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1. 发明专利

JP2015015401A 半導体基板の製造方法有权
标题翻译：半导体衬底制造方法
公开(公告)号：JP2015015401A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013142151
申请日：2013-07-05
申请人：株式会社豊田自動織機 , Toyota Industries Corp , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp , 独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： IMAOKA ISAO , KOBAYASHI MOTOKI , UCHIDA EIJI , YAGI KUNIAKI , KAWAHARA TAKAMITSU , HATTA NAOKI , MINAMI AKIYUKI , SAKATA TOYOKAZU , MAKINO TOMOATSU , TAKAGI HIDEKI , KURASHIMA YUICHI
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L29/1608
摘要：【課題】基板表面の平坦化が困難な基板に対しても、接合界面における酸化膜の形成を伴うことなく、且つ接合強度の高い接合面を備えている半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板の製造方法は、支持基板の表面を改質して第1の非晶質層を形成するとともに、半導体の単結晶層の表面を改質して第2の非晶質層を形成する非晶質層形成工程を備える。また、第1の非晶質層と第2の非晶質層とを接触させる接触工程を備える。また、第1の非晶質層と第2の非晶質層とが接触している状態の支持基板および単結晶層を熱処理する熱処理工程を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体衬底制造方法，其在接合界面处不形成氧化膜，并且即使在难以平坦化衬底的衬底的情况下也实现具有高接合强度的接合表面一种半导体衬底制造方法，包括：非晶层形成工艺，其对支撑衬底的表面进行改性以形成第一非晶层，并修饰半导体的单晶层的表面以形成第二非晶层; 接触第一非晶层与第二非晶层的接触过程; 以及在第一非晶层与第二非晶层接触的状态下对支撑基板和单晶层进行热处理的热处理工艺。

2. 发明专利

JP2014207419A 半導体装置审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：JP2014207419A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094575
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20
摘要：【課題】二つの基板の貼り合せにより新しい構造を創出し、熱伝導性がよく集光効率の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】電気的導通性を有する二つに半導体基板のうち一方の基板30の表面にSi層45を設け、もう一方の基板40の表面に極薄のSiO2膜65を設ける。両基板を簡素な活性化処理により貼り合せ、その後の高温度処理において絶縁物である極薄のSiO2膜層を消失させることにより、二つの半導体基板間を導通状態とする。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过层压两个基板以产生新结构的导热性优异，具有高聚光效率的光学半导体装置。解决方案：在一个基板30的表面上设置Si层45，两个导电半导体衬底和极薄的SiO 2膜65设置在另一个衬底40的表面上。通过执行简单的激活处理来层压两个衬底，然后消除极薄的SiO 2膜层，其是绝缘材料在两个半导体衬底之间产生导电状态。

3. 发明专利

JP2014216571A 半導体基板の製造方法および半導体基板有权
标题翻译：制造半导体基板和半导体基板的工艺
公开(公告)号：JP2014216571A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013094649
申请日：2013-04-26
申请人：株式会社豊田自動織機 , Toyota Industries Corp , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： IMAOKA ISAO , KOBAYASHI MOTOKI , UCHIDA EIJI , YAGI KUNIAKI , KAWAHARA TAKAMITSU , HATTA NAOKI , MINAMI AKIYUKI , SAKATA TOYOKAZU , MAKINO TOMOATSU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L33/00
摘要：【課題】発光装置を作成するための半導体基板の製造方法等を提供すること。【解決手段】発光装置用の半導体基板の製造方法は、多結晶SiCの支持基板の表面に、互いに屈折率が異なる第1材料層と第2材料層とが交互に複数層積層している積層構造層を形成する積層構造層形成工程を備えている。積層構造層の表面に、単結晶SiCの単結晶層を貼り合わせる貼り合わせ工程を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造用于制造发光器件的半导体衬底的工艺。解决方案：制造用于发光器件的半导体衬底的工艺包括：层压结构层形成工艺，其形成层压结构在多晶SiC的支撑基板的表面上多个交替地层叠具有相互不同的折射率的第一材料层和第二材料层的层; 以及在层叠结构层的表面上接合单晶SiC的单晶层的接合工序。

4. 发明专利

JP2014207418A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207418A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094574
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/10
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入し、表面に反射膜層を設けた基板の表面と、ポリSiC基板の表面とを貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、発光層と同じ材料による側面反射体を形成しその内側に発光層であるGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする発明である。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有结晶结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC种子基片的表面层中，包括在表面上形成的反射膜层和多SiC衬底的表面的衬底的表面被接合，随后在t氢注入层分离衬底。基板用于发光元件，在其上形成与发光层相同的材料的侧反射器，并且在侧反射器内形成GaN基单晶化合物半导体，其中反射膜层和在多晶硅上形成单晶SiC。

5. 发明专利

JP2014216555A 半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体基板的方法
公开(公告)号：JP2014216555A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013094291
申请日：2013-04-26
申请人：株式会社豊田自動織機 , Toyota Industries Corp , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： IMAOKA ISAO , KOBAYASHI MOTOKI , UCHIDA EIJI , YAGI KUNIAKI , KAWAHARA TAKAMITSU , HATTA NAOKI , MINAMI AKIYUKI , SAKATA TOYOKAZU , MAKINO TOMOATSU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/26
摘要：【課題】結晶欠陥密度を低減させた半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板の製造方法は、支持基板の表面に、半導体の単結晶の第1層を貼り合わせる貼り合わせ工程を備える。また、第1層に点欠陥を導入する欠陥導入工程を備える。また、点欠陥が導入された第1層が貼り合わされた支持基板を熱処理する熱処理工程を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中晶体缺陷密度降低的半导体衬底的制造方法。解决方案：一种制造半导体衬底的方法包括将半导体的单晶第一层粘附到支撑基板（粘贴工序）。该方法还包括将点检测引入到第一层（缺陷引入步骤）中的步骤。该方法还包括热处理被点状缺陷引入的第一层被粘附到其上的支撑基板的步骤（热处理步骤）。

6. 发明专利

JP2014207417A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207417A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094573
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/10
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入しその基板の表面と、ポリSiC基板の表面とをSiO2,Siを介して貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、Siによる側面反射体を形成し、全面に結晶性反射膜を形成し、側面反射体の内側にGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有晶体结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC籽晶衬底的表面层中，将衬底的表面和多SiC衬底的表面通过SiO 2，Si键合，随后在氢注入层分离衬底。将基板用于通过Si形成侧面反射体的发光元件，在整个区域上形成结晶性反射膜，并且在侧反射器内形成GaN基单晶化合物半导体其中在多SiC上形成反射膜层和单晶SiC。

7. 发明专利

JP2014207416A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207416A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013094572
申请日：2013-04-10
申请人：有限会社Mtec , Mtec:Kk , 株式会社サイコックス , Sicoxs Corp
发明人： KATO MITSUHARU
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L33/10 , H01L33/60
摘要：【課題】発光素子の光を効率的に発光させ、或いは発光した光を効率的に取り出すためには発光する化合物半導体膜の直下に反射膜を持つ基板構造が有効であり、発光層の至近位置に側面反射板を持つ構造が有効であり、そのベース基板には熱伝導率の良い基板であることが有効である。しかしこの様な反射膜の上に結晶構造の半導体を形成することは一般的にはできない。【解決手段】本発明はSiC種基板の表層に水素を注入し、表面に反射膜層を設けた基板の表面と、ポリSiC基板の表面とを貼り合わせ、その後に水素注入層で基板を剥離し、ポリSiCに反射膜層、単結晶SiCが形成された状態で、Siによる側面反射体を形成しその内側にGaN系の単結晶化合物半導体を形成した基板を用いる発光素子を特徴とする発明である。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题为了解决在反射膜上形成具有结晶结构的半导体的问题，通常即使在发光性化合物半导体膜的正下方具有反射膜的基板结构也是有效的，在发光层的靠近位置具有侧面反射板的结构是有效的，并且具有高导热性的基板对于半导体的基底基板是有效的，以便有效地发射发光元件的光或有效地提取发光。解决方案：在本发明的半导体器件中，将氢注入到SiC种子基片的表面层中，包括在表面上形成的反射膜层和多SiC衬底的表面的衬底的表面并且随后在氢注入层处分离衬底。在形成反射膜层和单晶SiC的状态下，在侧反射体的内部形成有由Si构成的侧面反射体和GaN侧单体化合物半导体的发光元件的基板在多SiC上。

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