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1. 发明专利

JP2015207771A 化合物半導体基板有权
标题翻译：化合物半导体基板
公开(公告)号：JP2015207771A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2015113463
申请日：2015-06-03
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：江里口健一 , 小宮山純 , 大石浩司 , 阿部芳久 , 吉田晃 , 鈴木俊一
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/338
摘要：【課題】化合物半導体層全体の膜厚を抑制しつつ、半導体素子の高い性能と信頼性を両立する化合物半導体基板を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板12と、炭素濃度が1×10 18 /cm 3 以上1×10 21 /cm 3 以下である第1の半導体層16と、炭素濃度が5×10 17 /cm 3 以下であり、第1の半導体層16よりもバンドギャップエネルギーの大きい、障壁層18と、炭素濃度が5×10 17 /cm 3 以下であり、障壁層よりもバンドギャップエネルギーの小さい第2の半導体層20と、第2の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい第3の半導体層22と、を有する。第1の半導体層と障壁層とが第1の境界面で格子整合し、障壁層と第2の半導体層とが第2の境界面で格子整合する。障壁層の内部のバンドギャップエネルギーが、障壁層の第1の境界面及び障壁層の第2の境界面におけるバンドギャップエネルギーよりも大きい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在抑制整个化合物半导体层的膜厚的同时半导体元件具有高性能和可靠性两者的化合物半导体衬底。解决方案：化合物半导体衬底包括：硅单晶衬底12 ; 碳浓度不小于1×10 / cm且不大于1×10 / cm的第一半导体层16; 阻挡层18，其具有等于或小于5×10 / cm的碳浓度，并且具有比第一半导体层16的带隙能量更大的带隙能量; 具有等于或小于5×10 / cm的碳浓度并且具有比阻挡层的能隙小的带隙能量的第二半导体层20; 以及具有比第二半导体层的能隙大的带隙能量的第三半导体层22。第一半导体层和势垒层在第一边界面处彼此晶格匹配。阻挡层和第二半导体层在第二边界面处彼此晶格匹配。阻挡层内的带隙能量大于第一边界面处阻挡层的带隙能量，大于第二边界面处阻挡层的带隙能量。

2. 发明专利

JP2015174803A 石英ガラスルツボの製造方法、及び石英ガラスルツボ有权
标题翻译：用于制造石英玻璃可溶性和石墨玻璃可溶性的方法
公开(公告)号：JP2015174803A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014053444
申请日：2014-03-17
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：齋藤綾平
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C03B20/00
摘要：【課題】ルツボの大きさに拘わらず、ルツボ全体を略均一に加熱し、ルツボ内表面の汚染量を低減する。【解決手段】ルツボ成形型2の中心軸Cの周りに複数の電極3からなる第1電極グループG1から選択された複数の電極からなり、ルツボ成形型の中心軸と、選択された隣り合う2つの電極とのなす角が、ルツボ成形型の中心軸と、前記選択された他の隣り合う2つの電極とのなす角と同一となるように選択された複数の電極からなる第2電極グループG2と、前記第1電極グループのうち、第2電極グループ以外の複数の電極からなり、前記複数の電極においてルツボ成形型の中心軸と隣り合う2つの電極とのなす角が、ルツボ成形型の中心軸と他の隣り合う2つの電極とのなす角と同一となるように選択された第3電極グループG3とを形成し、第2電極グループと第3電極グループの各グループ内において、隣り合う電極同士によりアーク放電を行うステップとを含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：无论坩埚的尺寸如何，大致均匀地加热整个坩埚，以降低坩埚的内表面上的污染水平。解决方案：一种用于制造石英玻璃坩埚的方法包括以下步骤：由多个电极构成的第二电极组G2，其选自由坩埚成型模具2的中心轴线C周围的由多个电极3构成的第一电极组G1，并且被选择成由坩埚成形体的中心轴形成的角度模具和两个选定的相邻电极与由坩埚模具的中心轴线和另外两个所选择的相邻电极形成的角度相同，以及由第一电极组除外的第二电极组之外的多个电极组成的第三电极组G3 电极组并且被选择成使得由坩埚成型模具的中心轴线和多个中的两个相邻电极形成的角度的电极与由坩埚成形模的中心轴和其他两个相邻的电极形成的角度相同，以由第二电极组和第三电极组的每组中的相邻电极进行电弧放电。

3. 发明专利

JP5788296B2 窒化物半導体基板及びその製造方法有权
标题翻译：氮化物半导体衬底及其制造方法
公开(公告)号：JP5788296B2
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：JP2011248155
申请日：2011-11-14
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：吉田晃 , 小宮山純 , 阿部芳久 , 大石浩司 , 江里口健一 , 鈴木俊一
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/7787 , H01L29/2003

4. 发明专利

JP5740017B2 セラミックス複合体有权
标题翻译：陶瓷复合体
公开(公告)号：JP5740017B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2014028050
申请日：2014-02-18
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：入江正樹
IPC分类号： C09K11/80 , C04B35/10 , C09K11/08

5. 发明专利

JP2014222697A 電極埋め込み石英部材及びその製造方法有权
标题翻译：电极嵌入式微粒成员及其制造方法
公开(公告)号：JP2014222697A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2013101310
申请日：2013-05-13
申请人：コバレントマテリアル株式会社 , Covalent Materials Corp
发明人： YASUMOTO YASUHIRO , MURAMATSU SHIGEKO , GOTO HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/683
摘要：【課題】静電チャックやヒータ等の半導体処理用部材であって、内部電極の酸化や該部材の強度の低下等の不具合を生じることなく、内部電極への導通を確実に得ることができ、かつ、給電端子を任意の位置に設定することができる電極埋め込み石英部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラス板1,3,6の内部に、該石英ガラス板の一主面から異なる深さに配置された第1の電極7及び第2の電極2と、第1の電極7と第2の電極2に挟まれた柱状の通電体4とが埋設され、通電体4は、石英ガラス柱状体41の内部には貫通体43が埋設され、石英ガラス柱状体41の表面には導電性材料からなる被覆層42が形成され、天面及び底面がそれぞれ、第1の電極7及び第2の電極2と接合されている電極埋め込み石英部材を作製する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供作为用于静电卡盘，加热器等的半导体加工的部件的电极嵌入式石英部件，并且可以可靠地获得对内部电极的导通，而没有诸如内部电极的氧化的任何问题并且构件的强度降低，并且可以将设置在任意位置的馈电端子及其制造方法。本发明提供一种电极嵌入石英构件，使得第一电极7和第二电极2 布置在石英玻璃板的一个主表面和夹在第一电极7和第二电极2之间的柱状导电体4的不同深度处埋设在石英玻璃板1,3和6中; 导电体4具有嵌入石英玻璃柱体41内的贯通体43; 在石英玻璃柱体41的上表面上由导电材料形成涂层42; 并且顶表面和底表面与第一电极7和第二电极2接合。

6. 发明专利

JP5615454B1 フォーカスリング有权
标题翻译：聚焦环
公开(公告)号：JP5615454B1
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：JP2014033529
申请日：2014-02-25
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：真弘久保田 , 真弘久保田 , 敬明島 , 敬明島
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32642
摘要：【課題】プラズマ処理装置内で用いられた際に、異常放電を抑制し、円周方向でのプラズマ環境の均一性が得られるフォーカスリングを提供する。【解決手段】接着剤を用いることなく、複数の円弧状部材10を複数の連結部材20によって連結し、リング状に構成されるシリコン製のフォーカスリングであって、前記連結部材20上面から前記凹状嵌合部23の底面23aまでの厚さ寸法d2が、前記円弧状部材10上面から第2の凹部底面13aまでの厚さ寸法d1より、大きな寸法で形成されている。【選択図】図4
摘要翻译：在等离子体处理装置A中使用时，为了抑制异常放电，以提供在周向方向上的等离子体环境的聚焦环的均匀性被获得。不使用粘合剂，多个由多个连接构件20，以环状构成的硅聚焦环的弧形连接件10的，A所述凹从所述连接件20顶表面嵌合部23的底面23a，比从弓形构件10上表面的厚度d1到第二凹部底面13a的厚度d2，并且由一个很大的距离而形成。点域4

7. 发明专利

JP5615314B2 合成シリカガラスの製造装置及び合成石英ガラスの製造方法有权
标题翻译：装置和方法，用于制造合成石英玻璃的合成石英玻璃
公开(公告)号：JP5615314B2
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：JP2012073599
申请日：2012-03-28
申请人：コバレントマテリアル株式会社 , コバレントマテリアル徳山株式会社
发明人：孝千々松 , 孝千々松 , 護山門 , 護山門 , 亜紀早川 , 亜紀早川 , 岩井　誠二 , 誠二岩井 , 稔夫中島 , 稔夫中島 , 浩人生野 , 浩人生野
IPC分类号： C03B8/04 , C03B20/00 , G02B1/00
CPC分类号： C03B19/1407 , C03B19/1484

8. 发明专利

JP5611904B2 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法有权
标题翻译：用于上拉所述石英玻璃坩埚的单晶硅和用于制造它的方法
公开(公告)号：JP5611904B2
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：JP2011174509
申请日：2011-08-10
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：直之小畑 , 直之小畑
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/095 , Y02P40/57

9. 发明专利

JP2014178332A Ceramic particle for chromatography filler and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：用于色谱填料的陶瓷颗粒及其制造方法
公开(公告)号：JP2014178332A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2014115078
申请日：2014-06-03
申请人： Covalent Materials Corp , コバレントマテリアル株式会社
发明人： UEMOTO HIDEO , SUGINO TOMONORI , GOTO HIROYUKI
IPC分类号： G01N30/88 , B01J20/02 , B01J20/04 , B01J20/08 , B01J20/10 , B01J20/16 , B01J20/281 , B01J20/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide ceramic particles for chromatography filler capable of enlarging a reaction area with eluent or the like without reducing the size of the particle itself, and provide a manufacturing method thereof.SOLUTION: A ceramic particle 10 for chromatography filler has a plurality of opening pores 20 on an external surface 10a thereof. In the opening pore 20, an average pore diameter is 500 nm ore more and 50 μm or less, and a bore diameter of an opening part of the external surface 10a is 300 nm or more and 20 μm or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在不减小颗粒本身的尺寸的情况下能够用洗脱剂等扩大反应区域的色谱填料用陶瓷颗粒，并提供其制造方法。溶胶：用于色谱填料的陶瓷颗粒10具有多个开口孔20位于其外表面10a上。在开孔20中，平均孔径为500nm以上且50μm以下，外表面10a的开口部的孔径为300nm以上且20μm以下。

10. 发明专利

JP5557333B2 Silica glass crucible for silicon single crystal pulling 有权
公开(公告)号：JP5557333B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2010290379
申请日：2010-12-27
申请人：コバレントマテリアル株式会社
发明人：正人一ノ倉 , 俊郎南 , 祐司深沢 , 晃菅野
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： Y02P40/57

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