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    • 4. 发明专利
    • Peeling agent composition
    • 剥离剂组合物
    • JPS6138945A
    • 1986-02-25
    • JP9831184
    • 1984-05-15
    • Nagase Sangyo Kk
    • SUGITA MASARU
    • C09D9/00C11D7/50G03C11/00G03F7/42
    • G03F7/426
    • PURPOSE:To enable easy peeling of a positive type photoresist formed on an inorg. substrate in a short time without corroding the metals of the substrate and the like by using a compsn. composed of specified amts. of methylene chloride, metasulfonic acid, and aromatic sulfonic acid. CONSTITUTION:A compsn. used for peeling a positive type photoresist formed on the inorg. substrate is composed of 50-99wt% methylene chloride, 1-50wt% metasulfonic acid, and 1-50wt% aromatic sulfonic acid, such as monoalkylbenzenesulfonic acid or dialkylbenzenesulfonic acid, preferably, xylenesulfonic acid and dodecylbenzenesulfonic acid. The inorg. substrate can be easily peeled of the photoresist film in a short time by bringing said peeling agent compsn. into contact with the resist film formed on the substrate at 10-40 deg.C, and then, washing it with methanol or the like and further washing it with water.
    • 目的:使Inorg上形成的正型光致抗蚀剂容易剥离。 衬底,而不会通过使用组合物而腐蚀衬底的金属等。 由指定的amts组成。 的二氯甲烷,异磺酸和芳族磺酸。 宪法:一个公司 用于剥离在inorg上形成的正型光致抗蚀剂。 底物由50-99wt%二氯甲烷,1-50wt%异磺酸和1-50wt%芳族磺酸如单烷基苯磺酸或二烷基苯磺酸,优选二甲苯磺酸和十二烷基苯磺酸组成。 inorg。 通过使所述剥离剂组合,可以在短时间内使基板容易地剥离光致抗蚀剂膜。 在10-40℃下与形成在基材上的抗蚀剂膜接触,然后用甲醇等洗涤,并进一步用水洗涤。