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1. 发明专利

JP2010517272A High performance led package 有权
公开(公告)号：JP2010517272A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009546471
申请日：2008-01-15
申请人：クリー, インコーポレイティッド
发明人：デイビッドティー．エマーソン， , マイケルジェイ．バーグマン， , クリストファーピー．ハッセル，
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：立体多角形または別の３次元立体の形をした陥凹を画定する樹脂パッケージを含む、発光ダイオードランプを開示する。陥凹は、床面と、床面のそれぞれの長い方の辺に沿った２つの側壁と、床面のそれぞれの短い方の辺に沿った２つの端壁とを含む。２つの側壁は、その間で３°よりも大きい角度を画定し、２つの端壁は、その間で４０°よりも大きい角度を画定する。発光ダイオードチップは、パッケージの長方形の床面上に位置付けられる。

2. 发明专利

JP2009542571A Growth of 100 mm silicon carbide crystal on the seed crystal of off-axis 审中-公开
公开(公告)号：JP2009542571A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2009518424
申请日：2007-05-30
申请人：クリー, インコーポレイティッド
发明人：エイドリアンパウエル， , マークブレイディ， , ロバートタイラーレオナルド，
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00
摘要：半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。

3. 发明专利

JP2009534866A Sideways plane implementation white led 审中-公开
公开(公告)号：JP2009534866A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009507696
申请日：2007-04-04
申请人：クリー, インコーポレイティッド
发明人：デイビッドティー．エマーソン， , ブライアンティー．コリンズ， , マイケルジェイ．バーグマン， , クリストファーピー．ハッセル，
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , G02B6/0023 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/01322 , H01L2933/0091 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： A light emitting diode is disclosed. The diode includes a package support and a semiconductor chip on the package support, with the chip including an active region that emits light in the visible portion of the spectrum. Metal contacts are in electrical communication with the chip on the package. A substantially transparent encapsulant covers the chip in the package. A phosphor in the encapsulant emits a frequency in the visible spectrum different from the frequency emitted by the chip and in response to the wavelength emitted by the chip. A display element is also disclosed that combines the light emitting diode and a planar display element. The combination includes a substantially planar display element with the light emitting diode positioned on the perimeter of the display element and with the package support directing the output of the diode substantially parallel to the plane of the display element.

4. 发明专利

JP2009522823A Environmentally robust passivation structure for a high voltage silicon carbide semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP2009522823A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：JP2008550321
申请日：2006-12-21
申请人：クリー, インコーポレイティッド
发明人：アランザサードウォード， , ジェイソンパトリックヘニング，
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/283 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/73 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/3185 , H01L21/045 , H01L21/3145 , H01L21/318 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/405 , H01L29/6606 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要：炭化ケイ素における高電界半導体デバイスのための改良された終端構造を開示する。該終端構造は、高電界動作のための炭化ケイ素ベースのデバイスと、該デバイスにおける活性領域と、該活性領域のためのエッジ終端パッシベーションとを含み、該エッジ終端パッシベーションは、表面状態を満足させ、界面密度を低下させるための該デバイスの炭化ケイ素部分の少なくとも一部分上の酸化物層と、水素の取り込みを回避するため、および寄生容量を減少させ、捕捉を最小化するための該酸化物層上の窒化ケイ素の非化学量論的層と、該非化学量論的層および該酸化物層を封入するための該非化学量論的層上の窒化ケイ素の化学量論的層と、を含む。

5. 发明专利

JP2009021599A Led chip design for white conversion 审中-公开
标题翻译： LED芯片设计白色转换
公开(公告)号：JP2009021599A
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：JP2008180814
申请日：2008-07-10
申请人： Cree Inc , クリー, インコーポレイティッド
发明人： ANDREWS PETER S , MARKLE JOSHUA J , LE TOQUIN RONAN P
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/508 , H01L33/005 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode radiating at a relatively high frequency within a range of a visible spectrum (e.g., blue and violet) and used together with phosphors.
SOLUTION: The light emitting diode includes an active portion, a raised border on the top surface of the active portion and around the perimeter of the top surface of the active portion, a resin in the space defined by the border and the top surface of the active portion, and phosphor particles in the resin that convert the frequencies emitted by the active portion.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在可见光谱（例如蓝色和紫色）的范围内以相对高的频率辐射并与磷光体一起使用的发光二极管。解决方案：发光二极管包括有源部分，活动部分的顶表面上的凸起边界和活动部分的顶表面的周边周围，由边界和顶部限定的空间中的树脂活性部分的表面和树脂中的荧光体颗粒，其转换由有源部分发射的频率。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2008544578A With no sputtered nitride hydrogen, passivation of semiconductor devices based on wide bandgap 有权
公开(公告)号：JP2008544578A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：JP2008519580
申请日：2006-06-28
申请人：クリー, インコーポレイティッド
发明人：スコットティー．アレン， , スコットトーマスシェパード， , リチャードピータースミス， , サプサリッシスリラン， , ヘルムートハグレイトナー， , ジェイソンパトリックヘニング， , アンドリューマッケンジー， , ゾルトンリング， , アレンザサードワード，
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/318 , H01L29/812 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/045 , H01L21/3145 , H01L21/318 , H01L21/3185 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24
摘要：不動態化された半導体構造と関連する方法が開示される。該構造は、炭化珪素基板または層と、炭化珪素基板と熱酸化層との間のインターフェース密度を下げる、炭化珪素基板の上の酸化層と、寄生容量を減少し、デバイスのトラッピングを最小化する、熱酸化層の上の第１のスパッタされた非化学量論的な窒化珪素層と、構造をカプセル化することなく基板（およびその上のデバイス）からさらに遠くに次の不動態化層を配置する、該第１の層の上の第２のスパッタされた非化学量論的な窒化珪素層と、構造をカプセル化し、不動態化層の水素障壁特性を高める、第２のスパッタされた層の上のスパッタされた化学量論的な窒化珪素層と、カプセル化層の上の、ステップカバレージおよび亀裂防止のための、化学量論的な窒化珪素層の化学蒸着された環境障壁層とを含む不動態化された半導体構造である。

7. 发明专利

JP2008270819A Beveled led chip which has transparent substrate 审中-公开
标题翻译：具有透明基板的LED芯片
公开(公告)号：JP2008270819A
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：JP2008111759
申请日：2008-04-22
申请人： Cree Inc , クリー, インコーポレイティッド
发明人： BERGMANN MICHAEL J , EMERSON DAVID T , HABERERN KEVIN W
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/10155 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a light emitting diode especially a light emitting diode which emits high energy, high-frequency and the short-wavelength part of the visible spectral, which is used with a fluorescent material, and which forms white light.
SOLUTION: A light emitting diode is provided with a transparent silicon carbide substrate, an active structure formed from a group III nitride based material on the silicon carbide substrate and an ohmic contact on the upper side of the diode respectively. The silicon carbide substrate is beveled with respect to the interface between the silicon carbide and the group III nitride.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了改善发光二极管，特别是发射与荧光材料一起使用的高能量，高频和可见光谱的短波长部分的发光二极管，并且其形成白色光。解决方案：发光二极管设置有透明碳化硅衬底，由碳化硅衬底上的基于III族氮化物的材料形成的有源结构，以及二极管上侧的欧姆接触。碳化硅衬底相对于碳化硅和III族氮化物之间的界面是倾斜的。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2008205468A Group iii nitride diode on low refractive index carrier substrate 有权
$Group iii nitride diode on low refractive index carrier substrate$
标题翻译：低折射率载体基板上的III类氮化物二极管
公开(公告)号：JP2008205468A
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：JP2008033823
申请日：2008-02-14
申请人： Cree Inc , クリー, インコーポレイティッド
发明人： KONG HUA-SHUANG , EDMOND JOHN A
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for increasing the external efficiency of light emitting diodes and diode lamps, and the light emitting diode and light emitting diode lamps produced using the method. SOLUTION: A light emitting diode is disclosed that includes a layer of p-type Group III nitride and a layer of n-type Group III nitride on a transparent carrier substrate that has an index of refraction lower than the layer of Group III nitride adjacent to the carrier substrate. A layer of transparent adhesive joins the transparent substrate to the Group III nitride layers, and the transparent adhesive has an index of refraction lower than the layer of Group III nitride. The diode includes respective ohmic contacts to the p-type Group III nitride layer and to the n-type Group III nitride layer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高发光二极管和二极管灯的外部效率的方法，以及使用该方法制造的发光二极管和发光二极管灯。解决方案：公开了一种发光二极管，其包括p型III族氮化物层和在透明载体衬底上的n型III族氮化物层，折射率低于III族层邻近载体衬底的氮化物。透明粘合剂层将透明基材连接到III族氮化物层，并且透明粘合剂的折射率低于III族氮化物层。二极管包括对p型III族氮化物层和n型III族氮化物层的相应欧姆接触。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2010141144A Metallized structure for high electric power micro electronic device 有权
标题翻译：高功率微电子器件的金属结构
公开(公告)号：JP2010141144A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：JP2008316298
申请日：2008-12-11
申请人： Cree Inc , クリー, インコーポレイティッド
发明人： WARD ALAN , HENNING JASON
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/43 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal interconnection system capable of withstanding thermal stress generated by a device of high electric power and high performance. SOLUTION: A semiconductor device structure includes: a wide-bandgap semiconductor portion selected from the group consisting of silicon carbide and the Group-III nitrides; and an interconnect structure to the semiconductor portion, the interconnect structure including at least two diffusion barrier layers alternating with two respective high electrical conductivity layers, the diffusion barrier layers having a coefficient of thermal expansion different from and lower than the coefficient of thermal expansion of the high electrical conductivity layers. The difference in the respective coefficients of thermal expansions is large enough to constrain the expansion of the high conductivity layers but less than a difference that would create a strain between adjacent layers that would exceed the bond strength between the layers. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够承受由高功率和高性能的装置产生的热应力的金属互连系统。解决方案：半导体器件结构包括：选自由碳化硅和III族氮化物组成的组的宽带隙半导体部分; 以及与所述半导体部分的互连结构，所述互连结构包括与两个相应的高导电性层交替的至少两个扩散阻挡层，所述扩散阻挡层的热膨胀系数不同于和低于所述半导体部分的热膨胀系数高电导率层。相应的热膨胀系数的差异足够大以限制高电导率层的膨胀，但是小于将在相邻层之间产生超过层之间的结合强度的应变的差异。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2010006699A LOW BASAL PLANE DISLOCATION BULK GROWN SiC WAFER 有权
标题翻译：低基本平面分离块大块碳化硅砂轮
公开(公告)号：JP2010006699A
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：JP2009154425
申请日：2009-06-29
申请人： Cree Inc , クリー, インコーポレイティッド
发明人： POWELL ADRIAN , BRADY MARK , TSVETKOV VALERI F
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： C30B33/00 , C30B23/00 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L29/66068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-quality single crystal wafer of SiC.
SOLUTION: The wafer is an SiC wafer having a diameter of at least about 3 inches (75 mm) and at least one square inch (6.25 cm
2 ) of continuous surface area that has a basal plane dislocation volume density of less than about 500 cm
-2 for a 4° off-axis wafer. The production method of the wafer includes a step of forming an SiC boule having a diameter of a little larger than 3 inches, a step of slicing the boule at an angle between about 2° and 12° to 0001 plane into a wafer, wherein the wafer has a surface area including at least one square inch of continuous surface area that has a basal plane dislocation volume density of less than about 500 cm
-2 . The high quality SiC semiconductor precursor wafer 4 produced by the above method additionally has at least one layer of at least one group III nitride layer 6.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供SiC的高品质单晶晶片。解决方案：晶片是直径为至少约3英寸（75mm）和至少1平方英寸（6.25cm 2 SPF）的连续表面积的SiC晶片，其具有基底对于4°离轴晶片，平面位错体积密度小于约500cm -2 。晶片的制造方法包括形成直径略大于3英寸的SiC棒的步骤，将晶片以约2°〜12°的角度切割成0001平面的步骤切割成晶片，其中，晶片具有包括至少一平方英寸的连续表面积的表面积，其具有小于约500cm 2的基面位错体积密度。通过上述方法制造的高质量SiC半导体前体晶片4另外具有至少一层至少一层III族氮化物层6.版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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