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1. 发明专利

JP2014534474A 電気機械システム反射型ディスプレイデバイスのための整合層薄膜有权
标题翻译：匹配层的薄膜用于电机系统反射型显示装置
公开(公告)号：JP2014534474A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014539986
申请日：2012-10-24
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジョン・ヒュンチュル・ホン , ジャン・ジェイ・マ , タリス・ヨン・チャン , チョン・ウク・リー
IPC分类号： G02B26/02 , B81B3/00
CPC分类号： G02B26/08 , G02B5/285 , G02B26/001
摘要：本開示は、電気機械システム反射型ディスプレイデバイスのためのシステム、方法および装置を提供する。一態様では、電気機械システムディスプレイデバイスが反射層および吸収材層を含む。吸収材層は、反射層から離間して配置され、吸収材層と反射層との間にキャビティを画定する。吸収材層は、光をキャビティの中に透過し、光を吸収し、光を反射することができ、金属層を含む。キャビティから離れる方向に面する吸収材層の表面上に複数の整合層があり、複数の整合層は、吸収材層上に配置される第1の整合層と、第1の整合層上に配置される第2の整合層とを含む。
摘要翻译：本发明提供了系统，方法和装置用于机电系统反射型显示装置。在一个实施例中，机电系统显示装置，包括一反射层和吸收层。吸收层与反射层间隔开以限定所述吸收层和反射层之间的空腔。吸收层的光发射到腔体中，吸收光，能够以反射光，包括金属层。有从空腔，多个匹配层的背向吸收层的表面上的多个匹配层，设置吸收层上的第一匹配层，设置在该第一匹配层上和第二匹配层，其是。

2. 发明专利

JP2015504603A アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタ作製方法有权
标题翻译：非晶氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：JP2015504603A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014542522
申请日：2012-11-16
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：チョンホン・キム , タリス・ヨン・チャン , ジョン・ヒュンチュル・ホン
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/66969 , H01L29/78618
摘要：本開示は、薄膜トランジスタ(TFT)デバイスを作製するためのシステム、方法および装置を提供する。一態様では、ソースエリアと、ドレインエリアと、チャネルエリアとを有する基板が設けられる。金属カチオンが、基板のソースエリアおよびドレインエリアの上にある酸化物半導体層中に注入される。金属カチオン注入は、基板のソースエリアおよびドレインエリアの上にある酸化物半導体層中に、ドープn型酸化物半導体を形成する。
摘要翻译：本发明，一种用于制造薄膜晶体管（TFT）装置的系统，提供了一种方法和装置。在一个方面中，源极区域，漏极区域，提供了一种具有沟道区的衬底。金属阳离子被注入到氧化物半导体层，其覆盖所述衬底的所述源区和漏区。金属阳离子注射，上覆所述衬底的所述源区和漏区的氧化物半导体层，以形成一个掺杂的n型氧化物半导体。

3. 发明专利

JP5946966B2 マルチゲート薄膜トランジスタ有权
标题翻译：多栅薄膜晶体管
公开(公告)号：JP5946966B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2015524306
申请日：2013-07-12
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジョン・ヒュンチュル・ホン , チョンホン・キム , ツェ−チン・フン
IPC分类号： G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78645 , H01L29/78648

4. 发明专利

JP2015536486A 電気機械システムディスプレイデバイスのブルーシフトに対する実時間補償有权
标题翻译：用于机电系统显示装置的蓝移实时补偿
公开(公告)号：JP2015536486A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2015543089
申请日：2013-11-04
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジャン・ジェイ・マ , ジョン・ヒュンチュル・ホン , チョン・ウク・リー , タリス・ヨン・チャン
IPC分类号： G02B26/02 , G09G3/20 , G09G3/34
CPC分类号： H04N7/18 , G09G3/3466 , G09G2320/0242 , G09G2320/028 , G09G2320/0666 , G09G2320/068 , G09G2360/141 , G09G2360/144
摘要：本開示は、電気機械システムディスプレイデバイスに関するシステム、方法および装置を提供する。一態様では、装置は、ディスプレイアセンブリと、センサと、プロセッサとを含む。ディスプレイアセンブリは、電気機械システムディスプレイデバイスのアレイを含み得る。センサは、ディスプレイアセンブリに直交する線に対する照明角、視認角、または両方を示す信号を与えるように構成され得る。プロセッサは、センサから信号を受信することと、照明角および/または視認角を決定することと、決定された照明角および/または視認角を補償するために画像データを処理することとを行うように構成され得る。一実施態様では、画像データが、垂直でない照明角および/または視認角に起因して引き起こされた、電気機械システムディスプレイデバイスのうちの少なくとも1つから反射された光の波長におけるシフトを補償するために処理される。
摘要翻译：本发明提供了一种机电系统显示装置的系统，方法和装置。在一个方面，该装置包括：显示组件，传感器，以及处理器。显示组件可以包括机电系统显示装置的阵列。传感器，用于在垂直于所述显示器组合件的线照明角可以被配置成提供指示视角或两者的信号。处理器，以执行接收信号从所述传感器，并且确定所述照明角度和/或视角，并处理该图像数据以补偿照明角度和/或观察角度被确定它可以被配置成。在一个实施例中，图像数据被由于照明角度和从所述机电系统显示装置中的至少一个反射/或观看角度不垂直，以补偿光的波长变化引起的据处理。

5. 发明专利

JP6000468B2 電気機械システムディスプレイデバイスのブルーシフトに対する実時間補償有权
标题翻译：用于机电系统显示装置的蓝移实时补偿
公开(公告)号：JP6000468B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2015543089
申请日：2013-11-04
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジャン・ジェイ・マ , ジョン・ヒュンチュル・ホン , チョン・ウク・リー , タリス・ヨン・チャン
IPC分类号： G09G3/34 , G09G3/20 , G02B26/00
CPC分类号： H04N7/18 , G09G3/3466 , G09G2320/0242 , G09G2320/028 , G09G2320/0666 , G09G2320/068 , G09G2360/141 , G09G2360/144

6. 发明专利

JP2015524618A マルチゲート薄膜トランジスタ有权
标题翻译：多栅薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2015524618A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2015524306
申请日：2013-07-12
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジョン・ヒュンチュル・ホン , チョンホン・キム , ツェ−チン・フン
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30
CPC分类号： H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要：本開示は、マルチゲートトランジスタ、構造、デバイス、装置、システム、および関連するプロセスの実装形態を提供する。一態様では、デバイスは、基板の上に配置された薄膜半導体層を含む。ドレインおよびソースは、半導体層に結合される。デバイスはまた、すべて半導体層に隣接して配置され、それぞれ第1、第2、および第3の制御信号を受信するように構成された、第1、第2、および第3のゲートを含む。誘電体層は、ゲートを半導体層から、かつ互いから絶縁する。第1のモードで、第1、第2、および第3のゲートは、電荷が第2のゲートに隣接する半導体層の領域内の電位井戸に蓄積されるように構成される。第2のモードで、第1、第2、および第3のゲート電極は、蓄積された電荷が第3のゲート電極に隣接する半導体層の領域を通り、ソースを通って、負荷に転送されるように構成される。
摘要翻译：本发明中，多栅极晶体管，结构，设备，装置，提供了系统的一个实现，以及相关进程。在一个方面，该装置包括布置在基板上的薄膜半导体层。漏极和源极被耦合到半导体层中。该装置还设置所有邻近所述半导体层，所述第一分别包括第二，并且被配置为接收第三控制信号时，第一，第二和第三栅极。电介质层，从半导体层的栅极，并相互绝缘。在第一模式中，第一，第二和第三栅极被配置成在充电的势阱中累积在邻近所述第二栅极的半导体层的区域中。在第二模式中，第一，第二和第三栅电极，通过半导体层中累积的电荷的区域邻近所述第三栅电极，通过源极，被传递到负载配置。

7. 发明专利

JP2015519594A ＲＧＢ吸収体を有する多状態ＩＭＯＤ审中-公开
标题翻译：与RGB吸收多状态IMOD
公开(公告)号：JP2015519594A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015504633
申请日：2013-03-28
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジャン・ジェイ・マ , タリス・ヨン・チャン , ジョン・ヒュンチュル・ホン , チョン・ウク・リー
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , G09G3/34
CPC分类号： G02B26/001
摘要：ディスプレイ装置は、アナログIMOD(AIMOD)、(白色状態、黒色状態、および1つの色状態を有するような)3状態IMOD、または(白色状態、黒色状態、および3つの色状態を有するような)5状態IMODなどの多状態IMODを含むことができる。多状態IMODは、可動反射層および吸収体スタックを含むことができる。吸収体スタックは、第1の波長における第1の吸収係数および第1の吸収ピークを有する第1の吸収体層と、第2の波長における第2の吸収係数および第2の吸収ピークを有する第2の吸収体層と、第3の波長における第3の吸収係数および第3の吸収ピークを有する第3の吸収体層とを含むことができる。第1、第2、および第3の吸収層は、各々の隣接する吸収体層の吸収ピークの中心でほぼゼロに低下する吸収レベルを有することができる。
摘要翻译：显示装置中，模拟IMOD（AIMOD），（如白色状态，黑状态下，并且三种颜色状态）（白色状态，黑状态下，并且具有一个彩色状态）3状态IMOD或5 它可以包括一个多状态IMOD，如状态IMOD。多态IMOD可包含一可移动反射层和吸收叠层。的吸收器叠层，第一具有在所述第二波长的第一吸收系数，并且在第一波长的第一吸收峰，第二吸收系数和第二吸收峰的第一吸收层它可以包括一个第二吸收层，和具有第三吸收系数的第三吸收层，以及在第三波长的第三吸收峰。第一，第二和第三吸收层可具有吸收水平在吸收层，每个相邻的所述吸收峰的中心，以基本上减小到零。

8. 发明专利

JP5642912B1 電気機械システム反射型ディスプレイデバイスのための整合層薄膜有权
公开(公告)号：JP5642912B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2014539986
申请日：2012-10-24
申请人：クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ジョン・ヒュンチュル・ホン , ジャン・ジェイ・マ , タリス・ヨン・チャン , チョン・ウク・リー
IPC分类号： G02B26/00 , G02B5/28
CPC分类号： G02B26/08 , G02B5/285 , G02B26/001
摘要：本開示は、電気機械システム反射型ディスプレイデバイスのためのシステム、方法および装置を提供する。一態様では、電気機械システムディスプレイデバイスが反射層および吸収材層を含む。吸収材層は、反射層から離間して配置され、吸収材層と反射層との間にキャビティを画定する。吸収材層は、光をキャビティの中に透過し、光を吸収し、光を反射することができ、金属層を含む。キャビティから離れる方向に面する吸収材層の表面上に複数の整合層があり、複数の整合層は、吸収材層上に配置される第1の整合層と、第1の整合層上に配置される第2の整合層とを含む。

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