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1. 发明专利

JPWO2013147115A1 表面処理銅箔有权
标题翻译：表面处理铜箔
公开(公告)号：JPWO2013147115A1
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014508073
申请日：2013-03-29
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：亮福地 , 亮福地
IPC分类号： C23C28/00 , H05K1/09
CPC分类号： H05K1/09 , C23C22/24 , C23C22/83 , C23C2222/20 , H05K1/0242 , H05K1/0393 , H05K3/382 , H05K3/389 , H05K2201/0141 , H05K2201/032 , H05K2201/0355 , Y10T428/12056 , Y10T428/273
摘要：銅箔表面のSiの付着量が3.1〜300μg/dm2であり、銅箔表面のNの付着量が2.5〜690μg/dm2であることを特徴とする表面処理銅箔。高周波用途に好適な液晶ポリマー(LCP)に銅箔を積層したフレキシブルプリント基板(FPC)用銅箔を提供するに際して、ピール強度を向上させた銅箔を得ることを課題とする。【選択図】なし
摘要翻译：的附着量3.1〜300μg的/铜箔的Si表面，铜箔表面N个处理铜箔附着量的平方分米的特征在于2.5〜690μg/ dm 2的。在提供用于通过对在高频应用中合适的液晶聚合物（LCP）层叠的铜箔形成的柔性印刷电路板（FPC）的铜箔，它是一个对象，以获得具有改善的剥离强度的铜箔。系统技术领域

2. 发明专利

JPWO2013146448A1 低屈折率膜形成用焼結体及びその製造方法有权
标题翻译：低折射率膜形成性的烧结体及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013146448A1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2014507743
申请日：2013-03-19
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：淳史奈良 , 淳史奈良
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/38 , C04B2235/444 , C04B2235/5436 , C04B2235/727 , C23C14/06 , C23C14/3414
摘要：亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)、酸素(O)、フッ素(F)からなる焼結体であって、マグネシウム(Mg)のフッ化物をMgの元素量換算で1.0〜27mol%含有することを特徴とする焼結体。この焼結体に基づいて、フレキシブルディスプレイ用、有機ELテレビ用、タッチパネル用電極用、光情報記録媒体の保護層、反射層又は半透過層を形成する光学薄膜用、ハードディスクのシード層用の薄膜を形成する際に用いることができる焼結体を提供する。これにより、非晶質であり、消衰係数が0.01以下(波長450nm)の良好な可視光の透過率と屈折率が2.0以下の低屈折率である上記用途に最適な薄膜を提供することができる。【選択図】図1
摘要翻译：锌（Zn），镁（Mg），氧（O），在选自氟（F），在于其含有以Mg元素内容中镁（Mg）1.0〜27Mol％氟化物的烧结体烧结体和特征。根据该烧结体，柔性显示器，有机EL电视，电极的触摸面板中，光学信息记录介质的保护层中，光学薄膜形成反射层或半透射层，硬盘的籽晶层的薄膜提供的烧结体可以在形成中使用。这是无定形的，其消光系数提供上述应用的最佳膜是良好的可见光透射率和2.0或更低的0.01或更小（波长450nm）的折射率的折射率它可以是。点域1

3. 发明专利

JPWO2013133163A1 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法有权
标题翻译：溅射靶和用于磁记录介质及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013133163A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014503813
申请日：2013-03-01
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：真一荻野 , 真一荻野 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： G11B5/851 , B21B3/00 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22F1/10 , C22F1/14 , C23C14/34 , H01F41/18
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C19/07 , C22F1/10 , G11B5/851 , Y10T29/4998
摘要：【要約書】Bリッチ相の平均粒子面積が90μm2以下であることを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲット。合金鋳造インゴットを熱処理した後、少なくとも冷間圧延を1回以上含む一次圧延を行い、その後、二次圧延を行い、これを機械加工してターゲットを作製することを特徴とする磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。磁気記録媒体用スパッタリングターゲットにおいて、Bリッチ相の割れが少なく、かつ漏洩磁束密度が高いターゲットを得、これによって、スパッタリング時の放電を安定させ、Bリッチ相の割れを起点とするアーキングを抑制して、パーティクル発生を抑制するという課題を解決する。【選択図】図1
摘要翻译：溅射靶的磁记录介质，其中，所述摘要]富B相的平均颗粒面积是90μm2以下。合金铸锭的热处理后，进行一次轧制，包括至少一次至少一个冷轧，然后进行二次轧制，其加工通过溅射的磁性记录介质，其特征在于以产生目标制造目标的方法。在用于磁记录介质的溅射靶时，富B相的裂纹较少，并获得泄漏磁通密度高的靶，由此，以在溅射期间稳定放电，抑制电弧放电，其开始裂化富B相的碲，它解决了抑制颗粒产生的问题。点域1

4. 发明专利

JPWO2013129017A1 活性炭に吸着された金の回収方法及びそれを用いた金の製造方法有权
标题翻译：用于回收金吸附在活性炭的方法和使用相同的金的制造方法
公开(公告)号：JPWO2013129017A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502081
申请日：2013-01-30
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：和浩波多野 , 和浩波多野 , 浩至勝川 , 浩至勝川 , 瑛基小野 , 瑛基小野 , 佐野　正樹 , 正樹佐野
IPC分类号： C22B11/00 , B01J20/34 , C22B3/24 , C22B3/44
CPC分类号： B01J20/3416 , B01J20/20 , B01J20/3475 , C22B7/007 , C22B11/046 , Y02P10/214 , Y02P10/234
摘要：活性炭に吸着された金を安価に効率良く回収する。活性炭に吸着された金を、酸性水溶液にチオ硫酸塩を添加して調製された溶離液で溶離して、酸性の濃厚金溶液を得る工程を備えた金の回収方法。
摘要翻译：低成本有效地回收金吸附在活性炭上。吸附在活性炭上的金，洗脱洗脱通过添加硫代到酸水溶液中，用于回收金包括获得浓缩的金溶液的酸性的步骤的方法制备的溶液。

5. 发明专利

JPWO2013125259A1 クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット有权
标题翻译：含铬氧化物的铁磁材料的溅射靶
公开(公告)号：JPWO2013125259A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014500613
申请日：2013-01-15
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：英生高見 , 英生高見 , 荒川　篤俊 , 篤俊荒川
IPC分类号： C23C14/34 , G11B5/851
CPC分类号： H01J37/3426 , C23C14/0688 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/564 , G11B5/851 , H01J37/3429 , H01J2237/332
摘要：コバルト、或いはコバルト、クロム、或いはコバルト、白金、或いはコバルト、クロム、白金からなるマトリックス相と、少なくともクロム酸化物を含む酸化物相を含有するスパッタリングターゲットであって、Zr、Wのうちいずれか1種以上を合計で100wtppm以上15000wtppm以下含有し、相対密度が97%以上であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。高密度を維持しつつ、酸化物相の粒子を一律に微細化した、パーティクルの発生の少ないクロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】なし
摘要翻译：钴或钴，铬，或钴，铂或钴，铬，和基质相由铂的，至少含有氧化铬的含溅射靶氧化物相，锆，W 1的一个含有100重量ppm 15000wtppm强磁性材料溅射靶在总更少或更多种，相对密度为等于或小于97％。同时保持高密度，氧化物相的颗粒被均匀地小型化，并且提供一种含有产生较少的氧化铬颗粒的铁磁材料的溅射靶。系统技术领域

6. 发明专利

JPWO2013065713A1 印刷回路用銅箔、銅張積層板、プリント配線板及び電子機器有权
标题翻译：用于印刷电路的覆铜层压板，印刷线路板和电子装置的铜箔
公开(公告)号：JPWO2013065713A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013541804
申请日：2012-10-31
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：新井　英太 , 英太新井 , 敦史三木 , 敦史三木
IPC分类号： C25D7/06 , C25D5/12 , H05K1/09
CPC分类号： C25D3/58 , C25D1/04 , C25D3/562 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D11/38 , H05K1/0393 , H05K3/022 , H05K3/384
摘要：銅箔の表面に、銅の一次粒子層を形成した後、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金の二次粒子層を形成した印刷回路用銅箔であって、粗化処理面の一定領域のレーザー顕微鏡による二次元表面積に対する三次元表面積の比が2.0以上2.2未満であることを特徴とする印刷回路用銅箔。前記銅の一次粒子層の平均粒子径が0.25−0.45μmであり、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層の平均粒子径が0.35μm以下であることを特徴とする請求項1記載の印刷回路用銅箔。
摘要翻译：在铜箔的表面上，形成铜的一次粒子的层后，将其上形成镍的三元合金的二次粒子层的一次粒子层，铜，钴和铜箔用于印刷电路的碲，用于印刷电路的铜箔，其中，所述三维表面面积与二维表面积通过粗糙化表面的激光显微镜某些区域的比率为2.0以上且小于2.2。铜的一次粒子层的平均粒径为0.25-0.45Myuemu，其中，所述铜，镍制成的三元合金的钴粒子和次级粒子层的平均粒径为0.35微米或更小根据权利要求1的印刷电路铜箔。

7. 发明专利

JPWO2013047232A1 スパッタリング用タンタル製コイルの再生方法及び該再生方法によって得られたタンタル製コイル有权
标题翻译：由再现方法和溅射钽线圈的再生方法得到的钽线圈
公开(公告)号：JPWO2013047232A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2012554904
申请日：2012-09-14
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：塚本　志郎 , 志郎塚本
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748
摘要：【要約書】基板とスパッタリングターゲットとの間に配置するスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法であって、使用済みのタンタル製コイルをコイル全面あるいは一部を切削加工により、一面引き(リデポ膜及びナーリング加工跡がなくなるまで切削)して、スパッタリング中に形成されたリデポ膜を除去し、その後、切削した箇所に、新たにナーリングをかけることを特徴とするスパッタリング用タンタル製コイルの再生方法に関する。スパッタリング中に、基板とスパッタリングターゲットとの間に配置したタンタル製コイルの表面にスパッタ粒子が堆積(リデポ)するが、スパッタリング終了後に、この使用済みのコイルに堆積したスパッタ粒子を切削により除去して、タンタル製コイルを効率良く再生するものであり、これによって新コイル作製の無駄を排除し、生産性を向上させ、同コイルを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。【選択図】図1
摘要翻译： [摘要]，通过切割在钽制线圈，一个侧拉（再沉积膜和滚花完全或部分地使用的线圈再现设置在所述基板和所述溅射靶的溅射之间钽制线圈的方法加工痕迹切割，直到有），其去除溅射过程中形成的，然后切割所述部分，以再现溅射钽线圈，其特征在于在施加新的滚花的方法中的沉积层。在溅射过程中，溅射沉积设置在基板和溅射靶（再沉积）之间的钽制线圈的表面上的颗粒，但是，溅射结束后，溅射粒子沉积在该花线圈通过切割除去，这有效地再现钽线圈，从而避免使新线圈的浪费，提高生产率，并提供一种能够通过相同的线圈稳定提供的技术。点域1

8. 发明专利

JPWO2013047199A1 スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：溅射靶及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2013047199A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013536149
申请日：2012-09-12
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：長田　健一 , 健一長田 , 富男大月 , 富男大月 , 岡部　岳夫 , 岳夫岡部 , 牧野　修仁 , 修仁牧野 , 篤志福嶋 , 篤志福嶋
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426
摘要：【要約書】バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部におけるビッカース硬度Hvが90以上、かつ、フランジ部における0.2%降伏応力が6.98?107N/m2以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。ターゲットのフランジ部のみの機械的強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらには、従来のスパッタ特性を変えることがなく、均一性(ユニフォーミティ)に優れた薄膜を形成することを可能にすることができる。これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができる。【選択図】なし
摘要翻译： [摘要]背板集成在上面的凸缘部90的溅射靶的维氏硬度Hv和背板集成溅射，在凸缘部分，其中0.2％屈服应力为6.98？107N / m 2以上目标。通过增加只有目标的凸缘部的机械强度的薄膜，能够在溅射期间抑制靶的变形，并且进一步地，具有优异的在不改变现有的溅射特性，均匀性（均匀性）它可以允许的形成。因此，能够提高半导体产品进行小型化和高集成化的产率和可靠性。系统技术领域

9. 发明专利

JPWO2013038962A1 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：高纯度铜锰合金溅射靶
公开(公告)号：JPWO2013038962A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013533626
申请日：2012-09-05
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：長田　健一 , 健一長田 , 富男大月 , 富男大月 , 岡部　岳夫 , 岳夫岡部 , 牧野　修仁 , 修仁牧野 , 篤志福嶋 , 篤志福嶋
IPC分类号： C23C14/34 , C22C9/05 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/14 , C22C9/05 , C23C14/3414 , H01J37/3426
摘要：【要約書】Mn0.05〜20wt%を含有し、C2wtppm以下、残部がCu及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、CまたはMn、Si、Mgから選ばれる少なくとも1種の元素またはCとMn、Si、Mgから選ばれる少なくとも1種の元素とからなる化合物の直径0.20μm以上のパーティクルの数が平均30個以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のMn元素を添加すると共に、カーボンの量を制限することにより、スパッタリングの際のパーティクル発生を効果的に抑制することができる。特に、自己拡散抑制機能を有した半導体用銅合金配線を形成するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。【選択図】なし
摘要翻译： [摘要]含有Mn0.05〜20重量％，少C2wtppm，余量为一种高纯度铜锰合金溅射靶是Cu和不可避免的杂质，当通过溅射靶形成于晶片上的膜，C或锰，硅，的至少一种元素或C和Mn从镁，硅，至少一个元件与直径0.20μm或化合物多个由选自Mg平均30个或更少的颗粒的数量来选择高纯度铜锰合金溅射靶，其特征在于它。因此，添加Mn元素的适当量的在铜，通过限制碳的量，能够在溅射期间有效地抑制颗粒的产生。特别地，用于形成半导体铜合金布线具有自扩散抑制功能，以提供高纯度的铜锰合金溅射靶是有用的。系统技术领域

10. 发明专利

JPWO2013027443A1 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット有权
标题翻译：粒子少铁磁材料的溅射靶的产生
公开(公告)号：JPWO2013027443A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013510395
申请日：2012-04-06
申请人： Jx日鉱日石金属株式会社 , Jx日鉱日石金属株式会社
发明人：真一荻野 , 真一荻野 , 佐藤　敦 , 敦佐藤 , 荒川　篤俊 , 篤俊荒川 , 中村　祐一郎 , 祐一郎中村
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/10 , C22C19/07 , G11B5/64 , G11B5/851
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C19/07 , C23C14/35 , G11B5/851
摘要： Crが20mol%以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料が分散した相(A)と、Coを40mol%以上含む金属相(B)を有し、前記相(A)において酸化物からなる非磁性材料粒子の面積率が50%以下であり、かつ前記相(B)に外接する面積が最小となる長方形を仮想した場合に、その外接する長方形の短辺が2μm〜300μmであるものの存在率が、全ての相(B)の90%以上であることを特徴とする非磁性材料分散型スパッタリングターゲット。スパッタ時のパーティクルの発生を抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。【選択図】図1
摘要翻译： Cr为小于20摩尔％，剩余部分由金属组合物的溅射靶是Co，靶组织，由在金属基体的氧化物的相非磁性材料被分散和（A），40摩尔％的Co的有一个包含比非磁性物质颗粒的制造中的氧化物的面积更所述阶段（a）是50％或更少，和矩形区域限定的相（B）是最小的金属相（B）当虚拟的矩形短边的什么为2μm〜丰度是300μm的，非分散了磁性材料的溅射靶，其特征在于外接的所有阶段（B）的90％或更多。随着颗粒的产生可以在溅射时被抑制，从而提高了漏磁通，得到稳定的强磁性材料溅射靶能够放电是磁控溅射装置。点域1

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