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1. 发明专利

JP4063796B2 Stacked semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4063796B2
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：JP2004192763
申请日：2004-06-30
申请人：エルピーダメモリ株式会社 , 日本電気株式会社
发明人：英彰斎藤 , 佳世子柴田 , 正之水野 , 博明池田 , 宗生深石 , 靖彦萩原
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L23/52 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/525 , G11C5/02 , G11C5/04 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01019 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： A stacked semiconductor device includes a plurality of semiconductor chips and a conductive path extending through at least one of the semiconductor chips. The semiconductor chips are stacked together. The semiconductor chips are electrically connected by the conductive path, and the conductive path has a plurality of through-connections extending through the corresponding semiconductor chip.

2. 发明专利

JP4421957B2 Three-dimensional semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4421957B2
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：JP2004191530
申请日：2004-06-29
申请人：エルピーダメモリ株式会社 , 日本電気株式会社
发明人：英彰斎藤 , 佳世子柴田 , 正之水野 , 博明池田 , 宗生深石 , 靖彦萩原
IPC分类号： H01L27/00 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C11/401 , G11C11/41 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L25/065 , H01L27/108 , H01L27/11
CPC分类号： G11C5/063 , G11C5/02 , G11C7/18 , H01L25/0657 , H01L27/10897 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

JP4662740B2 Stacked semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4662740B2
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：JP2004190317
申请日：2004-06-28
申请人：エルピーダメモリ株式会社 , 日本電気株式会社
发明人：英彰斎藤 , 佳世子柴田 , 正之水野 , 博明池田 , 宗生深石 , 靖彦萩原
IPC分类号： G11C11/401 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C11/4096 , H01L21/20 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/119
CPC分类号： G11C5/025 , G11C5/02 , G11C5/063

4. 发明专利

JP4502820B2 Semiconductor chip and semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4502820B2
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：JP2005000591
申请日：2005-01-05
申请人：エルピーダメモリ株式会社 , 日本電気株式会社
发明人：英彰斎藤 , 博明池田 , 靖彦萩原
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L27/10
CPC分类号： H01L29/945 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A wire embedded in a semiconductor substrate is covered with an insulating film, and a bias voltage is applied to the semiconductor substrate or to the wire to form a depletion layer extending from an edge of the insulating film. Alternatively, a semiconductor layer having a different conductivity type from the semiconductor substrate is formed within the semiconductor substrate to surround the insulating film.

5. 发明专利

JP5522372B2 Receiving circuit 有权
公开(公告)号：JP5522372B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2010000185
申请日：2010-01-04
申请人：日本電気株式会社
发明人：靖彦萩原
IPC分类号： H04L25/40 , H04L7/02 , H04L25/02

6. 发明专利

JPWO2012147263A1 無停電電源装置及び制御方法有权
公开(公告)号：JPWO2012147263A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013511887
申请日：2012-03-09
申请人：日本電気株式会社
发明人：萩原　靖彦 , 靖彦萩原
IPC分类号： H02J9/06 , H02J7/34 , H02M3/155
CPC分类号： H02J1/00 , H02J9/061 , H02J9/062 , H02M1/10 , H02M3/158 , Y10T307/344
摘要： AC−DC変換回路(1003)にてAC電源(1001)を直流に変換した第1のDC電源電圧(160)を、PWMスイッチする第1のスイッチ(111)を介して出力した第2のDC電源電圧(161)を平滑化して出力DC電源電圧(163)として負荷に給電するとともに、PWMスイッチする第3のスイッチ(113)を介して電池(120)に供給して充電を行い、かつ、電池(120)から出力される第3の電源電圧(162)はPWMスイッチする第4のスイッチ(114)を介して第1のスイッチ(111)の出力側に出力する。プロセッサ(101)は、第1,第3の電源電圧(160,162)、出力DC電源電圧(163)の電圧値の読み取り結果および外部からの入力制御信号に基づき、第1〜第4スイッチ(111〜114)のスイッチング動作を制御するための制御信号(130)をドライバ(102)に適宜送信する。

7. 发明专利

JP5228525B2 Storage element 有权
公开(公告)号：JP5228525B2
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：JP2008040406
申请日：2008-02-21
申请人：日本電気株式会社
发明人：靖彦萩原
IPC分类号： H03K3/356 , G11C11/41 , G11C11/413 , H03K3/037

8. 发明专利

JP5593857B2 Voltage measuring device and a voltage measurement method 有权
公开(公告)号：JP5593857B2
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：JP2010126618
申请日：2010-06-02
申请人：日本電気株式会社
发明人：靖彦萩原
IPC分类号： G01R19/00

9. 发明专利

JP5267154B2 Circuit delay verification device for a semiconductor integrated circuit, method and program 有权
公开(公告)号：JP5267154B2
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：JP2009012676
申请日：2009-01-23
申请人：日本電気株式会社
发明人：靖彦萩原
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/82
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently perform circuit delay verification for predicting a maximum operating frequency for a semiconductor integrated circuit being designed, in consideration of manufacturing variations of the semiconductor integrated circuit. SOLUTION: A circuit delay verification device 10 for a semiconductor integrated circuit includes: a variation delay sensitivity generation means for deriving a variation delay sensitivity characteristic; a circuit scale information management means for deriving a circuit scale characteristic; an operating frequency information management means for deriving an operating frequency characteristic; an unconsidered delay time generation means for generating an unconsidered delay time characteristic; and a circuit delay time calculation means for generating a circuit delay time characteristic in consideration of manufacturing variations in the semiconductor integrated circuit, from the variation delay sensitivity characteristic, the circuit scale characteristic, the operating frequency characteristic and the unconsidered delay time characteristic, and managing the generated circuit delay time characteristic. The generated circuit delay time characteristic is used to perform circuit delay verification for the semiconductor integrated circuit. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

10. 发明专利

JPWO2012060097A1 メモリモジュールおよびメモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012060097A1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：JP2012541747
申请日：2011-11-01
申请人：日本電気株式会社
发明人：萩原　靖彦 , 靖彦萩原
IPC分类号： G06F12/16 , G06F12/00 , G11C5/00 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1008 , G11C5/04
摘要：エラー訂正機構によって訂正できる確率を増加させて安定性を向上させるメモリモジュールを提供する。同時動作するメモリチップが集中しないように同じランクに属するメモリチップを2次元的または3次元的に分散配置したり、同じランクに含まれるメモリチップとメモリコントローラとの距離がランク毎に一定値に集中しないようにメモリチップを分散配置する。これにより、エラー訂正確率が高く高信頼なメモリモジュールを提供することができる。

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