，侧壁上的碳化硅衬底的碳化硅层的主表面上，并且，包括位于所述侧壁碳化硅层的上表面之间的上拐角区域中的沟槽中，至少所述沟槽的侧壁，至少上拐角区域的一部分，以及在碳化硅层顶部的至少一个部分的一部分包括设置在栅极绝缘膜，和设置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，上部角落区域包括具有不同表面的顶表面也进行表面构成碳化硅层，栅电极，栅极绝缘的侧壁这是与两个位于所述第一部分和在位于该薄膜的上部角落区域的侧壁上的第二部分接触，栅极绝缘膜的硅碳化物层的栅绝缘膜厚度的所述第一部分顶表面的比第三部分的厚度更大的接近栅电极的端部位于所述上部角落区域。

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