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    • 8. 发明专利
    • Hall effect device and method of operating the same
    • 霍尔效应器件及其操作方法
    • JP2008227529A
    • 2008-09-25
    • JP2008120658
    • 2008-05-02
    • Seagate Technology Internatlシーゲート テクノロジー インターナショナルSeagate Technology International
    • JOHNSON MARK B
    • H01L43/06G11C11/14G11C11/18H01L21/8246H01L27/105
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved hall effect element including a ferromagnetic material component capable of being used, for example, as a logic application example executing a digital combination-allowable task and a memory element for a non volatile memory device of digital information in such as a magnetic field sensor. SOLUTION: A hall effect element includes a ferromagnetic material layer 510 which covers a part of a hall plate 520 and being electrically isolated therefrom. The ferromagnetic material layer 510 on the hall plate 520 can be changed by applying an external magnetic field. When the element is used as a memory component, the element is allowed to have two stable magnetization statuses (positive and negative) along an anisotropy axis that can correspond to two different data values (0 or 1). COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种改进的霍尔效应元件,其包括能够被使用的铁磁材料部件,例如作为执行数字组合允许任务的逻辑应用示例和用于非易失性存储器件的存储元件 例如磁场传感器中的数字信息。 解决方案:霍尔效应元件包括覆盖霍尔板520的一部分并与之电绝缘的铁磁材料层510。 霍尔板520上的铁磁材料层510可以通过施加外部磁场来改变。 当元件用作存储器组件时,元件可以沿着各向异性轴具有两个稳定的磁化状态(正和负),可以对应于两个不同的数据值(0或1)。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT