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    • 1. 发明专利
    • 半導体装置の製造方法
    • 半导体器件制造方法
    • JP2015173245A
    • 2015-10-01
    • JP2014185699
    • 2014-09-11
    • キヤノン株式会社
    • 青木 敬稲谷 直樹栗原 政樹下山 大輔
    • H04N5/369H01L27/14
    • H01L27/14685H01L27/14621H01L27/14627H01L27/14687H01L31/0216H01L31/02327
    • 【課題】半導体装置の製造工程においてスピンコート法による成膜に有利な技術を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁層を含む構造を基板の上に設け、前記構造の上に電極を形成する第1工程と、前記電極および前記構造を覆う絶縁性の第1膜を形成する第2工程と、前記第1膜のうちの前記電極の上面と前記構造の上面との段差によって形成された凸部に、前記電極の上面の一部である第1部分が露出するように開口を形成する第3工程と、前記第1膜および前記第1部分を覆う第2膜を形成する第4工程と、前記第2膜を加工して、前記開口の側面と前記第1部分とを覆い、かつ、前記第1膜の前記凸部の上面には存在しない保護膜を、前記開口の中に形成する第5工程と、スピンコート法により前記第1膜および前記保護膜の上に第3膜を形成する第6工程と、を有する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种有利于通过旋转涂布法在半导体器件的制造工艺中沉积的技术。解决方案:一种半导体器件制造方法,包括:第一步骤,在衬底上提供包括绝缘层的结构并形成 结构上的电极; 形成覆盖电极和结构的绝缘性第一膜的第二工序; 在由第一膜中的电极的顶面与结构的顶面之间的高度差形成的凸起上形成开口的第三步骤,以暴露作为第一膜的顶面的一部分的第一部分 电极; 形成覆盖所述第一膜和所述第一部分的第二膜的第四工序; 在开口中加工第二膜的第五步骤,覆盖开口的侧面和第一部分并且不存在于第一膜的突出部的顶面上的保护膜; 以及通过旋涂法在第一膜和保护膜上形成第三膜的第六步骤。