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1. 发明专利

JP2019207133A 微細素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019207133A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2018102096
申请日：2018-05-29
申请人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：小西敏文 , 佐布晃昭 , 飯田慎一 , 町田克之 , 山根大輔 , 伊藤浩之 , 益一哉
IPC分类号： B81B3/00 , G01P15/18 , G01P15/125
摘要：【課題】3軸の方向の各々の容量がより近似した値となる構造を、大型化することなく、より容易に形成できるようにする。【解決手段】可動部103に形成された開口部107と、基板101の上に形成された第3固定電極108とを備える。開口部107は、第1固定電極102が形成されている領域の周囲の可動部103に形成されている。開口部107の側面の第3固定電極108と向かい合う箇所に形成されて第3固定電極108との間で第3容量を形成する第3可動電極109を備える。第3可動電極109は、可動部103の中心より離れる側の開口部107の側面に形成されている。【選択図】図1A

2. 发明专利

JP6519021B2 微細素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6519021B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2015256285
申请日：2015-12-28
申请人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：小西敏文 , 佐布晃昭 , 町田克之 , 山根大輔 , 伊藤浩之 , 益一哉
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , H01L29/84 , G01P15/08 , G01P15/125

3. 发明专利

JP2017120205A 微細素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2017120205A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015256285
申请日：2015-12-28
申请人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：小西敏文 , 佐布晃昭 , 町田克之 , 山根大輔 , 伊藤浩之 , 益一哉
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , H01L29/84 , G01P15/08 , G01P15/125
摘要：【課題】所望とする性能の加速度センサが、製造ばらつきや製造コストを抑制した状態で作製できるようにする。【解決手段】第2金属パターン層107の金属パターン107cにより、第1金属パターン層104により形成する第1固定電極と第3金属パターン層113により形成する可動電極との基板101の上部方向の間隔を制御し、第4金属パターン層116の金属パターン116cにより、第3金属パターン層113により形成する可動電極と第5金属パターン層119により形成する第2固定電極との基板101の上部方向の間隔を制御する。【選択図】図1J

4. 发明专利

JP2020020769A 静電容量検出回路审中-公开
公开(公告)号：JP2020020769A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018147146
申请日：2018-08-03
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：伊藤浩之 , 道正志郎 , 石原昇 , 益一哉
IPC分类号： H03F1/26 , G01R27/26
摘要：【課題】ノイズを低減する。【解決手段】プリアンプ110は、オペアンプOA1およびフィードバックキャパシタCfを含む。ドライバ120は、第1ラインL1、第2ラインL2およびセンスノードNsの電圧を制御する。ドライバ120は、第1状態φ1および第2状態φ2において、第1ラインL1と第2ラインL2の間に、第1極性の駆動電圧Vdを印加し、第3状態φ3において、第1極性と反対の第2極性の駆動電圧を印加可能に構成される。プリアンプ110は、第1状態φ1において、フィードバックキャパシタCfの電荷が初期化され、第2状態φ2および第3状態φ3において、センスノードNsとオペアンプOA1の出力端子の間にフィードバックキャパシタCfが接続されるように構成される。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2020123216A センシングシステム、センサ端末审中-公开
公开(公告)号：JP2020123216A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2019015545
申请日：2019-01-31
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：堀敦 , 若林整 , 伊藤浩之 , 日向寺朗 , 亘理誠夫 , 新田元
IPC分类号： G08C19/00 , G08C17/00 , G08C15/00
摘要：【課題】消費電力を低減可能なセンシングシステムを提供する。【解決手段】センシングシステム100は複数のセンサ端末200を備える。複数のセンサ端末200のひとつがマスター端末200Aとなり、マスター端末200Aの状態にもとづいて、マスター端末200A以外のセンサ端末200であるスレーブ端末群200Bの動作モードが切り替え可能である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2015149565A 差動伝送回路审中-公开
标题翻译：差分传输电路
公开(公告)号：JP2015149565A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014020692
申请日：2014-02-05
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人東京工業大学
发明人：小栗康範 , 市川浩司 , 田中誠 , 津田剛宏 , 益一哉 , 石原昇 , 伊藤浩之 , 高木辰則 , 及川直也
IPC分类号： H04L25/02
摘要：【課題】2本の信号伝送路間での同相電圧の振幅の非対称性によって生じるコモンモードノイズを抑制することを可能にする。【解決手段】差動伝送回路100であって、信号伝送路VHに接続されて、信号伝送路VHを駆動する階段波発生回路3aと、信号伝送路VLに接続されて、信号伝送路VLを駆動する階段波発生回路3bと、信号伝送路VHの電位と信号伝送路VLの電位との中間電位を出力する電位出力回路41と、電位出力回路41から出力される中間電位の極性を反転させて、信号伝送路VHと信号伝送路VLとの終端抵抗の中点6に与える反転増幅器42とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：抑制由两个信号传输路径之间的共模电压的幅度不对称引起的共模噪声。解调：差分传输电路100包括：阶梯波发生电路3a，其连接到信号传输路径VH并驱动信号传输路径VH; 连接到信号传输路径VL并驱动信号传输路径VL的阶梯波发生电路3b; 在信号传输路径VH和信号传输路径VL之间输出中间电位的电位输出电路41; 以及反相放大器42，其反转从电位输出电路41输出的中间电位的极性，并将结果提供给信号传输路径VH和信号传输路径VL之间的终端电阻的中点6。

7. 发明专利

JP2020100874A 貴金属またはその合金の微細結晶組織を有する金属材料审中-公开
公开(公告)号：JP2020100874A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018239826
申请日：2018-12-21
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：曽根正人 , ツォーフマークチャン , 陳君怡 , 町田克之 , 山根大輔 , 伊藤浩之 , 益一哉
IPC分类号： C25D5/18 , C22C5/02 , C25D7/00 , C25C1/12 , C25C1/20
摘要：【課題】本発明は、MEMS加速度センサの材料として好適な機械的特性を有する新規な金属材料を提供することを目的とする。【解決手段】、本発明によれば、貴金属またはその合金の微細結晶組織を有する金属材料であって、平均結晶粒径が100nm以下であり、結晶粒の中に20nm以下の幅を持つ双晶を有することを特徴とする金属材料が提供される。本発明において、前記微細結晶組織はめっき構造体であり、前記貴金属は好ましくは金である。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019149090A 無線センサおよびセンサネットワークシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2019149090A
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：JP2018034546
申请日：2018-02-28
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：石原昇 , 伊藤浩之 , 道正志郎 , 益一哉
IPC分类号： G08C19/00 , G08C17/00
摘要：【課題】消費電力が低減された、あるいはバッテリが不要な無線センサを提供する。【解決手段】センサ素子110は、環境情報S4を取得する。レシーバ120は、変調されたエネルギ波S1を受信する。トランスミッタ130は、レシーバ120が受信したエネルギ波S1に含まれる変調成分をキャリア信号として利用し、キャリア信号に環境情報S4を載せて送信する。【選択図】図1

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