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1. 发明专利

JPWO2013076820A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2013076820A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013545695
申请日：2011-11-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：康弘平林 , 康弘平林 , 賢妹尾 , 賢妹尾
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861
摘要：本明細書が開示する第1の半導体装置は、セル領域と、セル領域の周辺に設けられた非セル領域とを含む半導体基板を備えている。セル領域は、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型の第2半導体領域と、半導体基板の表面側から第2半導体領域を貫通して第1半導体領域と接する深さまで形成されており、長手方向が第1方向に伸びるトレンチ型の絶縁ゲートと、絶縁ゲートと非セル領域との間のセル領域に少なくともその一部が形成され、トレンチ内に絶縁膜に被覆された導電体が充填されている第1トレンチ導電体とを備えている。第1トレンチ導電体は、第1方向に伸びる第1部分と、第1方向に直交し、セル領域側から非セル領域に向かう第2方向に突出する第2部分とを備えており、第2部分の底部の少なくとも一部は、第1半導体領域と第2半導体領域の境界よりも深い位置に達している。
摘要翻译：在本说明书中所教导的第一半导体器件包括单元区域，包括设置在所述单元区域的外围的非细胞区的半导体衬底。单元区域包括第一导电类型，形成在第一半导体区域的所述半导体衬底表面的表面侧上的第二导电类型的第二半导体区域的第一半导体区域，所述第二从半导体基板的前表面侧通过半导体区域与所述第一半导体区域相接触而形成的深度，沟槽型绝缘栅长度方向在第一方向上延伸，至少所述绝缘栅极和所述非细胞区之间的一个在单元区域部分形成，覆盖有绝缘膜和填充在沟槽中的第一沟槽导体的导体。第一沟槽导体具有在第一方向上延伸的，垂直于所述第一方向的第一部分，以及在非细胞区域从所述单元区域侧指向的第二方向突出的第二部分，第二至少底部部分的一部分已达到比所述第一半导体区域的边界和所述第二半导体区域深的位置。

2. 发明专利

JP5375270B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5375270B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2009086612
申请日：2009-03-31
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L29/739
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which does not easily cause current concentration in a contact portion of a sub element portion. SOLUTION: There is provided a semiconductor device having a semiconductor substrate 12 on which a main element portion 20 and a sub element portion 40 are formed. A main electrode 66 is formed on the upper surface of the main element portion 20 of the upper surface of the semiconductor substrate 12. A sub electrode 68 which is conducted to the semiconductor substrate 12 via a plurality of contact portions 69 isolated from each other is formed on the upper surface of the sub element portion 40. The plurality of contact portions 69 are formed in the form of a straight line extended along a first direction and are arranged along a second direction orthogonal to the first direction. In the vicinity of at least one end of the second direction of a region where the plurality of contact portions 69 are formed, the length of each contact portion 69 in the first direction becomes longer to the center of the region from the end. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP4973463B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4973463B2
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：JP2007298525
申请日：2007-11-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/31654 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L29/7397 , H01L2224/04042 , H01L2224/05016 , H01L2224/05186 , H01L2224/05556 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48458 , H01L2224/4847 , H01L2224/78313 , H01L2224/78318 , H01L2224/7855 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
摘要： A technique for expanding an effective area in which a semiconductor structure required for a semiconductor device to function is desired. With the semiconductor device 2 of this invention, a pad 12 to be connected with a conductive wire 14 is sloping with respect to the surface of the semiconductor device 2 around the pad 12 and along a longitudinal direction of the conductive wire 14. Consequently, the length of the pad 12, when projecting the pad 12 onto the surface of the semiconductor device 2, can be shortened. As a result, the area of the pad region 10 can be reduced and the effective area for forming a semiconductor structure can be enlarged.

4. 发明专利

JP5679068B2 ＩＧＢＴとその製造方法有权
标题翻译： IGBT及其制造的方法
公开(公告)号：JP5679068B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2013535727
申请日：2011-09-28
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 賢妹尾 , 恭輔宮城 , 恭輔宮城 , 剛西脇 , 剛西脇 , 順斎藤 , 順斎藤
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/6634 , H01L29/7396 , H01L29/7397

5. 发明专利

JPWO2012169053A1 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JPWO2012169053A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013519318
申请日：2011-06-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 賢妹尾 , 倫央山葺 , 倫央山葺
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L21/221 , H01L27/0664 , H01L27/0761 , H01L29/0684 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/861
摘要：【課題】高い位置決め精度でライフタイム制御領域を所定範囲に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置1では、同一半導体基板にIGBT素子領域J1とダイオード素子領域J2が混在している。IGBT素子領域J1は、第2導電型のドリフト層60と第1導電型のボディ層30を備えている。ダイオード素子領域J2は、第2導電型のドリフト層60と第1導電型のアノード層31を備えている。ダイオード素子領域J2のドリフト層60に含まれる重金属62の密度が、IGBT素子領域J1のドリフト層60に含まれる重金属62の密度に比して高い。
摘要翻译：本发明提供了一种制造半导体器件能够在预定范围内形成具有高的定位精确性寿命控制区的方法。在半导体装置1中，IGBT元件区J1和二极管元件区J2被混合在同一半导体衬底上。 IGBT元件区J1包括第一导电类型的第二导电类型的主体层30的漂移层60。二极管元件区J2包括：第一导电类型的第二导电型的阳极层31的漂移层60。包含在所述二极管元件区J2的漂移层60中的重金属62，比包含在IGBT元件区J1的漂移层60中的重金属62的密度更高的密度。

6. 发明专利

JP5637154B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5637154B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2012036416
申请日：2012-02-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 賢妹尾
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/02 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/7395 , H01L29/7811

7. 发明专利

JP5343982B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5343982B2
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：JP2010550392
申请日：2009-02-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 友彦佐藤
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/41725 , H01L29/7395 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： The present teaching provides a semiconductor device capable of relaxing stress transferred to a contact region during wire bonding and improving reliability of wire bonding. A semiconductor device comprises contact regions, an interlayer insulating film, an emitter electrode, and a stress relaxation portion. The contact regions are provided at a certain interval in areas exposing at a surface of a semiconductor substrate. The interlayer insulating film is provided on the surface of the semiconductor substrate between adjacent contact regions. The emitter electrode is provided on an upper side of the semiconductor substrate and electrically connected to each of the contact regions. The stress relaxation portion is provided on an upper surface of the emitter electrode in an area only above the contact regions. The stress relaxation portion is formed of a conductive material. A Young's modulus of the material of the stress relaxation portion is lower than a Young's modulus of the material of the emitter electrode.

8. 发明专利

JP5182376B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5182376B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2010541922
申请日：2008-12-10
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/41725 , H01L29/42316

9. 发明专利

JP5686203B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5686203B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2013548644
申请日：2012-03-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 賢妹尾
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/7395 , H01L29/7811

10. 发明专利

JPWO2012124056A1 半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2012124056A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：JP2012508694
申请日：2011-03-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：賢妹尾 , 賢妹尾
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7397
摘要：本明細書が開示する第1の半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の表面の一部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域とボディ領域を貫通してドリフト領域と接する深さまで形成されたトレンチゲート型の絶縁ゲートとを有している。絶縁ゲートのボディ領域よりドリフト領域側となる部分の深さは、絶縁ゲートの長手方向の両端部よりも中央部が深い。

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