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1. 发明专利

JP5206102B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5206102B2
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：JP2008122296
申请日：2008-05-08
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L24/34 , H01L25/072 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： A semiconductor apparatus includes a first stacked body including a first radiator plate, a first insulating layer, a first conductive layer and a first semiconductor element in this order; a second stacked body including a second radiator plate, a second insulating layer, a second conductive layer and a second semiconductor element in this order and configured to be made of a semiconductor material different from that of the first semiconductor element; and a connecting part configured to electrically connect the first conductive layer and the second conductive layer, wherein the first stacked body and the second stacked body are thermally insulated.

2. 发明专利

JPWO2011030454A1 ダイオード領域とＩＧＢＴ領域を有する半導体基板を備える半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2011030454A1
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2011530711
申请日：2009-09-14
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野 , 明高添野
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
摘要：ダイオード領域とIGBT領域が形成されている半導体基板を備える半導体装置を提供する。ダイオードドリフト領域内には、ライフタイム制御領域が形成されている。ダイオードドリフト領域とIGBTドリフト領域は、ダイオード領域とIGBT領域の間の境界領域において連続している。境界領域には、第1分離領域と、第2分離領域が形成されている。第1分離領域は、p型であり、半導体基板の上面からアノード領域の下端及びボディ領域の下端より深い深さまでの範囲に形成されており、アノード領域と接している。第2分離領域は、p型であり、半導体基板の上面からアノード領域の下端及びボディ領域の下端より深い深さまでの範囲に形成されており、ボディ領域と接しており、第1分離領域から分離されている。

3. 发明专利

JPWO2009101868A1 逆導通半導体素子の駆動方法と半導体装置及び給電装置有权
公开(公告)号：JPWO2009101868A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：JP2009553394
申请日：2009-02-02
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野 , 明高添野 , 順斎藤 , 順斎藤
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0834 , H03K17/08128 , H03K17/567 , H03K2217/0036 , H03K2217/0045
摘要： IGBT素子領域とダイオード素子領域が共通の不純物濃度を有するボディ領域を利用する逆導通半導体素子において、ダイオード素子領域の正孔あるいは電子の注入効率を調整できる技術を提供する。NPNP型のIGBTを利用する逆導通半導体素子20に還流電流110が流れる場合、ダイオード素子領域24の第2トレンチゲート電極46に、エミッタ電極32の電圧よりも高い第2電圧を印加する。第2トレンチゲート電極46の周辺にn型の反転層56が形成され、同じn型不純物領域である第1ボディコンタクト領域35とドリフト領域38を通して電子58が流れる。還流電流110における電子58の注入効率が増加し、正孔54の注入効率が低下する。これによって、逆回復電流が増加することを防ぐことができ、ダイオード素子領域24に発生するスイッチング損失を減少させることができる。選択図図4

4. 发明专利

JPWO2014080471A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014080471A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2013525045
申请日：2012-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：明高添野 , 明高添野 , 敏雅山本 , 山本　　敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/047 , H01L29/0623 , H01L29/0878 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66734
摘要：半導体装置は、第1導電型のドリフト層と、第2導電型のボディ層と、第1導電型のソース層と、第1導電型のドレイン層と、ボディ層を貫通してドリフト層に達するトレンチゲートと、トレンチゲートの底部を包囲しており、ドリフト層によってボディ層より分離されている第2導電型の第1半導体層と、トレンチゲートの長手方向の端部に沿って、その一端部がボディ層に接する一方で他端部が第1半導体層に接する第1導電型の第2半導体層と、その一端部がボディ層に接続する一方で他端部が第1半導体層に接続し、かつ、第2半導体層に接し、第2半導体層によってトレンチゲートの長手方向の端部と離隔されている接続層と、を備えている。
摘要翻译：该半导体器件包括第一导电类型的漂移层，到达第二导电类型的主体层，以及第一导电类型的源极层，第一导电型的漏极层，穿过所述主体层的漂移层沟槽栅极包围沟槽栅的底部，其从所述主体层通过漂移层分开的第二导电类型的第一半导体层，沿着沟槽栅的纵向边缘，一个端有在与所述第一半导体层接触的第一导电类型的第二半导体层的另一端，而在与本体层接触，其一端是另一端在连接到连接到第一半导体层中的本体层并且，在与所述第二半导体层接触包括从由所述第二半导体层中的沟槽栅极的纵向端隔开的连接层分开。

5. 发明专利

JP5200148B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5200148B2
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：JP2011222604
申请日：2011-10-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L29/739 , H01L29/78

6. 发明专利

JPWO2010143288A1 半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2010143288A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：JP2010547887
申请日：2009-06-11
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野 , 明高添野
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/8611
摘要： IGBT素子領域と、ダイオード素子領域と、IGBT素子領域とダイオード素子領域との間に設けられた境界領域とが同一半導体基板内に形成されている半導体装置において、IGBT素子領域の第1導電型の第1ボディ領域内に第2導電型のキャリア蓄積領域を設ける。境界領域では、第1導電型の第2拡散領域内に、キャリア蓄積領域に接するまで伸びている第2導電型の第3拡散領域を設ける。これによって、IGBT動作時には、キャリアが境界領域を通過してダイオード素子領域へ移動することを抑制し、オン電圧を低減することができる。また、ダイオード逆回復時には、キャリアが境界領域のドリフト領域に蓄積することを抑制し、逆回復電流を低減することができる。

7. 发明专利

JP5067517B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5067517B2
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：JP2012513754
申请日：2010-05-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76 , H01L27/04 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/1095

8. 发明专利

JP4877337B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4877337B2
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：JP2009033688
申请日：2009-02-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0834

9. 发明专利

JP4788734B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4788734B2
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：JP2008123618
申请日：2008-05-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：幸博久永 , 明高添野
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/861

10. 发明专利

JPWO2012169022A1 半導体装置とその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2012169022A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012508844
申请日：2011-06-08
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：明高添野 , 明高添野
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要：本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板に形成された第1導電型のドリフト層と、ドリフト層の表面側に位置し、半導体基板の表面に形成された第2導電型のボディ層と、を有している。ドリフト層は、ライフタイム制御領域を有しており、ライフタイム制御領域は、半導体基板の深さ方向に変化するドリフト層の結晶欠陥密度の極大値をhとした場合に、結晶欠陥密度がh/2以上である。ライフタイム制御領域は、第1抵抗層と、第1抵抗層よりも比抵抗が低い第2抵抗層とを含む第1導電型のプレドリフト層に荷電粒子を照射することによって形成され、ライフタイム制御領域の少なくとも一部は、第2抵抗層の範囲内に形成される。
摘要翻译：在本说明书中教导的半导体器件包括形成在半导体基板上的第一导电型漂移层，位于所述漂移层的表面侧，形成在半导体衬底的表面上的第二导电型体层的了。漂移层具有寿命控制区，所述寿命控制区，漂移层，在在h时，晶体缺陷密度H的情况下，在半导体衬底的深度方向上变化的晶体缺陷密度的最大值 / 2以上。寿命控制区通过照射第一电阻体层形成时，在第一导电类型的漂移层前和第一电阻器层第二电阻层的电阻率的带电粒子是比寿命下至少控制区域的一部分被第二电阻层内形成。

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