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2. 发明专利

JP2017008389A プラズマ化学気相成長装置审中-公开
标题翻译：等离子体化学气相沉积装置
公开(公告)号：JP2017008389A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126806
申请日：2015-06-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , アリオス株式会社
发明人：佐藤羊治 , 佐藤貴康 , 中田博道 , 橘和孝 , 有屋田修 , 高野裕二 , 鶴本諒
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , H01J37/32211 , H01J37/32311 , H01J37/32577
摘要：【課題】直流電圧を被処理物に印加しつつ、マイクロ波を同被処理物に入力することで同被処理物に膜を生成するに際し、マイクロ波の直流電源側への漏えいを抑制することができるプラズマ化学気相成長装置を提供する。【解決手段】PCVD装置11は、長尺状の第1の導体20と、第1の導体20の外周側に配置されている筒状の第2の導体30と、第1の導体20の外側面20aにマイクロ波を流す高周波出力装置45と、第1の導体20に直流電圧を供給する直流電源46とを備える。第1の導体20における高周波出力装置45との接続部分である第1の接続部23は、第1の導体20における直流電源46との接続部分である第2の接続部24よりも、被処理物Wを支持する支持部21の近くに位置している。そして、第1の導体20における第1の接続部23と第2の接続部24との間には第1のフランジ25が設けられている。【選択図】図1
摘要翻译：待处理施加DC电压给对象A，同时，当通过在对象进入微波进行处理，以被处理的物体产生的膜，抑制微波的直流电源侧的泄漏提供一种等离子体化学气相沉积装置，该装置可以。甲PCVD装置11包括第一导体20细长的，并且其被设置在第一导体20的外周侧上的第二导体30的圆柱形，第一导体20的外它包括一个高频输出装置45流动的微波侧20A，直流电源46供给的DC电压施加到第一导体20。第一连接部23是在第一导体20的高频输出装置45之间的连接部，比所述第二连接部24设置在第一导体20与直流电源46之间的连接部分，处理过的它位于支撑部21的附近用于支撑物体W. 然后，在第二连接部24之间设置的第一导体20的第一连接部23具有第一凸缘25。 1点域

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