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1. 发明专利

JP6227154B2 化合物半導体電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6227154B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2016548588
申请日：2015-06-10
申请人：シャープ株式会社
发明人：一條尚生
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/532 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/42316 , H01L21/28 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/402

3. 发明专利

JP2016201693A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016201693A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015080984
申请日：2015-04-10
申请人：シャープ株式会社
发明人：一條尚生
IPC分类号： H02M1/00 , H03K17/08
摘要：【課題】オン抵抗の増大を最小限に抑制しつつ、飽和電流を低減して短絡時間の発熱量を抑制し、短絡時間長の大幅な増大を図る。【解決手段】半導体装置は、ソース(S1)とドレイン(D1)とゲート(G1)とを有するノーマリーオン型の第1スイッチング素子(Q)1と、ソース(S2)とドレイン(D2)とゲート(G2)とを有すると共に、ドレイン(D2)が第1スイッチング素子(Q1)のソース(S1)に電気的に接続され、第1スイッチング素子(Q1)と共にカスコード回路を構成しているノーマリーオフ型の第2スイッチング素子(Q2)と、第2スイッチング素子(Q2)と並列に接続されると共に、カスコード回路を流れる過電流を検出する過電流検出回路(22)を備える。過電流検出回路(22)は、上記カスコード回路を流れる電流値が予め設定された所定の過電流値以上となったときに、上記カスコード回路を流れる電流を制限する。【選択図】図1
摘要翻译：甲同时最小化在导通电阻的增加，以减小饱和电流抑制短路时的热生成量，实现在短持续时间的显著增加。一种半导体器件，包括源极（S1）和漏极（D1）和常开型的第一开关元件（Q）具有栅极（G1），源极（S2）和漏极1的（D2）具有栅极（G2），一常漏极（D2）被电连接到第一开关元件（Q1）的源极（S1），构成与所述第一开关元件的共源共栅电路（Q1）它包括第二开关元件（Q2）的截止型，并联连接与所述第二开关元件（Q2），用于检测流过所述级联电路（22）的过电流的过电流检测电路。过电流检测电路（22），当电流流过级联电路成为预先设定的预定的过电流值以上时，限制流动的电流通过所述级联电路。点域1

4. 发明专利

JPWO2016185745A1 複合型半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016185745A1
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017519031
申请日：2016-02-22
申请人：シャープ株式会社
发明人：仲嶋明生 , 一條尚生
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/338 , H01L21/8236 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/778 , H01L29/812 , H02M7/48
CPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H02M7/48 , H03K19/003 , H01L2224/37099
摘要：低オン抵抗であって、かつ負荷短絡時の耐性の高い複合型半導体装置を提供する。互いにカスコード接続されたノーマリオン型の第1FET(Q1)及びノーマリオフ型の第2FET(Q2)を備えている複合型半導体装置(10)において、第1FET(Q1)のドレインに印加されている電圧が400Vである場合、複合型半導体装置(10)に接続された負荷の短絡が開始したタイミングからの経過時間を短絡後経過時間Tとし、第2FETのオン抵抗の値をRonQ2、第1FETの閾値電圧をVTHQ1、第1FETのゲート電圧が0Vのときの、第1FETの飽和状態における第1FETのドレイン電流をIdmax1とし、短絡後経過時間T≧2μsecの間、第1FETの破壊を防ぐ程度に制限したドレイン電流をIdmaxとするときに以下の式の関係を満たす。【数1】

5. 发明专利

JP2016092327A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016092327A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227887
申请日：2014-11-10
申请人：シャープ株式会社
发明人：齋藤政弘 , 一條尚生 , 土居一智
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要：【課題】高耐圧化が図られ、電気特性の初期値からの変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1はP型の半導体基板11上に形成されたN型の第1半導体領域12と、第1半導体領域12内に形成されたP型のボディ領域13及びフィールド絶縁膜16及びN型のドレイン領域17及びP型の第2半導体領域18と、ボディ領域13内に形成されたN型のソース領域14及びP型のボディコンタクト領域15と、P型の第3半導体領域23と、ボディ領域13上に形成されたゲート絶縁膜19と、ゲート絶縁膜19上に配置されたゲート電極20と、ソース電極21と、ドレイン電極22と、を備える。第3半導体領域23はボディ領域13と第2半導体領域18との間の領域の局部的な箇所に配置され、それらを電気的に接続する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现高击穿电压并允许从初始值抑制电特性波动的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括：形成在P型上的N型第一半导体区域12 半导体衬底11; 形成在第一半导体区域12中的P型体区域13，场绝缘膜16，N型漏极区域17和P型第二半导体区域18; 形成在每个体区13中的N型源区14和P型体接触区15; P型第三半导体区域23; 形成在每个主体区域13上的栅极绝缘膜19; 布置在每个栅极绝缘膜19上的栅电极20; 源电极21; 和漏电极22.每个第三半导体区域23布置在本体区域13和第二半导体区域18之间的局部位置，以电连接体区域13和第二半导体区域18.选择的图示：图2

6. 发明专利

JP2015216259A 双方向フォトサイリスタチップ、および、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向光电晶片芯片和固态继电器
公开(公告)号：JP2015216259A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014098803
申请日：2014-05-12
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/747
摘要：【課題】高電流容量のSSRへの適用を可能にする。【解決手段】双方向フォトサイリスタチップ(40)は、1つの半導体チップの表面に、複数のセル(42)が搭載されており、各セル(42)は、互いに離間して形成された第1フォトサイリスタ部(42a)および第2フォトサイリスタ部(42b)を備え、上記各フォトサイリスタ部(42a,42b)は、一方向に延在すると共にN型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域(43)と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板(41)と、上記アノード拡散領域(43)に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域(44)と、このゲート拡散領域(44)内に上記アノード拡散領域(43)に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域(45)とを含むPNPN部を有している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使双向光电晶闸管芯片能够应用于高电流容量的SSR。解决方案：在双向光电晶闸管芯片（40）中，多个单元（42）安装在一个半导体芯片。每个单元（42）包括在彼此分离的同时形成的第一光电晶闸管部分（42a）和第二光电晶闸管部分（42b）。光电晶闸管部件（42a，42b）包括PNPN部件，其包括：在一个方向上延伸并具有一种导电类型的N型或P型的阳极扩散区域（43）具有N型和P型之间的另一导电类型的衬底（41）; 面对阳极扩散区域（43）并具有一种导电类型的栅极扩散区域（44）; 以及阴极扩散区域（45），其形成在所述栅极扩散区域（44）内，同时面对所述阳极扩散区域（43）并且具有另一导电类型。

7. 发明专利

JP2016207934A 窒化物半導体装置审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP2016207934A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090612
申请日：2015-04-27
申请人：シャープ株式会社
发明人：小河淳 , 遠崎学 , 岡崎舞 , 藤重陽介 , 木下多賀雄 , 本田大輔 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L21/338
摘要：【課題】耐圧特性を確保しつつ、短絡耐量を向上でき、素子の信頼性を向上できる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置は、チャネル層(103)と障壁層(104)と超格子層(102)とを含む窒化物半導体層(100)と、窒化物半導体層(100)上に配置されたソース電極(107)およびドレイン電極(109)と、ソース電極(107)とドレイン電極(109)との間かつ窒化物半導体層(100)上に形成された絶縁膜(105)と、ソース電極(107)とドレイン電極(109)との間かつ窒化物半導体層(100)上に形成されたゲート電極(108)とを有するトランジスタ素子部を備える。トランジスタ素子部は、負荷短絡時のパワー密度が所定の値以下になるように構成され、超格子層(102)は、ソース電極(107)とドレイン電極(109)との間の耐圧が所定の電圧以上になるように構成されている。【選択図】図1
摘要翻译：甲同时确保耐压特性，能够提高短路容限，以提供能够提高装置的可靠性的氮化物半导体器件。一种氮化物半导体器件，所述沟道层（103）和阻挡层（104）和超晶格层（102）和包括（100）的氮化物半导体层，设置在所述氮化物半导体层（100）上源电极（107）和漏电极（109）也就是说，在源极电极（107）和形成在源漏电极（109）和（100）的绝缘膜（105）之间的氮化物半导体层包括晶体管元件部和在所形成的栅极电极的电极（107）之间和氮化物半导体层（100）和漏电极（109）（108）。晶体管元件部被构造成使得短路负载的功率密度低于预定值时，在超晶格层（102），源电极（107）和漏电极（109）之间的击穿电压是预定的并且其被配置为等于或大于电压。点域1

8. 发明专利

JP5870140B2 双方向フォトサイリスタチップ、ソリッドステートリレー有权
标题翻译：双向可控硅照片芯片，固态继电器
公开(公告)号：JP5870140B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2014059712
申请日：2014-03-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：鞠山満 , 松本浩司 , 澤井敬一 , 鈴木成次 , 一條尚生
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/74 , H01L31/111

9. 发明专利

JP6626267B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6626267B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2015080984
申请日：2015-04-10
申请人：シャープ株式会社
发明人：一條尚生
IPC分类号： H02M1/00 , H03K17/08

10. 发明专利

JPWO2017038139A1 窒化物半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017038139A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017537569
申请日：2016-03-30
申请人：シャープ株式会社
发明人：一條尚生 , 久保勝 , 福見公孝 , 藤井敬久
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要：窒化物半導体装置は、少なくともドレイン電極(19)を覆う第2の絶縁膜(22)と、負荷短絡時に、ドレイン電極(19)と第2の絶縁膜(22)との間に発生する熱応力が最大となる位置における熱応力を低減する熱応力低減部とを備える。熱応力低減部(19bf)は、ドレイン電極(19)の上部がソース電極(18)に向かって延在してなるドレインフィールドプレート部(19bf)である。

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