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    • 7. 发明专利
    • BiTe系熱電粒子にドーパント元素をドープする方法
    • 基于双歧杆菌的热电性粒子与掺杂元素的方法
    • JP2015149424A
    • 2015-08-20
    • JP2014022309
    • 2014-02-07
    • トヨタ自動車株式会社株式会社アドマテックス
    • 片岡 朋治小暮 智也村井 盾哉大川内 義徳
    • H01L35/34H01L35/16
    • 【課題】ドーパント元素の高い分散性を確保し均一なドーパント元素のドープを実現し得るBiTe系熱電粒子にドーパント元素をドープする方法を提供する。 【解決手段】BiTe系熱電粒子を含むスラリーとドーパント元素のイオン含有溶液とを混合する工程、及び得られた混合スラリ−を加熱してドーパント元素をドープする工程を含み、前記BiTe系熱電粒子の1次粒径が1000nm以下であり、前記熱電粒子に対するドーパント元素の割合(ドーパント元素/熱電粒子)が1.2質量%以下であり、且つ前記加熱温度が、混合スラリー中に含まれる溶媒の沸点よりも高くBiTe系熱電粒子の少なくとも一部が溶融する温度よりも低い。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种掺杂BiTe的热电粒子与掺杂剂元素的方法,通过该方法可以实现掺杂剂元素的均匀掺杂,同时确保掺杂剂元素的高分散性。解决方案:一种掺杂BiTe- 具有掺杂剂元素的热电粒子包括以下步骤:将包含BiTe基热电粒子的浆料与包含掺杂剂元素的离子的液体溶液混合到混合浆料中; 并加热混合浆料,从而掺杂掺杂元素的BiTe基热电粒子。 基于BiTe的热电粒子具有等于或小于1000nm的一次粒径。 掺杂剂元素相对于热电粒子的质量百分比(掺杂元素/热电粒子)为1.2质量%以下。 加热温度高于混合浆料中所含溶剂的沸点,并且低于导致至少部分BiTe基热电粒子熔化的温度。