专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018121096A ソリッドステートリレーおよびそのテスト方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018121096A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2015114675
申请日：2015-06-05
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 岡本朋昭 , 澤井敬一
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/16 , H03K17/00 , H03K17/725
摘要：【課題】静電放電(ESD)耐量を高めることができるソリッドステートリレーを提供すること。【解決手段】出力側に、入力信号に応じてオン、オフする点弧用トライアックチップ2と、その点弧用トライアックチップ2のオン電流に応じてオン、オフする電力用トライアックチップ3とを備える。出力側の双方向に関してそれぞれ、点弧用トライアックチップ2の繰り返しピークオフ電圧よりも電力用トライアックチップ3の繰り返しピークオフ電圧が低い。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019192800A 発光素子モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2019192800A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018084447
申请日：2018-04-25
申请人：シャープ株式会社
发明人：井川祐太 , 東坂浩由 , 小野剛史 , 澤井敬一
IPC分类号： H01L33/62
摘要：【課題】回路素子を備えた第1基板における第1電極と、発光素子とが接合された発光素子モジュールであって、第1基板と発光素子とを貼り合わせる際の荷重により生じる不都合を効果的に防止することができる発光素子モジュールを提供する。【解決手段】発光素子モジュールは、回路素子を備えた第1基板における少なくとも2つ以上の第1電極と、少なくとも2つ以上の発光素子とが接合されている。第1基板には第1基板の厚み方向において発光素子側から順に層状に第1配線から第n配線(nは2以上の整数)が形成されている。第1基板における最も発光素子側の層に位置する第1配線は、平面視において、第1基板における隣り合う第1電極間のうち少なくとも一か所の電極間領域に形成されている。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018121097A ソリッドステートリレーおよび電力用トライアックチップ审中-公开
公开(公告)号：JP2018121097A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2015114678
申请日：2015-06-05
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 岡本朋昭 , 澤井敬一
IPC分类号： H01L29/747 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/74 , H03K17/08 , H03K17/78 , H03K17/722
摘要：【課題】静電放電(ESD)耐量を高めることができるソリッドステートリレーを提供すること。【解決手段】出力側に、入力信号に応じてオン、オフする点弧用トライアックチップ2と、その点弧用トライアックチップ2のオン電流に応じてオン、オフする電力用トライアックチップ3とを備える。電力用トライアックチップ3において、双方向の繰り返しピークオフ電圧間の不均衡を減らすように、一方の出力側端子T2が他方の出力側端子T1よりも正電位となるモードIの繰り返しピークオフ電圧と、一方の出力側端子T2が他方の出力側端子T1よりも負電位となるモードIIIの繰り返しピークオフ電圧との差分が、予め定められた許容範囲内にある。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2020123597A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020123597A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2017107035
申请日：2017-05-30
申请人：シャープ株式会社
发明人：澤井敬一
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L25/065
摘要：【課題】容易に製造可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置が、相互に対向するように配置された第1半導体チップ(10)および第2半導体チップ(20)を備える。第1半導体チップ(10)が、第1孔部(122)に設けられた第1バンプ(13)を有し、第2半導体チップ(20)が、第2電極部(21)の表面、第2孔部(222)の側面、および、第2保護膜(22)の表面に形成された凹状金属膜で構成されている導電性の第2バンプ(23)を有している。第1電極部(11)と第2電極部(21)とが、第1バンプ(13)および第2バンプ(23)を介して電気的に接続されている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015216259A 双方向フォトサイリスタチップ、および、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向光电晶片芯片和固态继电器
公开(公告)号：JP2015216259A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014098803
申请日：2014-05-12
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/747
摘要：【課題】高電流容量のSSRへの適用を可能にする。【解決手段】双方向フォトサイリスタチップ(40)は、1つの半導体チップの表面に、複数のセル(42)が搭載されており、各セル(42)は、互いに離間して形成された第1フォトサイリスタ部(42a)および第2フォトサイリスタ部(42b)を備え、上記各フォトサイリスタ部(42a,42b)は、一方向に延在すると共にN型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域(43)と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板(41)と、上記アノード拡散領域(43)に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域(44)と、このゲート拡散領域(44)内に上記アノード拡散領域(43)に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域(45)とを含むPNPN部を有している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使双向光电晶闸管芯片能够应用于高电流容量的SSR。解决方案：在双向光电晶闸管芯片（40）中，多个单元（42）安装在一个半导体芯片。每个单元（42）包括在彼此分离的同时形成的第一光电晶闸管部分（42a）和第二光电晶闸管部分（42b）。光电晶闸管部件（42a，42b）包括PNPN部件，其包括：在一个方向上延伸并具有一种导电类型的N型或P型的阳极扩散区域（43）具有N型和P型之间的另一导电类型的衬底（41）; 面对阳极扩散区域（43）并具有一种导电类型的栅极扩散区域（44）; 以及阴极扩散区域（45），其形成在所述栅极扩散区域（44）内，同时面对所述阳极扩散区域（43）并且具有另一导电类型。

6. 发明专利

JP2019153761A 接合装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019153761A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018040056
申请日：2018-03-06
申请人：シャープ株式会社
发明人：井口勝次 , 前川真澄 , 澤井敬一 , 東坂浩由 , 松尾孝信
IPC分类号： H01L21/60
摘要：【課題】高歩留りを実現する接合装置を提供する。【解決手段】接合装置100は、ダストが除去された層流を生成する層流生成部1と、チップ50をピックアップするチップハンドリング部5と、チップ50を洗浄する洗浄部4と、チップ50と基板15とを接合する接合部3と、チップ50をチップハンドリング部5から接合部3へ搬送する搬送機構12とを備える。これらのうち、少なくとも接合部3および洗浄部4は層流生成部1による層流中に配設されており、基板15に対して、洗浄部4にて洗浄されたチップ50を、良好な電極接続状態で接合する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP5870140B2 双方向フォトサイリスタチップ、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向可控硅照片芯片，固态继电器
公开(公告)号：JP5870140B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2014059712
申请日：2014-03-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74 , H01L31/111

8. 发明专利

JP2017112225A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017112225A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015245548
申请日：2015-12-16
申请人：シャープ株式会社
发明人：澤井敬一 , 松本浩司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L23/522
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：【課題】ワイヤーボンディング時の透明膜の耐湿性の低下を防ぐことができる半導体チップを提供する。【解決手段】半導体部10と、半導体部10上に設けられた電極部30と、半導体部10上に設けられ、第1貫通孔41を有する透明保護膜40と、透明保護膜40上に設けられ、第2貫通孔51を有する不透明保護膜50と、を備える半導体装置100である。第1貫通孔41は、透明保護膜40の上面と下面とを貫通するように設けられ、第2貫通孔51は、不透明保護膜50の上面と下面とを貫通し、かつ、第2貫通孔51の開口縁が、上面からみて、第1貫通孔41の開口縁の内側に位置するように設けられ、電極部30は、その少なくとも一部が第2貫通孔51から露出するように設けられている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017103404A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017103404A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015237169
申请日：2015-12-04
申请人：シャープ株式会社
发明人：澤井敬一 , 渡辺裕二
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28
摘要：【課題】シリコン基板の片面にニッケル膜を備えた半導体装置であって、シリコン基板に対するニッケル膜の密着性が高いものを提供すること。【解決手段】この発明の半導体装置1は、シリコン基板10の片面10bに作り込まれた、V族元素を不純物として含む不純物領域12と、シリコン基板10の片面10bに、その不純物領域12を覆うように設けられたニッケル膜14とを備える。その不純物領域12のV族元素とそのニッケル膜14のニッケル元素とが化学結合している。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6089000B2 双方向フォトサイリスタチップ、および、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向可控硅照片芯片，而且，固态继电器
公开(公告)号：JP6089000B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2014098803
申请日：2014-05-12
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/747

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式