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    • 1. 发明专利
    • 反応性スパッタリングの成膜装置、および成膜方法
    • JP2018150590A
    • 2018-09-27
    • JP2017047967
    • 2017-03-14
    • キヤノン株式会社
    • 廣木 珠代
    • H05H1/46C23C14/34
    • C23C14/0042
    • 【課題】反応性スパッタリング法により成膜速度を制御して連続して複数の基板に成膜を行う場合でも、比較的長期間にわたり、安定した膜質を得ることができる技術を提供する。 【解決手段】ターゲット3と反応性ガスを用いて、化合物モード、遷移モード、金属モードのいずれかのモードで成膜を行う反応性スパッタリングの成膜装置である。装置は、不活性ガスを導入する導入部6、反応性ガスを導入する導入部7、ターゲットに電力を供給する電力供給部8を有する。また、ターゲットへの電力の供給で発生するプラズマ発光を検出する検出部と、所定の波長の発光強度または所定の複数の波長の発光強度演算値を指定値に維持するよう反応性ガスの流量を調整する制御部14を含む。制御部は、成膜中に検出される電力供給部のカソード電圧Vと化合物モードでのカソード電圧Vcとの比V/Vcが予め設定された値に近づくように、上記指定値を修正する。 【選択図】図1